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在保证速度性能和低功耗要求的超短通道 CMOS 节点中,TDDB 仍然是一个关键的可靠性问题。在交流射频信号操作期间,“关断状态”与“导通状态”模式依次发生,从低频(kHz)到极高频范围(GHz)[1-2]。即使“关断状态”应力通常以比“导通状态”应力更小的速率降低器件性能,但它可能成为器件在射频域和毫米波应用中运行的限制因素,在毫米波应用中,电源电压 V DD 通常是逻辑应用中使用的电源电压的两倍。不仅器件参数漂移可能变得显著,而且还可能触发栅极-漏极区域的硬击穿(BD)。因此,准确评估关断状态 TDDB 的可靠性并深入了解器件级的磨损机制至关重要,因为可以在 28nm FDSOI CMOS 节点的漏极(图 1a、c)和栅极(图 1b、d)电流上观察到击穿事件。由于空穴和电子的碰撞电离 (II) 阈值能量和能垒高度不同,因此导通或关断状态下热载流子 (HC) 的产生及其 V GS / V DS 依赖性在 N 沟道和 P 沟道中明显不同[3] 。通过低栅极电压下的 HC 敏感性对 P 沟道和 N 沟道进行了比较[4],重点关注注入载流子效率,一方面主要考虑导通状态下的热载流子退化 (HCD) 下的 P 沟道侧,另一方面考虑关断状态下的 N 沟道侧,因为热空穴注入引起的损伤和 BD 敏感性更大。这意味着高能 HC 可能在关断模式下在栅极-漏极区域触发 BD 事件[5-6],与热空穴效率有关[7] 。
在药物发育临床试验中使用Lewy身体诊断痴呆症的共识指南。滴虫剂geriatr cogn Disord2016 ;41:55-67。 6)Matsunaga S,Kishi T,
HITRAN2004 论文 [1] 中曾描述过 HITRAN 数据库逐行部分提供的能级或状态的量子数标识。从那时起,许多新分子被添加到 HITRAN 数据库中,并且对某些分子和同位素的格式进行了调整以包含更多信息。下表将概述作为 HITRAN2020 传统(默认)“.par”输出格式(请参阅 www.hitran.org/lbl/ )的一部分提供的量子数格式(截至 HITRAN2020 [2])。应当注意,“.par”是固定长度的 ASCII 格式;因此,一些分子需要单独的解决方案才能在有限的空间内拟合所有可用的量子信息。数据库的关系结构还支持XSAMS格式(解释见http://www.vamdc.org/documents/cbc-1.0/),可以通过创建自定义输出格式进行检索,并能够存储更详细的量子信息。
1 )美国国家科学、工程和医学院医学研究所。人非圣贤,孰能无过。华盛顿哥伦比亚特区:美国国家科学院出版社;2001。 2 )美国国家科学、工程和医学院医学研究所。改善医疗保健诊断。华盛顿哥伦比亚特区:美国国家科学院出版社;2016。 3 ) Rajkomar A,Dean J,Kohane I。医学中的机器学习。N Engl J Med 2019;380:1347―58。 4 ) Crombie DL。诊断过程。J Coll Gen Pract 1963;6:579―89。 5 ) Sandler G。临床医学中病史的重要性以及不必要检查的成本。Am Heart J 1980; 100: 928 ― 31。6)Heneghan C,Glasziou P,Thompson M,Rose P,Balla J,Lasserson D 等. 初级保健中使用的诊断策略. BMJ 2009; 338: b946。7)Shimizu T,Tokuda Y. 枢轴和集群策略:预防诊断错误的措施. Int J Gen Med 2012; 5: 917 ― 21。
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抽象研究了厚度和表面研磨条件对厚度低于100 µm的Si晶片的断裂强度的影响。通过球断裂强度测量每个晶片的大约330个模具(尺寸:4 mm×4 mm)。为了对骨折强度的统计分析,从Weibull图中确定了比例因子。断裂器断裂强度随着sil-icon死亡厚度的降低而增加。对于不同表面条件的硅死亡,断裂,地面(#4800)和地面(#320砂砾)标本的硅断裂强度很高。概率断裂强度(即比例因子)随着硅死亡的表面粗糙度的降低而增加。(2013年5月27日收到; 2013年6月7日修订; 2013年6月17日接受)
摘要:纠缠态的分布是许多量子信息处理协议中至关重要的关键任务。一种常用的量子态分布设置设想在一个位置创建状态,然后通过一些量子通道将其发送到(可能不同的)远程接收器。虽然毫无疑问,也许直观地预料到,纠缠量子态的分布效率低于乘积态,但尚未对这种低效率(即纠缠态和分解态的量子态传输保真度之间的差异)进行彻底的量化。为此,在这项工作中,我们考虑了 n 个独立的振幅衰减通道,它们并行作用,即每个通道局部作用于 n 个量子比特状态的一部分。我们推导出了在初始状态存在纠缠的情况下,最多四个量子比特的乘积态保真度降低的精确分析结果。有趣的是,我们发现真正的多部分纠缠对保真度的影响比双量子比特纠缠更大。我们的结果暗示了这样一个事实:对于更大的 n 量子比特状态,产品状态和纠缠状态之间的平均保真度差异会随着单量子比特保真度的增加而增加,从而使后者成为不太值得信赖的品质因数。
其中 r 是 2 n 维实向量,H 是对称矩阵,称为哈密顿矩阵,不要与哈密顿算子 ˆ H 混淆。矩阵 H 可以假定为对称的,因为其中的任何反对称分量都会增加一个与恒等算子成比例的项(因为 CCR),因此相当于在哈密顿量上增加一个常数。当高阶项不显眼且可忽略不计时,通过二次哈密顿量来建模量子动力学非常常见,量子光场通常就是这种情况。此外,二次哈密顿量在其他实验中也代表了一致的近似,例如离子阱、光机械系统、纳米机械振荡器和许多其他系统。对于相互作用,量子振荡器的“自由”局部哈密顿量 ˆ x 2 + ˆ p 2 (以重新缩放的单位表示)显然是二次的。任何二次汉密尔顿量的对角化都是一个相当简单的数学程序。因为,正如我们将看到的,这种对角化依赖于识别彼此分离的自由度,所以由二次汉密尔顿量控制的系统在量子场论文献中被称为“准自由”。尽管它们的动力学很容易解决,但这样的系统仍然为量子信息理论提供了非常丰富的场景,其中用于分析二次汉密尔顿量的标准方法成为强大的盟友。