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ma-P 1200 是正性光刻胶系列,专为微电子和微系统技术而设计。这些光刻胶具有多种粘度,一次旋涂即可获得 0.3 – 40 μm 的薄膜厚度。非常适合用作蚀刻掩模,具有较高的干湿蚀刻耐受性 - 宽带、g-、h- 和 i-line 曝光 - 在湿蚀刻工艺和酸性和碱性电镀槽中具有非常好的图案稳定性 - 在干蚀刻工艺(例如 CHF 3 、CF 4 、SF 6)中具有高度稳定性 - 可获得良好的光刻胶图案热稳定性 - 水性碱性显影
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