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我们证明了具有Wurtzite结构的MG取代的ZnO薄膜中的铁电性。Zn 1-x mg x o膜通过（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3基板在温度下为26至200°C的组合物上的（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3底物生长，用于从x = 0到x = 0.37。X射线衍射表示C -Lattice参数的减少，并且在此组合范围内，A -Lattice参数的增加，MG含量增加，导致C/A轴向比为1.595。透射电子显微镜研究表明Zn 1 -x mg X O膜与PT电极之间的突然接口。在P O 2 = 0.025处制备时，通过原子力显微镜测量的Mg浓度> 29％，膜表面被异常定向的晶粒填充。提高P O 2至0.25消除了不良的晶粒。光学测量结果显示，随着MG含量的增加，带隙值的增加。在200°C的亚晶地上制备时，膜显示出超过100μccm-2的远程极化，当Mg含量约为30％至〜37％时，较不超过100μccm-2且胁迫场。底物温度可以降低到环境条件下，当这样做时，电容器堆栈仅显示出较小的牺牲，而对晶体取向和几乎相同的remanent极化值。但是，强制场降至2 mV/cm以下。使用环境温度沉积，我们证明了直接与聚合物亚电体表面集成的铁电容堆栈。
镁取代的氧化锌薄膜中的铁电性
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