XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System晶圆级键
IHP 的晶圆上测量服务
莱布尼茨 IHP 莱布尼茨高性能微电子研究所 Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 地址 Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) 网站：www.ihp-microelectronics.com 联系人 Dr. René Scholz（MPW 和服务）电子邮件：scholz@ihp-microelectronics.com 电话：+49 335 5625 647 传真：+49 335 5625 327
关注晶圆故障检测和预测
1计算机科学与工程，1海得拉巴技术与管理学院，印度海得拉巴。 摘要：晶圆，薄的半导体切片对于微电子设备至关重要，尤其是在综合电路（ICS）中，在各种行业（例如计算，太阳能电池和光学）中起着基本作用。 我们创建了一种使用Python，Flask和Pycharm的机器学习模型，以及随机的森林和XG增强分类器，以预测需要基于传感器输入来替换Wafers。 晶圆故障检测对于半导体产生至关重要，通过识别非功能晶圆来提高制造产量。 数据集包括晶圆名称和590个传感器值列，最后一列指示“好/坏”状态，以批量进行分析。 两个类别+1和-1分别表示工作条件和更换的需求，从而确保有效识别和预测有故障的晶圆，而不会影响其他资源。 索引项 - 晶圆，集成电路，计算，机器学习模型，故障检测，传感器输入，分类，替换。1计算机科学与工程，1海得拉巴技术与管理学院，印度海得拉巴。摘要：晶圆，薄的半导体切片对于微电子设备至关重要，尤其是在综合电路（ICS）中，在各种行业（例如计算，太阳能电池和光学）中起着基本作用。我们创建了一种使用Python，Flask和Pycharm的机器学习模型，以及随机的森林和XG增强分类器，以预测需要基于传感器输入来替换Wafers。晶圆故障检测对于半导体产生至关重要，通过识别非功能晶圆来提高制造产量。数据集包括晶圆名称和590个传感器值列，最后一列指示“好/坏”状态，以批量进行分析。两个类别+1和-1分别表示工作条件和更换的需求，从而确保有效识别和预测有故障的晶圆，而不会影响其他资源。索引项 - 晶圆，集成电路，计算，机器学习模型，故障检测，传感器输入，分类，替换。
M200 晶圆 SMIF 盒
Entegris ® 、Entegris Rings Design ® 和其他产品名称是 Entegris, Inc. 的商标，如 entegris.com/trademarks 所列。所有第三方产品名称、徽标和公司名称均为其各自所有者的商标或注册商标。使用它们并不表示商标所有者与它们有任何关联、赞助或认可。
边缘的晶圆和芯片级表征
n近年来，使用CMOS兼容的过程制造硅光子IC（SI PIC）已使具有光学和电函数性具有成本效益的硅芯片的开发。1 - 5）这项技术是光子学 - 电力融合的高性能平台，可在各种行业提供有希望的应用。6 - 9）为增强硅光子学的整合和功能密度，已提出异质和杂交整合方法，以将各种材料系统与单个包装中的各种材料系统相结合。10，11）但是，基于PIC的模块的总成本受到测试，组装和包装过程的影响，这可能占常规INP PIC模块的总成本的80％。12，13）仅产品测试可贡献总成本的约29％，14）对于较不发达的硅光子技术技术，该图可能会增加到约60％ - 90％。15）因此，减少测试，组装和包装成本对于降低基于SI PIC模块的整体成本至关重要。先前的研究采用了两种主要策略来降低测试成本：利用增强的测试结构，16）并增强了测试过程的自动化水平。14）在图片中，一种普遍的测试方法涉及信号通过具有不平衡分裂比的定向耦合器（例如99：1）。这种构造允许99％的信号正常通过波导，而1％的信号被击倒到测试分支。21）17）开发信号通常通过表面耦合器耦合到测试设备，从而促进了自动晶圆级测试系统用于原位和筛选测试的利用。18）然而，在组装和包装阶段，表面光栅耦合器（GCS）在带宽，极化和效率方面遇到限制。19）相比之下，利用点尺寸转换器（SSC）的边缘耦合提供了优点，例如带宽的带宽，降低极化敏感性和增强的耦合效率。20）然而，边缘耦合预先挑战，例如与SSC相关的较大足迹，固定的耦合位置，有限的对齐耐受性和耦合方面的严格规范。
使用晶圆射线示踪剂
摘要：功率转换效率（PCE）是评估太阳能电池的输出特性的主要参数。抗反射涂层（ARC）起着抑制太阳能电池表面的光损失的作用，从而增强了PCE。本文研究了晶体硅（C-SI）太阳能电池上双层抗反射涂层（DLARC）的不同材料。使用PV Lighthouse软件的晶圆射线示踪剂完成模拟硅太阳能电池的总体过程方法。检查了具有不同类型的双层的五个光捕获（LT）方案。c-Si的最大电势光电密度（J MAX）用ARC显示出比参考c-Si（无弧）的J max的改善。lt方案II：SIO 2 /TIO 2产生J Max的最大值，其中该值为42.20 mA /cm 2。这表明方案II具有最高的J MAX增强功能，值为10.01％。这一发现意味着DLARC适用于减少光损失，因此有效地提高了太阳能电池的性能。关键字：光伏，太阳能电池，抗反射涂层，光捕获，射线跟踪1。简介
半导体晶圆工艺材料
表1显示了HS-8005系列阵容。为了减少划痕，日立化学化学已经开发了各种具有优化粒径和分布的产品。使用HS-8005-X3，抛光划痕可以减少到HS-8005的1/10或更少。我们建立了生产技术，以精心控制粒度和陶瓷颗粒的分布，以提供稳定的优质产品，并拥有陶瓷泥浆市场的全球最高份额。为了满足进一步减少刮擦的要求，Hitachi Chemical以NC系列形式开发了超细颗粒，以进行下一代浆液。虽然将常规的陶瓷颗粒粉碎以进行微插曲，但NC系列颗粒的大小是通过晶体生长法的泥浆，由于大尺寸颗粒而导致的划痕最小化。图3显示了HS-NC和HS-8005的外观。HS-NC是一种超细，透明的纳米级粒子。
适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
具有多个切割晶圆的六面模塑面板级芯片级封装
摘要 本研究介绍了 6 面模塑面板级芯片级封装 (PLCSP) 的设计、材料、工艺、组装和可靠性。重点介绍了在带有多个器件晶圆的大型临时面板上制造 PLCSP 的 RDL（重新分布层）。由于所有印刷电路板 (PCB) 面板都是矩形，因此一些器件晶圆被切成两块或更多块，以便充分利用面板。因此，产量非常高。由于所有工艺/设备都是 PCB 工艺/设备（不是半导体工艺/设备），因此这是一个非常低成本的工艺。制造 RDL 后，将晶圆从 PCB 面板上剥离。然后进行焊球安装，并从带有 RDL 的原始器件晶圆制造 6 面模塑 PLCSP。介绍了 PLCSP 的跌落测试和结果（包括故障分析）。 6 面模塑 PLCSP PCB 组件的热循环由非线性温度和时间相关有限元模拟执行。关键词 扇入封装、再分布层、6 面模塑面板级芯片级封装、切割晶圆和跌落测试。
用于全自动 PIC 晶圆级测试的光学边缘耦合方法
• 短和长工作距离设计 • 高耦合效率 • 高重复性和稳定性 • 在光栅耦合器锥度处，平面前波与光束近乎准直 • 可以实现超长工作距离 (WD) – 例如高达 >800 μ m • 在 Z 方向（光束传播方向）对垂直方向具有耐受性