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摘要：本文提出了一种保证基于半导体化合物GaSb及其固溶体GaInAsSb的发光二极管参数时间稳定性和温度稳定性的方法。改进了基于GaInAsSb（1.94μm和2.2μm）的双波长发光二极管的制备工艺，确定了其在-40℃至80℃温度范围内的稳定性。开发了一种双结构半导体光电子器件方案，使双色LED的初始测量发射流与参考发射流相等，保证了参数的时间稳定性。开发了一种技术，可以保证双色LED中两个发射峰位于不同波长的LED芯片的初始发射流的时间稳定性和相等性，从而决定了光电子器件的测量精度。关键词：光电子学，半导体结构，双色LED，稳定技术，稳定框图，稳定示意图。
彩色发光二极管
主要关键词
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