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World File Search System散热器
适用于 LED 照明应用的有机硅材料
通过使用散热器和有效的热界面材料来最大限度地降低封装中的热阻对于 LED 的长而可靠的使用寿命非常重要。Momentive 提供一系列室温/低温固化 TIM 和导热油脂，用作铝或 FR-4 底座和散热器之间的热界面。这些可修复材料可润湿热表面，可用于减少粘合线，并且由于它们是液体分配的，因此仅允许使用必要的量，从而为材料成本和生产率效益创造了机会。
CS830 A4RD
欧元集团的ROHS范围。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS2N60 A3H 硅 N 沟道功率 MOSFET 通用...
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS105N08 B8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS14N10 A4 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS150N03 D8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
硅 N 沟道功率 MOSFET CS150N03A8
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS8N50 A4R 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS20N65F A9H - prom.st
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。