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引言目前，光刻是多种半导体器件和集成电路一般生产周期中的主要工艺之一。重氮喹诺酮酚醛 (DQN) 光刻胶广泛用作亚微米和纳米光刻的掩模 [1–4]。现代电子学中形成掺杂区的主要方法之一是离子注入 (II)。该方法可以精确控制掺杂剂浓度，且具有工艺多功能性和灵活性的特点。DQN 光刻胶与紫外线、X 射线和可见辐射的相互作用已得到充分详细研究，而离子辐照引起的过程仍然知之甚少，尽管它们会显著影响所创建器件的质量 [4–6]。在聚合物的 II 期间，辐射诱导过程先前已被证明会发生在离子路径区域内及其外部 [5, 7–9]。例如，在 [5] 中发现了 DQN 抗蚀剂膜在锑离子注入层后面的辐射硬化。然而，导致 II 层后面的 DQN 抗蚀剂的物理机械性能发生变化的辐射诱导过程的机制尚未确定。对于薄膜研究，受抑全内反射 (TIR) 的 FTIR 光谱可以定性和定量地获取固体中复杂有机化合物及其混合物的成分和结构
锑离子注入改性重氮醌-酚醛清漆光刻胶薄膜
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