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后减薄是半导体制造中器件制造和先进封装的关键部分。当由于处理困难导致最终晶圆厚度变得非常薄（比如 <100µm）时，载体支撑晶圆减薄就具有吸引力。减薄后处理（沉积、化学机械抛光 [CMP]、键合等）也受益于刚性和热机械稳定的支撑结构。为了实现最终晶圆的非常低的总厚度变化 (TTV)，载体晶圆和临时键合材料（通常是粘合剂层）都必须提供足够低的 TTV。载体晶圆还必须具有合适的热膨胀系数 (CTE)。在本文中，我们介绍了一种玻璃载体解决方案和临时键合方法，它们结合起来可实现低 TTV 晶圆减薄。使用直径 150mm 的单晶钽酸锂晶圆进行可行性演示，仅通过晶圆研磨即可减薄 5µm。
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