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World File Search System厚度变化
硅在硅石材复合电极中的作用在特定能力，循环稳定性和膨胀方面的作用
补偿硅离子电池中阳极活性材料的重复体积膨胀和收缩的一种有希望的方法是将硅嵌入石墨基质中。硅石材（SIG）复合材料结合了石墨的优势性能，即大型电导率和高结构稳定性，以及硅的优势性能，即高理论能力。石墨在静电片（≈10％）时的体积膨胀要比纯硅（≈300％）低得多，并且提供了机械稳定的矩阵。在此，我们提出了对多孔SIG阳极组成的电化学性能和厚度变化行为的研究，其硅含量范围从0 wt％到20 wt％。使用两种方法研究了电极复合材料：原位扩张法，以进行厚度变化研究和常规硬币细胞，以评估电化学性能。测量结果表明，SIG电极的初始厚度变化随硅含量显着增加，但在所有组合物的循环过程中均升高。硅含量与容量损失之间似乎存在相关性，但是厚度变化与容量损耗率之间没有明显的相关性。©2022作者。由IOP Publishing Limited代表电化学学会出版。这是根据Creative Commons Attribution 4.0许可（CC by，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/）分发的开放式访问文章，如果原始工作适当地引用了原始作品，则可以在任何媒介中不受限制地重复使用工作。[doi：10.1149/1945-7111/ac4545]
放射科创伤病例 CT 扫描脑部检查中切片厚度变化导致图像质量差异分析
提交日期：2024 年 5 月 4 日 修订日期：2024 年 6 月 11 日 接受日期：2024 年 7 月 3 日 发布日期：2024 年 7 月 3 日 摘要 在 RSI Siti Rahmah Padang 的放射科设施中，对创伤病例 CT 扫描脑部检查中切片厚度变化对图像质量的差异进行了分析研究。本研究旨在确定创伤病例 CT 扫描脑部检查中 3 毫米、5 毫米和 7 毫米不同切片厚度的图像质量差异，以及在创伤病例的 CT 扫描脑部检查中，哪种切片厚度能够产生最佳图像质量以确立诊断。本研究于 2022 年 1 月至 2022 年 6 月进行，采用定量研究和实验方法，采用目的抽样技术，并使用加权平均分数公式和 SPSS Friedman 方法处理分发给受访者的问卷数据。根据加权平均得分公式，切片厚度变化3 mm、5 mm和7 mm的最高均值为3 mm的切片厚度，均值为3.64，对比度分辨率均值为3.67，噪声为3.49，创伤病例CT脑部检查骨窗结果平均为t3.74。根据Friedman方法的SPSS结果发现，创伤病例CT脑部检查中3 mm、5 mm和7 mm切片厚度变化的结果存在显著差异（p值<0.05），这表明Hₒ被拒绝而Hₐ被接受。CT脑部检查中显示创伤的良好切片厚度变化是骨窗中3 mm的切片厚度，因为如果有非常小的骨折，可以更清楚地看到。关键词：脑 CT 扫描，创伤，切片厚度，对比度分辨率背景
卫星高度计和FIRN模型如何解决...
摘要。与表面质量平衡相关的南极冰盖（AIS）的高度变化在时空和时间上的过程差异很大。它们的次要自然变异能力很大，并阻碍了长期趋势的检测。FIRN模型或卫星高度测定观测值通常用于研究此类厚度的变化。但是，在文件模型之间存在很大的传播。此外，他们不能完全解释观察到的厚度变化，尤其是在较小的空间尺度上。和解的厚度变化将促进卫星高度测定的长期趋势的检测；解决此类趋势的空间模式的解决方案；因此，它们归因于基本机制。这项研究有两个目标。首先，我们以10 km的网格量表进行了年度的南极厚度变化。第二，我们表征了Altime-try产品和FIRN模型中的错误。为了实现这一目标，我们共同肛门卫星高度测定和固定建模会导致时间和空间。我们使用这些变量的固定厚度变化和卫星观察幅度的变化，以生成1992 - 2017年AIS的合并产品（“调整后的固定厚度变化”）。组合产品比单独使用的文件模型或单独的高度测定法更好地表征了空间分辨的变化。与仅使用模型的溶液相比，与仅高度计的溶液相比，它提供了更高的分辨率和更精确的变化空间分布。调整后厚度变化的盆地均值时间序列中的相对不确定性范围为20％至108％。在网格细胞水平上，相对不确定性较高，每个盆地的中位数为54％至186％。
透明底物上光学涂层的光谱椭圆法分析
以下方法适用于确定光学功能。透明区域中的数据（1400-3000 cm -1）用于确定厚度的近似值。使用此厚度，对整个数据集（包括多个AOIS，未显示）进行了逐波长顺序分析，以确定每个波长在每个波长的光函数的数字值列表。然后使用这些近似光学函数来生成一个振荡器方程以表示光功能。最后，分散方程的振荡器参数以及膜厚度变化以获得最终的光学函数和最终厚度。图12显示了以这种方式确定该材料的光学功能。在最终分析中，使用高级方法（本文的范围）来完善光学常数值。
纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说，当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时，需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜，并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化，因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。
基于多孔电极理论的锂离子电池的电化学机械变形的快速模拟
锂离子电池在循环过程中改变其几何尺寸，这是一系列显微镜机制的宏观结果，包括但不限于扩散诱导的膨胀/收缩/收缩，气体进化，固体电解质相间相间相位相和颗粒的裂纹。通过数学模型预测非线性维度变化对于电池的终身预测，健康管理和非破坏性评估至关重要。在这项研究中，我们提出了一种将粉末材料弹性模型实施到多孔电极理论（PET）中的方法。通过将总体变形分解为弹性，塑料和扩散引起的部分，并使用粉末可塑性模型来描述塑料部分，该模型可以捕获由液体（DE-）插入引起的可逆厚度变化，以及由于重新安排和颗粒的稳定而导致的不可逆厚度变化。对于预测电池健康和安全性的现实世界应用，关键在于迅速解决数学方程。在这里，我们将耦合模型实施到开源软件PETLION中，以进行毫秒尺度模拟。使用从文献中收集的值，在不同条件下测试的值，与现实世界观测值相比，对计算模型进行参数化，并定性分析以发现参数输出关系。©2024作者。由IOP Publishing Limited代表电化学学会出版。[doi：10.1149/1945-7111/ad4f1e]这是根据Creative Commons Attribution 4.0许可（CC by，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/）分发的开放式访问文章，如果原始工作适当地引用了原始作品，则可以在任何媒介中不受限制地重复使用工作。
碳纤维复合材料飞机部件超声波检查的自动缺陷检测
开发了基于商业软件 Ultis ® 的自动化任务序列，结合新的预处理和后处理工具，以实现对从大型复杂 CFRP 组件获得的超声波数据的全自动分析。在包含各种人工缺陷的参考面板上，结果 90/95 为 6.8 毫米。新工具包括 C 扫描投影优化器，可最大限度地减少 3D 到 2D 转换期间的缺陷变形，一种有效的分割方法，可解决具有挑战性的特征（共固化纵梁、层脱落、多种厚度变化），以及一种能够自动从 A 扫描集合中提取指示的新型缺陷检测算法。结果表明，该方法满足检测要求，同时显著缩短了分析时间。
通过差分相对比茎的时间反转操作驱散纳米级电场和磁场
差异相对比对比（DPC）扫描透射电子显微镜（STEM）最近引起了显着的兴趣，可以在高空间分辨率下绘制静电和磁场的映射。然而，由于其对静电和磁场的同时敏感性，磁性样品上DPC测量的解释并不直接。在这项工作中，我们证明了对洛伦兹力的两个贡献可以通过电子束的时间反转操作分离。在实践中，通过重复将样品升至180后，可以通过重复DPC-STEM测量来轻松实现这种情况。两种贡献的分离允许区分静电电势的影响，例如，具有均匀成分的样品中的厚度变化与实际磁信号。这种方法与DPC-stem或更普遍地通过4D词干对磁纳米结构的研究特别相关。
颜色作为明场显微镜的标准化变量
必须考虑成像过程的每个步骤：图像捕获、处理和显示。显微照片中的颜色变化通常是由于标本厚度变化、染色差异、图像采集系统变化以及后期图像处理和显示造成的 [4]。尽管可能会非常注意将切片和染色样品产生的伪影降到最低，但通常很少考虑在图像采集和显示过程中对颜色信息的管理。让病理学家就标准化色彩管理系统达成一致的尝试失败了，部分原因是他们对染色的理想颜色存在分歧 [3]。病理学家和显微镜专家使用标准化方案来固定和染色组织，以确保始终如一地生产出用于光学显微镜的高质量组织切片。多个团体认为有必要对显微镜数据收集的成像方面进行标准化 [5-8]。
采用 SI 和 GE 模板的无切口晶圆方法，用于 SI、GE 和 III-V 外延
摘要：我们致力于将 CZ 晶片转移到具有多孔分离层的可重复使用衬底上的外延生长 Si 和 Ge 晶片（“无切口晶片”），以减少材料和能源消耗。我们报告了将无切口晶片方法应用于 Si 和 Ge 晶片的进展。对于 Si，多年来，我们在自制的 CVD 反应器（“RTCVD”）中开发模板和外延生长晶片（SiEpiWafers），现在使用新的微电子 CVD 反应器（“PEpi”）将它们的质量提升到一个新的水平，这使我们能够生长具有可调厚度和掺杂水平（n 型和 p 型）的 6 英寸和 156x156 mm²（M0）外延 Si 晶片。在第一次测试运行中，我们实现了高达 840 µs 的生长寿命和约 10% 的总厚度变化。对于 Ge，我们成功开发并理解了多孔层堆栈，从而获得了 4 英寸可拆卸 Ge 模板，用于未来的 Ge 或 III-V 外延生长。