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World File Search System掺杂的
21H01911研究结果报告
研究成果の概要（英文）：这项研究的重点是在石墨烯中实现稳定的N型掺杂的创新方法，这对于几种高级应用至关重要。在早期阶段，我们使用Photobase Generator（PBG）与UV辐射相结合，提出了一种光诱导的电子掺杂技术，该技术允许精确控制石墨烯中的掺杂和图案，以创建高性能PN连接。此方法表现出高电子迁移率和稳定的掺杂，为在透明电子和温度传感中的应用铺平了道路。在后面，我们通过在紫外线下使用PBG和聚乙烯氧化物（PEO）的混合物来进一步扩展这种方法，以改善石墨烯中N型掺杂的均匀性和长期稳定性。这种混合方法被证明是具有成本效益，可扩展性和稳定性超过160天的，克服了先前的局限性，并证明了在热电设备中实用应用的潜力。
筛查疾病控制的硫化葡萄球核化合物晶体，用于相变的记忆应用
模型的哈密顿型与现场障碍，由于所有电子状态均已定位，因此不会发生扩散。十年后，莫特介绍了通用随机汉顿人的移动性边缘的概念：根据定义，移动性边缘将延伸状态与局部化状态分开。[2]在这种更一般的情况下，当费米水平E F位于局部状态的区域时，零温度发生在零温度下。随后，安德森和同事提出了定位的缩放理论，[3]据此，所有电子状态都位于1D和2D无序系统中，只要电子相关性和自旋 - 轨道 - 轨道耦合较弱，就可以看不见随机性的强度。相比之下，3D系统可以在变化障碍或整个迁移率边缘调整EF后经历金属 - 绝缘体过渡（MIT）[2]。疾病诱导的电子定位，例如磷掺杂的硅（SI：P）和铝掺杂的砷化铝（Al X GA 1-X AS）。
rhenium浓度对电荷掺杂和
图2。在QFEG上重新掺杂的MOS 2中的8％重掺杂的MOS 2中的rhenium簇和条纹形成：多层重掺杂MOS 2岛的恒定电流STM概述图像。红色和橙色虚线分别表示岛边缘和隔离边界。（b）MOS 2岛的结构模型以快速（稀释浓度）和缓慢（密集的浓度）生长方面表示。（c，d）（a）中插图中显示的岛单层不同区域中的恒定电流STM地形。从浓度和分布的突然变化中鉴定出隔离边界。e）中性（REMO 0）的STM地形和单层Re-MOS 2中的带正电（REMO +）RE原子。（f）STM地形突出了中性（蓝色圆圈）和带正电荷（洋红色圆圈）的分布，以及单层Re-Mos 2膜中的硫位于硫磺位点缺陷（橙色圆圈）。
用于光电、光伏和储能设备的氧化锡：综述
金属氧化物半导体是一类在我们的生活中得到日益广泛应用的材料，因为它们具有有趣的可调能带隙、优异的化学和机械稳定性等。随着技术的进步，能够生产出薄膜、纳米粒子、纳米线和纳米棒形式的金属氧化物，它们的应用多年来不断增长，从半导体电子器件扩展到传感器、光电子器件、催化、能量收集和存储设备。1 – 38 半导体金属氧化物的一个有趣的应用源于这样一个事实：一些金属氧化物可以掺杂外来元素，从而表现出与金属相当的电导率。这种氧化物的薄膜允许光通过，几乎不产生吸收，因此这种薄膜非常适用于作为光电器件的电极，因为光电器件需要既对光透明又能像金属一样导电的材料。这导致了透明导电氧化物 (TCO) 的发展，它是近代大多数光电子和光伏设备不可或缺的一部分。导电透明金属氧化物薄膜，例如 SnO 2 和 ZnO（氧化锌），正在许多消费电子产品中找到应用，尤其是平板显示器、触摸屏、光伏设备、低辐射玻璃、节能窗和储能设备。8 – 10,12 – 14,39 透明导电膜是一种薄层导电材料，在可见光范围内具有低吸收率（或高光透射率），是上述任何设备的基本要求。20 电导率和透明度可以进行定制，以扩大其在大量应用中的效用。 20 – 26 除透明导电薄膜外，氧化物/金属/氧化物多层结构也得到了广泛的研究，以提高它们的光透射率和电导率，以满足 TCO 的要求。11,40 – 42 图 1 显示了不同的透明氧化物及其在光伏设备、触摸屏、平板显示器和节能智能窗中的应用。然而，只有少数掺杂特定元素的金属氧化物作为 TCO 表现出令人满意的性能，例如铟 (In) 掺杂的 SnO 2 (ITO)、氟 (F) 掺杂的 SnO 2、铝 (Al) 掺杂的 ZnO、镓 (Ga) 掺杂的 ZnO 等，尽管这些都有各自的局限性。二氧化锡作为透明导电氧化物 (TCO) 因其广泛的应用而受到了广泛的研究关注，并得到了许多研究人员的评述。 9,12,43,44 评论文章主要讨论了 ITO 的挑战和机遇。它既具有低电阻率，又具有
基于薄膜粉红色粉红色的葡萄球菌/氟化物一维光子晶体
图6。（a）由DY3+离子和无bragg镜子的单个DY3+掺杂的活性层（参考）激活的微腔的光致发光光谱。插图：激发激光的光谱。（b）与没有bragg镜的参考样品相比，微腔的发光强度的入射角依赖性。
多带 CsV3Sb5- 中的可调谐涡旋束缚态......
涡旋和束缚态是理解超导体电子特性的有效方法。最近，在新发现的 kagome 超导体 CsV3Sb5 中观察到了表面相关的涡旋核心态。虽然尖锐的零能量电导峰的空间分布看起来与来自超导狄拉克表面态的马约拉纳束缚态相似，但其起源仍然难以捉摸。在本研究中，我们利用低温扫描隧道显微镜/光谱法对两种化学掺杂的 kagome 超导体 Cs(V1xTrx)3Sb5 (Tr=Ta 或 Ti) 中的可调涡旋束缚态 (VBS) 进行了观测。与原始的 CsV3Sb5 相反，CsV3Sb5 衍生的 kagome 超导体表现出全间隙配对超导性，同时没有长程电荷序。零能量电导图表明涡旋晶格发生了场驱动的连续重新取向转变，表明存在多带超导性。Ta掺杂的CsV3Sb5表现出Caroli-de Gennes-Matricon束缚态的常规十字形空间演化，而Ti掺杂的CsV3Sb5表现出尖锐的、非分裂的零偏压电导峰（ZBCP），该峰在涡旋的长距离上持续存在。非分裂ZBCP的空间演化对表面效应和外部磁场具有鲁棒性，但与掺杂浓度有关。我们的研究揭示了多带化学掺杂CsV3Sb5系统中可调谐的VBS，并为先前报道的kagome超导体表面非量子极限条件下的Y形ZBCP提供了新的见解。2024年中国科学出版社。由爱思唯尔和中国科学出版社出版。版权所有。
CDMFT+HFD：动态平均场理论的扩展...
我们使用CDMFT + HFD，群集动力学平均场理论（CDMFT）的组合和Hartree Dynamial-Fock均值段的群体间消除群群间扩展相互作用的组合。对于有吸引力的非局部相互作用，该模型在半填充附近表现出一个相分离的区域，在附近，我们发现了D波超导性的岛屿，随着掺杂的函数迅速衰减，具有较小的（高）电子密度的扩展S-波序的断开区域。另一方面，当扩展的相互作用令人反感时，在强耦合限制下，孔掺杂以hole掺杂的稳定性，有利于D-波超导性。在颗粒 - 孔不变的化学电位上，我们发现了从抗铁磁性（AF）到d波超强度的一阶相变，这是有吸引力的最近邻居相互作用的函数，以及密度偏离半填充极限的偏差。反复的扩展相互作用而不是半填充的电荷密度波（CDW）订单。
Jayashree Das，博士 - 硅谷技术学院
[21] Ni掺杂对Mn掺杂ZnO磁性能的影响，J. Das、D. K. Mishra、DR Sahu和BK Roul，Materials Letters (Elsevier) 65 (2011) 598–601 [22]。Bi富Fe缺乏Gd掺杂的室温多铁性