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ESE 273 微电子电路 2025 年春季 1. 课程...
这是第一门向学生介绍非线性器件基础知识和 IC 放大器设计的集成电路课程。本课程首先介绍二极管的器件物理、操作和建模。然后介绍 MOS 晶体管的操作、大信号晶体管电流作为不同操作区域中端电压的函数的推导，以及小信号模型。探讨单级放大器结构，并介绍电流源和电流镜的实现。介绍了共源放大器的频率响应。介绍了多级放大和差分对的概念。介绍了双极晶体管的操作和建模，以及共发射极放大器。介绍了 MOS 和 BJT 晶体管的比较以及共源和共发射极的性能。
使用玻璃上的有机 P 型薄膜晶体管的 3.3 V 6 位 100 kS/s 电流控制数模转换器
I. 引言基于有机薄膜晶体管（OTFT）的集成电路最近显示出向更高集成度和更好性能的快速发展。与无机晶体管相比，OTFT 因其成本低、温度低、可快速制造，尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而备受期待 [1]。因此，OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用，例如电子纸和平板显示器 [2]。此外，最近的 OTFT 的低压操作能力为集成结合大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3]，也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备，例如射频识别（RFID）标签 [4]。最后，由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用，OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
采用玻璃上有机 P 型薄膜晶体管的 3.3 V 6 位 100 kS/s 电流控制数模转换器
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头，向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比，OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快，尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此，OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用，如电子纸和平板显示器 [2]。此外，近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3]，也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备，如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后，由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用，OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
采用玻璃上有机 P 型薄膜晶体管的 3.3 V 6 位 100 kS/s 电流控制数模转换器
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头，向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比，OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快，尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此，OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用，如电子纸和平板显示器 [2]。此外，近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3]，也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备，如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后，由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用，OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
采用玻璃上有机 P 型薄膜晶体管的 3.3 V 6 位 100 kS/s 电流控制数模转换器
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头，向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比，OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快，尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此，OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用，如电子纸和平板显示器 [2]。此外，近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3]，也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备，如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后，由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用，OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
负电容铁电场效应晶体管
将铁电负电容 (NC) 集成到场效应晶体管 (FET) 中有望突破被称为玻尔兹曼暴政的功耗基本限制。然而，在非瞬态非滞后状态下实现稳定的静态负电容仍然是一项艰巨的任务。问题源于缺乏对如何利用由于域状态出现而产生的 NC 的根本起源来实现 NC FET 的理解。在这里，我们提出了一种基于铁电域的场效应晶体管的巧妙设计，具有稳定的可逆静态负电容。使用铁电电容器的电介质涂层可以实现负电容的可调性，从而极大地提高了场效应晶体管的性能。
ece-uy-3114，固态电子设备和电路i
本课程是本科固态电子序列ECE-UY-3114-3124的第一部分。ece-uy-3114是所有EE/Compe学生所需的课程，而Ece-uy-3124是选修课。ece-uy-3114将基于Circuits Ece-Uy-2004类中涵盖的基本电路理论。它将首先使用称为操作放大器（OP-AMP）的理想放大器块对电子电路进行分析和应用。此类微电体放大器的内部电路使用不同种类的半导体组件，称为二极管和晶体管。我们将讨论二极管和晶体管的基本物理操作，然后对采用此类半导体组件的实用电子电路进行分析和设计。晶体管。使用二极管和晶体管的实用电路的示例包括AC到DC转换器，放大器和数字开关门。这样的电子电路是所有现代通信和计算机系统的基础。
考虑准饱和效应的 COOLMOS 晶体管 SPICE 电气模型
电子邮件：1 s.laafar@gmail.com 摘要 本文讨论了 CoolMOS 功率晶体管的宏建模。正在建立一个能够提供准确结果的新型功率 CoolMOS 晶体管宏模型。它基于将 CoolMOS 功率晶体管细分为本征 MOSFET、JFET、齐纳二极管和电压控制电压源。所有这些组件都包含在一个子电路中，以描述功率 CoolMOS 晶体管的饱和和准饱和等效应。本文将在介绍新的子电路模型的同时清楚地解释这些影响以及参数提取过程。通过将所提出的模型在 PSpice 下的仿真结果与制造商提供的数据表结果以及英飞凌科技提供的模型进行比较，验证了所提出的模型的有效性。我们的模型为直流特性的所有工作区域提供了准确的描述。它给出的输出特性平均误差百分比小于 5.5%。