图 3:检测效率和死时间引起的入射光子统计数据失真。具有泊松统计数据 Poisson( k | µT ) 的入射状态,µT = 80(实心方块),由于有限量子效率 η = 0 . 7(空心方块)而有效衰减,见公式 (10)。输出分布保持为泊松分布,具有泊松( m | ηµT )。对于具有可瘫痪死时间 t dead 的探测器,输出统计数据由公式控制。 (11)给出分布泊松(k | ηµT exp(−ηµt dead)),即它仍然保持泊松分布,新的均值为ηµT exp(−ηµt dead)(实心圆)。对于具有非瘫痪死时间t dead 的探测器,输出分布不再是泊松分布,而是亚泊松分布,参见公式(13)(空心圆)。
自主感 (SoA) 是主观意识对控制自己行为的体验。人类天生倾向于生成环境预测模型,并根据环境变化调整模型。SoA 与预测模型的适应程度有关,例如,适应不足会导致可预测性低,并降低环境的 SoA。因此,确定与 SoA 相关的预测模型适应过程背后的机制对于理解 SoA 的生成过程至关重要。在当前研究的前半部分,我们构建了一个数学模型,其中 SoA 表示环境预测模型中给定观察值(感官反馈)的似然值,并且预测模型根据似然值进行更新。从我们的数学模型中,我们从理论上得出了一个可检验的假设,即预测模型根据贝叶斯规则或随机梯度进行更新。在研究的后半部分,我们专注于对这一假设的实验检验。在我们的实验中,人类受试者被反复要求观察计算机屏幕上移动的方块,并在“哔”声后按下按钮。按下按钮导致屏幕上移动的方块突然跳动。经历动作执行(按下按钮)和后续事件(方块跳动)之间的各种随机时间间隔导致受试者的 SoA 程度逐渐变化。通过将上述理论假设与实验结果进行比较,我们得出结论,基于 SoA 的预测模型的更新(适应)规则用贝叶斯更新比随机梯度下降更好地描述。
核酸纳米结构的自组装是由寡核苷酸模块通过互补序列之间的碱基配对选择性结合所驱动的。本文,我们报告了在腺苷配体控制下有条件组装的 RNA-DNA 混合纳米形状的开发。纳米形状的设计概念依赖于 DNA 适体的配体依赖性稳定,DNA 适体充当边缘稳定的 RNA 角模块之间的连接器。配体依赖性 RNA-DNA 纳米形状通过将腺苷结合与圆形闭合结构的形成相结合,在全有或全无的过程中进行自组装,这些结构通过在所得多边形中的连续碱基堆叠来稳定。通过筛选各种 DNA 适体构建体与 RNA 角模块的组合以形成稳定的复合物,我们确定了腺苷依赖性纳米方块,其形状通过原子力显微镜确认。作为传感器应用的概念验证,通过 DNA 适体成分的染料结合获得了对腺苷有响应的 FRET 活性纳米方块。
在本节中,我们将探索量子版井字游戏背后的数学原理,该游戏将伴随游戏的主要组成部分:量子电路,双方玩家都需要通过量子电路进行交互。然而,考虑到游戏规则刻意保持简单,本文这一部分的目的是向玩家提供一种草图,说明随着游戏的进行,方块内的状态如何演变。因此,我们不会让玩家完全不知道游戏板背后隐藏的所有量子力学,而是鼓励玩家探索这些量子门的后果;通过这种方式,他们甚至可以在每一步之后制定不断变化的策略,以赢得游戏。[2] 首先,我们将介绍游戏过程中量子电路中将使用的门。然后,我们将介绍游戏板的初始配置,其中每个方块包含 X 和 O 的叠加态。最后,为了展示门与瓷砖内的叠加状态的相互作用(按照合法的移动),我们将展示一步一步的假设游戏玩法,其中将显示两个版本的游戏板:一个是“经典”游戏板,它将显示每次移动后 X 和 O 的位置,另一个是“量子”游戏板,其中包含有关所使用的门和每个瓷砖中存在的状态的所有信息。
图 2. p(g2T-TT) 和 pgBTTT 聚合物的截面突出显示 S--O 相互作用(黑色虚线 OHDGLQJ WR SODQDUL]HG GLKHGUDOV EROG UHG ZLWK ș -180°),以及在没有 S--O 的情况下具有扭曲二面角的截面(WHUDFWLRQV EROG EODFN ZLWK ș -156°)。红色虚线方块突出显示 pgBTTT 和 p(g2T-77 *HRPHWULHV ZHUH RSWLPL]HG XVLQJ Ȧ% ;' - * ZKHUH Ȧ Bohr -1
AI 表示人工智能。在面板 A 中,每个点和方块代表单个人在接受标准护理诊断或 AI 辅助筛查后产生的终生费用(巴西雷亚尔,R$)。在面板 B 中,根据研究假设,AI 在支付意愿较低的情况下更有可能降低成本效益,尽管这种确定性对额外质量调整生命年 (QALY) 的支付意愿 (WTP) 很敏感。
图 2. 所提出的光控编码元件的设计和特性。a) 元原子编码元件的详细结构,在 SiO 2 基板上构建了 1 μm 厚的金方块和 1 μm 厚的 GeTe 方块图案。b) 编码元件两种状态的示意图:状态“0”表示 GeTe 的非晶态(绝缘态),状态“1”表示 GeTe 的晶体(导电)态。c) 和 d) 两种状态下编码元件的相应反射特性(c 幅度和 d 相位)。e) GeTe 层表面电阻随温度的变化(双探针测量),显示两种状态下的电特性相差六个数量级以上,并且冷却至室温时晶体状态具有非挥发性行为。 f) 有限元模拟 GeTe 层在具有不同能量密度的 35 纳秒长单脉冲紫外激光照射下的温度上升情况:单脉冲的通量为 90 mJ/cm 2,将使最初为非晶态的 GeTe 的温度升至其结晶温度 ( TC ) 以上,而随后的 190 mJ/cm 2 激光脉冲将使 GeTe 的温度升至其局部熔化温度 TM 以上,并将材料熔化淬火回非晶态。下图是拟议的 1 比特元原子的配置和示意图
图 2. (a) 热丝 CVD 装置中的 CVD 工艺示意图。(b) 石墨烯生长后的铜箔光学显微照片,显示三个晶粒 G1、G2 和 G3。(c) 铜箔上 HF-CVD 石墨烯的典型拉曼光谱。(d) 2D 谱带强度的拉曼图和 (e) (b) 红色方块所包围区域的 2D 和 G 谱带强度比。[图片改编自 Ref. 27]
图 4:使用多个不同活性空间(参见计算细节)的 ( 1 n O π ∗ / 1 ππ ∗ ) CI 的 P 和 B 参数,a) 胞嘧啶、b) 尿嘧啶和 c) 胸腺嘧啶。每个子面板中最大的 (14,10) 参考活性空间在图中标出,其相关符号在中心标有黑点。所有优化圆锥交叉点的叠加几何图形以插图形式提供,其中具有“边界”分类的结构(在图中用方块标记)以不同的颜色突出显示。