机构名称：
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抽象研究了厚度和表面研磨条件对厚度低于100 µm的Si晶片的断裂强度的影响。通过球断裂强度测量每个晶片的大约330个模具（尺寸：4 mm×4 mm）。为了对骨折强度的统计分析，从Weibull图中确定了比例因子。断裂器断裂强度随着sil-icon死亡厚度的降低而增加。对于不同表面条件的硅死亡，断裂，地面（＃4800）和地面（＃320砂砾）标本的硅断裂强度很高。概率断裂强度（即比例因子）随着硅死亡的表面粗糙度的降低而增加。（2013年5月27日收到； 2013年6月7日修订； 2013年6月17日接受）
根据硅死亡的表面条件的断球测试...
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