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侧向双极PNP晶体管的设计和制造...
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂（例如砷）。该植入物被称为埋藏层，因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域，它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂（如磷）扩散到碱基中时，发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
基于C–Pd层场效应晶体管的氢传感器
ISFET（离子敏感场效应晶体管）微传感器广泛用于 pH 值测量以及分析和生物医学应用。同时，ISFET 是测试各种材料在敏感膜中的应用的良好候选者。例如，含有 Pd 纳米晶体 (C-Pd) 的氢敏感碳质薄膜使这种材料非常适合传感器应用。选择了一种经济高效的硅技术来制造 n 沟道晶体管。将这些结构耦合到专门设计的双面 PCB（印刷电路板）支架上。支架使该结构能够组装为自动支架的一部分。MIS 结构生产的最后一步是沉积 C-Pd 层。C-Pd 薄膜采用物理气相沉积 (PVD) 法制造，其中蒸发了 C60 和醋酸钯。在具有 C-Pd 薄膜的结构与氢相互作用期间测量了它们的电阻。最后，展示并描述了一种新型高灵敏度场效应晶体管（FET）氢传感器，该传感器带有碳-钯层。关键词：场效应晶体管，碳-钯层，氢传感器，场效应晶体管。
电化学可切换单层 MoS2 晶体管的分子方法
分子方法实现电化学可切换单层 MoS 2 晶体管 Yuda Zhao、Simone Bertolazzi、Maria Serena Maglione、Concepció Rovira、Marta Mas- Torrent、Paolo Samorì* Yuda Zhao 博士、Simone Bertolazzi 博士、Paolo Samorì 教授 斯特拉斯堡大学，CNRS，ISIS UMR 7006，8 allée Gaspard Monge，F-67000 Strasbourg，法国 电子邮件：samori@unistra.fr Maria Serena Maglione 博士、Concepció Rovira 教授、Marta Mas-Torrent 教授 巴塞罗那材料科学研究所 (ICMAB-CSIC) 和生物工程生物材料与纳米医学网络研究中心 (CIBER-BBN)，UAB 校园，08193 Bellaterra，西班牙 关键词：2D 半导体、分子开关、电化学可切换晶体管，功能器件，亚阈值摆幅
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。
基于亚微米级 MOS 晶体管的模拟开关...
本文首先对开关配置中的 MOS 器件进行了深入研究。然后分析了改进的开关架构，以便更好地将它们集成到复杂的应用中 [4-8]。强调了使用串行接口进行数字控制的模拟开关的优势。具体来说，我们专注于由数字控制块启用或禁用的多通道开关的设计。展示了为实现而设计的内部结构、主要电气参数和布局。这些架构的验证是通过数字和晶体管级模拟、静态时间分析和噪声研究完成的。我们将在一个 8 通道系统上介绍当前的结果，该系统的工作频率从 2.5 MHz [6] 增加到 55 MHz 时钟信号，与逻辑电平的偏差很小 [7]。
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
氧化镓垂直晶体管的高级TCAD仿真与校准
本文通过将模拟设置校准到垂直无结多栅极晶体管实验数据，介绍了先进的 β -Ga 2 O 3 TCAD 模拟参数和方法。通过仔细校准，确定了几个重要的 β -Ga 2 O 3 器件物理特性。研究了补偿掺杂和掺杂剂不完全电离的影响。使用了可以捕捉温度效应的电子飞利浦统一载流子迁移率 (PhuMob) 模型。我们还表明，界面陷阱可能对非理想亚阈值斜率 (SS) 不起作用，短沟道效应是 SS 退化的主要原因。我们还讨论了无结 Ga 2 O 3 晶体管的击穿机制，并表明其受到关断状态下沟道穿通的限制。校准后的模型与实验的电容-电压 (CV) 和电流-电压 (IV) 很好地匹配，可用于预测新型 β -Ga 2 O 3 器件的电性能。 © 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ab7673]
用于高性能有机场效应晶体管的液晶状活性层
摘要 高载流子迁移率和均匀的器件性能对于有机场效应晶体管 (OFET) 的器件和集成电路应用至关重要。然而，仍然需要实现高器件性能且批次间差异较小的策略。本文，我们报告了一种在 N，N'-双十三烷基苝-3，4，9，10-四羧酸二酰亚胺 (PTCDI-C 13 ) 模板上生长的 2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅基乙炔基)蒽二噻吩 (dif-TES-ADT) 薄液晶膜，并通过原子力显微镜和偏振荧光显微镜进行了确认。具有大结晶域的液晶膜可进一步用作 OFET 的载流子传输通道。结果，我们实现了高性能 OFET，饱和载流子迁移率为 1.62 ± 0.26 cm 2 V −1 s −1