机构名称：
¥ 2.0
在上方所示的双重异质结构中，将P-tye gaas层夹在一个浓度掺杂的N型藻类和轻微掺杂的P-type藻类之间。藻类的带隙为1.92 eV，而GAA的带隙为1.42 eV。因此，电子在GAAS层的左侧找到了潜在的屏障。在没有偏见的情况下，费米能量是均匀的。当应用向前偏置时，两个连接处都会降低屏障的高度。左边的电子可以爬上降低的屏障并进入GAAS层。然而，它们仍然局限于这一层，就像右边的层上，他们发现了进一步的潜在障碍。电子和孔（已经存在于限制层中）结合并发射辐射。发射的光子不会被材料重新吸收，因为限制层的两侧的带隙很大。他们逃到表面。
模块6：发光二极管
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