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摘要 . 金属薄膜的物理气相沉积 (PVD) 广泛应用于半导体技术器件的制造 - 近年来其应用范围不断扩大。钨 (W) 是一种低电阻率的难熔金属，通常通过 PVD 方法沉积，用作半导体器件的栅极触点，由于其功函数低且热稳定性高，W 可用于制造微电子器件中的场发射器 [1–3]。为了监测磁控溅射法合成薄膜的质量，有必要开发适合分析这些薄膜的方法。红外光谱法是一种灵敏的化学键分析方法，但 W 薄膜含有弱极性和非极性 WW 键，无法通过红外光谱法直接检测到，因此选择 W 的氧化作为热氧化方法，用于检测厚度为 150 nm 的薄膜的氧化产物，例如 WO 键。氧化后，观察到 W 薄膜在空气中 600 ℃ 时已发生氧化。改性涂层的傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 光谱表明，在 700-900 cm -1 区域形成了额外的新信号，这归因于 WO、OWO、W=O 键 - 在 Si-SiO 2 基材上形成了 W-氧键。为了确保涂层均匀性和生产质量，建议使用另外合成的对照样品进行 FTIR 分析。
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