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新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说,当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时,需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜,并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化,因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。

纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...

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