XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System晶圆级键
2.5D/3D 封装和异构集成的技术趋势 Masaya Kawano 新加坡 A*STAR 微电子研究所，kawanom@ime.a-st
除了使用有机基板封装外，为了克服尺寸限制，人们还提出了新的封装技术并将其应用于半导体产品。晶圆级封装 (WLP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 的开发是为了通过采用晶圆工艺而不是基于层压的工艺来进一步缩小封装尺寸。对于亚微米互连，还提出了通过 Si 中介层 (TSI) 进行互连，并用于高密度 2.5D/3D 封装，其中 Cu BEOL 互连可用作再分布层 (RDL)。热压键合 (TCB) 目前用于 2.5D/3D 组装，然而，混合键合将是进一步缩小芯片连接尺寸的关键推动因素，这将在后面讨论。英飞凌于 2006 年提出了一种称为嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 的 FOWLP [1]，该技术于 2009 年转让给 STATS ChipPAC 进行批量生产。台积电开发了另一种类型的 FOWLP，称为
采用面对面晶圆键合技术的三维堆叠高性能商用微处理器的热分析
摘要 — 3D 集成技术在半导体行业得到广泛应用，以抵消二维扩展的局限性和减速。高密度 3D 集成技术（例如间距小于 10 µ m 的面对面晶圆键合）可以实现使用所有 3 个维度设计 SoC 的新方法，例如将微处理器设计折叠到多个 3D 层上。但是，由于功率密度的普遍增加，重叠的热点在这种 3D 堆叠设计中可能是一个挑战。在这项工作中，我们对基于 7nm 工艺技术的先进、高性能、乱序微处理器的签核质量物理设计实现进行了彻底的热模拟研究。微处理器的物理设计被分区并以 2 层 3D 堆叠配置实现，其中逻辑块和内存实例位于不同的层（逻辑位于内存上的 3D）。热仿真模型已校准到采用相同 7nm 工艺技术制造的高性能、基于 CPU 的 2D SoC 芯片的温度测量数据。模拟并比较了不同工作负载条件下不同 3D 配置的热分布。我们发现，在不考虑热影响的情况下以 3D 方式堆叠微处理器设计会导致在最坏情况下的功率指示性工作负载下，最高芯片温度比 2D 芯片高出 12°C。这种温度升高会减少在需要节流之前运行高功率工作负载的时间。但是，逻辑在内存上分区的 3D CPU 实现可以将这种温度升高降低一半，这使得 3D 设计的温度仅比 2D 基线高 6°C。我们得出结论，使用热感知设计分区和改进的冷却技术可以克服与 3D 堆叠相关的热挑战。索引术语 —3D 堆叠、面对面、热
基于深度学习模型的Al-Sn-Al结合强度研究
摘要：Al-Sn-Al晶圆键合是一种新型的半导体制造技术，在器件制造中发挥着重要作用，键合工艺的优化和键合强度的测试一直是关键问题，但仅通过物理实验来研究上述问题存在实验重复性强、成本高、效率低等困难。深度学习算法可以通过训练大量数据快速模拟复杂的物理关联，很好地解决了晶圆键合研究的困难。因此，本文提出利用深度学习模型（2层CNN和50层ResNet）实现不同键合条件下键合强度的自主识别，对比测试集结果表明ResNet模型的准确率为99.17％，优于CNN模型的91.67％。然后利用Canny边缘检测器对识别出的图像进行分析，结果显示晶圆的断裂面形貌为孔状结构，且晶圆表面孔移动面积越小，键合强度越高。此外，还验证了键合时间和键合温度对键合强度的影响，结果表明相对较短的键合时间和较低的键合温度可获得更好的晶圆键合强度。本研究展示了利用深度学习加速晶圆键合强度识别和工艺条件优化的潜力。
200 mm工艺晶圆载体
我们的模块化构造PFA工艺增强晶圆载体和传统模制PFA工艺晶圆载体是为200 mM Fabs的湿化学加工应用而设计的。开放式流动器允许解决方案均匀，快速地通过。它们也由耐化学的PFA材料构成，因此您的过程仍未受到污染。
太阳能电池应用的半导体晶圆粘结
有效地需要用能量转换器覆盖较大的表面。这是太阳能电池，也称为光伏的地方。光伏设备，首先是由法国科学家Henri Becquerel于1839年发现的，它通过产生电子对 - 在光伏材料中的孔对直接转化为电子。这些对创建了电流流，该电流遵循材料的内置势坡。太阳能电池已成为重要的替代电源，尤其是自1970年代的石油座舱以来。此外，太阳能电池是一种有希望的无碳能源，可以帮助减轻全球变暖。实现高效率太阳能转化对于使太阳能成为满足世界能源需求的可行选择至关重要。太阳能电池的能量转化效率是指电池产生的电力与电池每单位时间接收到的入射阳光能量的比率。
两天的混合键合研讨会
混合键合是一种用于堆叠两个结构的技术，例如芯片，晶圆和底物，每个结构都由金属和周围的介电材料组成。在混合键合过程之后，金属互相键合，并且介电材料也无缝连接。混合键合被认为是3D IC整合中的最终技术之一。但是，在混合键合的出现之前，首先引入了Cu-to-Cu键合，以实现3D IC集成的概念。在1999年至2002年之间，REIF在麻省理工学院的小组提出了一种晶圆级3D集成方案，其中包括使用处理晶片（Si Carrier晶片），研磨技术和Cu-to-to-Cu直接键合，如图1 [1]所示。要键合的Cu结构由Cu垫组成，类似于当今使用的Cu凸起和CU支柱。
晶圆上的激光退火 - Webthesis - 都灵理工学院
4.3.2 重叠................................................................................................ 30
最高厚度照片的研究抗Cu的cu后粉状晶圆级包装
ph： +82-041-925-1389电子邮件：yuseon.heo@samsung.com摘要移动设备有限的热预算几乎不允许全速使用高性能应用程序（AP）。但是，由于人工智能技术已迅速应用于移动设备，因此高速和大容量信号处理等需求正在不断增加。因此，控制AP芯片的热量生成成为关键因素，并且有必要开发基于重分配层（RDL）的风扇外套件（FOPKG）结构，该结构不会增加包装的厚度，同时最大程度地提高耗散量的厚度。CU柱的高度在产生可能施加厚的Fopkg的高度正在越来越高，并且在这项研究中，开发了世界上最厚的光孔材料（> 350UM厚度），以生产Cu Post（> 300UM厚度）。研究了光震鼠的光透射率的影响以及根据主聚合物的分子结构的溶解度的影响，以进行厚光构师的光刻过程。基于对这种厚的光质危行为的理解，开发了最佳的液体类型的光蛋白天抗事组成。通过光刻评估基于厚的光片特性，通过实施和CU电镀板进行深孔，以在AP产品设计施加的晶片中获得CPK 1.27的产率。关键字风扇外包装，厚度厚度光抗光毒师，Cu Post取决于对厚光构师的深入理解和实验，可以建立高级研究基础，以增加光孔厚度和更精细的CU后俯仰，以确保散热特征并提高建筑的自由度。
