摘要 - IGBT在各种电力电子应用中扮演至关重要的角色,要求长时间的可靠性。了解其故障机制对于制造商和工程师至关重要。这项研究通过将IGBT降解(尤其是死亡氧化物污染和栅极氧化物污染)与进行的电磁(EM)扰动相关联,以解决差距。使用功率循环系统在600V,16A IGBT上进行加速衰老,揭示了静态和动态参数的显着变化。切换瞬变显示出归因于经验丰富的降解的转弯速度放缓。实验设置证明了降解,切换瞬变(尤其是收集器电流(I C)关闭)之间的直接联系,并减少了执行的EM扰动。关键字 - IGBT,模具降解,闸门氧化降解,加速衰老,IGBTS的信号光谱分析,进行了EM发射。
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