传感器或电源的长线通常连接到工业电子设备的输入或输出。工业电子系统损坏的最常见原因是过电压,它是由设备本身的开关动作或雷电等大气放电引起的。交流电容器主要用于工频应用(50/60Hz),以抑制开关瞬变和射频干扰 (R.F.I)。这些应用可分为两种类型的电容器。X 电容器,其中雷电或开关瞬变导致的电容器击穿不会导致触电危险,Y 电容器用于电容器击穿可能导致危险情况的应用。
软错误: 中子单粒子翻转 (NSEU) 单粒子瞬变 (SET) 单粒子翻转 (SEU) 单粒子功能中断 (SEFI)
本文研究了三重模块冗余 (TMR) 实现对系统可靠性的影响。为此,对具有 RISC-V 架构的微处理器进行了模拟,分别采用了 TMR 实现和未采用 TMR 实现。在模拟中,注入了单事件瞬变 (SET) 和多事件瞬变 (MET)。此外,还模拟了采用 TMR 实现的晶体管故障。TMR 应用于处理器的 Multi/Div 块,故障将注入这些三重块的输入端。将使用注入故障数与传播故障数之比来比较采用和未采用 TMR 的系统的性能。当系统仅注入 SET 时,不采用 TMR 的系统的比例从 0.058 到 0.389,具体取决于发生 SET 的概率,而采用 TMR 的系统则根本不传播任何故障。如果注入 MET,则不带 TMR 的系统性能会更好,比率在 0.069 和 0.291 之间,而带 TMR 的系统比率在 0 和 0.036 之间。TMR 实施可显著降低错误传播的概率,但如果多事件瞬变击中多条类似的线路,它仍可能失败。为了解决这个问题,应该实施其他形式的冗余。
电源单元的输入来自交流电网,范围为 85 V AC ~ 265 V AC。保险丝 F1 直接连接到输入线,以保护系统,防止因任何故障而导致过大电流进入系统电路。接下来是压敏电阻 VAR1,它连接在输入端,用于在线路浪涌瞬变期间吸收过多的能量。桥式整流器 BR1 将交流输入整流为直流电压,由大电容 C1 和 C2 滤波。电阻 NTC1 不仅可以降低启动时的浪涌电流,还可以帮助降低线路浪涌瞬变期间大电容 C1 和 C2 上的电压升高。电感器 L1 和电容器 C1 和 C2 形成 π 滤波器以衰减 EMI 噪声。
在处理RS-485系统中的激发瞬变时,大多数设计人员都必须使用某种类型的保护电路,无论是离散的(最常见)还是集成在收发器本身中。此保护电路对于在系统设计中添加一层鲁棒性至关重要,以在严格的工作条件和/或高压瞬变中生存。保护不仅需要能够将大量电流朝向系统地面,而且还需要在收发器的绝对最高和最低等级内保持电压水平。rs-485设备与电涌保护的设备,例如Ti的新型高架电压电压电压保护的THVD24X9X家族或经典涌现的THVD14X9家族提供的新型THVD2419和THVD2429,为实施激增的RS-485提供了多个更简单的解决方案。
虽然对海洋二氧化碳去除(MCDR)的研究扩大了速度,但对单个MCDR选项的风险和好处的重要未知数仍然存在。本文分析了对MCDR的专家理解的假设和期望,重点是对这一新兴气候行动领域负责任治理的核心问题。利用了与参与MCDR研究项目的专家进行学术和企业家精神的访谈,我们重点介绍了四个主题紧张关系,这些主题紧张局势使他们的思维定向,但在科学和技术评估中通常是未陈述或隐含的:(1)“自然性”作为MCDR方法评估的标准的相关性; (2)通过循证建设的替代范式来加速研发活动的需要; (3)MCDR作为一种废物管理形式的框架,反过来又将产生新的(目前知之甚少)的环境污染物形式; (4)对包容性治理的承诺,在确定MCDR干预措施中的特定利益相关者或选民方面的困难。尽管对这四个问题的专家共识不太可能,但我们建议确保考虑这些主题的方法丰富有关新型MCDR能力的负责发展的辩论。
摘要 强太赫兹 (THz) 电场和磁瞬变开辟了科学和应用的新视野。我们回顾了实现具有极端场强的亚周期 THz 脉冲最有希望的方法。在双色中红外和远红外超短激光脉冲的非线性传播过程中,会产生长而粗的等离子体串,其中强光电流会导致强烈的 THz 瞬变。相应的 THz 电场和磁场强度分别可能达到千兆伏每厘米和千特斯拉的水平。这些 THz 场的强度使极端非线性光学和相对论物理学成为可能。我们从光物质与中红外和远红外超短激光脉冲相互作用的微观物理过程、这些激光场非线性传播的理论和数值进展以及迄今为止最重要的实验演示开始,进行了全面的回顾。
– 如何确保电网形成转换器之间的 N-1? – 需要什么样的控制来保持稳定性以应对更快的瞬变? – 需要新的模拟工具(基于 RMS 的工具,例如标准 Powerfactory 或 PSS/E,不足以捕捉稳定性)
摘要 - IGBT在各种电力电子应用中扮演至关重要的角色,要求长时间的可靠性。了解其故障机制对于制造商和工程师至关重要。这项研究通过将IGBT降解(尤其是死亡氧化物污染和栅极氧化物污染)与进行的电磁(EM)扰动相关联,以解决差距。使用功率循环系统在600V,16A IGBT上进行加速衰老,揭示了静态和动态参数的显着变化。切换瞬变显示出归因于经验丰富的降解的转弯速度放缓。实验设置证明了降解,切换瞬变(尤其是收集器电流(I C)关闭)之间的直接联系,并减少了执行的EM扰动。关键字 - IGBT,模具降解,闸门氧化降解,加速衰老,IGBTS的信号光谱分析,进行了EM发射。
摘要 热管理是现代电子、航空电子、汽车和储能系统中面临的重要挑战。虽然通常使用被动热解决方案(如散热器或散热器),但主动调节热流(例如通过热开关或二极管)将提供对热瞬变管理和系统可靠性的额外控制程度。本文我们报告了第一个基于柔性、可折叠石墨烯膜的热开关,其工作电压低(约 2 V),热开关比高达约 1.3。我们还采用主动模式扫描热显微镜来实时测量设备行为和开关。针对基于双夹悬浮膜的热开关的一般情况,开发了一个紧凑的分析热模型,突出了热设计和电气设计挑战。系统级建模展示了调节温度波动和平均温度作为开关比的函数之间的热权衡。这些基于石墨烯的热开关为在密集集成系统中主动控制快速(甚至纳秒)热瞬变提供了新的机会。