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World File Search System晶硅
生命周期清单和光伏系统的生命周期评估
图1：PV电力生产的产品系统，改编自[1]图2：基于硅的供应链，基于硅的光伏电力生产图3：2018年的市场份额在2018年的polysilicon四个世界区域，晶圆生产，结晶硅细胞和模块化，以及安装了晶体硅模块，MW Poweraules，MW/Div>
使用超快激光器的晶体硅的无形化和消融：对脉冲持续时间和辐照波长的依赖性
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变，承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里，审查了有关硅转化的文献，并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应，这是脉冲持续时间的函数（𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm）和激光波长（𝝀 = 258至4000 nm，𝝉 = 200 fs脉冲）。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究（111），非晶化的阈值随持续时间较短而降低，强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究，非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm，其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反，在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si（111）和Si（100）上获得的非晶化厚度的差异，并识别出异常大的宽度范围，以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后，解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。
在无模拟海马避免硅的硅试验中
背景和目的：避免海马 - 整个脑放射疗法（HA-WBRT）可能是一个耗时的过程，与常规的全脑技术相比，因此有可能限制广泛利用。因此，我们通过利用计算机断层扫描（CT）基于计算机的商业自适应放射疗法（ART）平台和工作流程来创建和交付不含患者特定于患者的无模拟HA-WBRT，通过剂量 - 体积指标和时间来评估了In In In In In In In In In inico临床可行性。材料和方法：这项研究包括了十名先前接受过具有锥束计算机断层扫描（CBCT）成像的中枢神经系统癌症治疗的患者。CBCT是模拟第一部分板载成像的自适应图像。在MRI上定义的初始轮廓与CBCT匹配。在线艺术是在第一部分制定治疗计划的。将这些无模拟计划的剂量 - 体积指标与每个患者CT仿真数据集中的标准工作流程HA-WBRT计划进行了比较。记录了自适应计划会话的定时数据。结果：对于所有十名患者，无模拟的HA-WBRT计划通过在线艺术工作流程成功地制定了所有限制。在自适应计划中，海马中位数100％为7.8 Gy（6.6 - 8.8 Gy），而标准工作流计划中的8.1 Gy（7.7 - 8.4 Gy）。由于海马约束（6/10自适应分数）和亚最佳目标覆盖范围（6/10自适应片段），所有计划都需要在第一部分进行自适应。自适应课程的中间时间为45.2分钟（34.0 - 53.8分钟）。结论：通过计划质量指标和时间安排在临床上可行的无模拟Ha-wbrt在临床上是可行的。
晶圆贴片机 - Adwill
双装载机和双卸载机规格 切割胶带在线预切割附件工作台加热器规格 视觉系统（晶圆 ID 阅读器和条形码附件系统） 主机通信功能（通信格式：符合 SECS-I 和 HSMS/软件：符合 GEM） ESD 兼容性
1 A晶界拥抱基因组...
晶粒边界（GB）溶质分离通常与GB的互惠有关，与众所周知的Fe（S），Fe（P）和Fe（Sn）系统1-5有关。但是，许多合金元素并不是一开始或不隔离。溶剂（宿主）和GB隔离的某些组合导致边界增强3,6-10，或提供其他有益的特性，例如热稳定性11-14和改善的机械性能15-17。成功的合金设计越来越多地需要对GB隔离和封闭的细微理解。过去几年在理解该问题的隔离部分方面取得了显着的进展，其中大量数据是针对在多晶环境中GBS中存在的全部原子位置中播种的热力学数量的大量图形，这些数据是在多晶环境中播种的。但是，这个问题的封封部分仍然是许多合金尚未提供自洽数据的大图。最近汇总已发布的数据集的尝试说明了与多种方法生成的数据之间的挑战8,21-23。此外，评估GB互惠效力的方法基于GB平板方法，通常需要大量的计算资源24-26。因此，用于计算合金设计框架27,28的GB隔离和互惠数据有限。
硅光子学
执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中，硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此，它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路，具有非常高的产量和低成本。更准确地说，今天，硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产，这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料，氧化硅是包层，该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用，从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm（分别为 O、C 和 L 波段）为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司（其中大部分是无晶圆厂公司）用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说，他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台（部分为工业平台，部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台）已经建立，这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术（见附录 A1）。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器，符号率范围为 50 至 100 Gbaud，以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能，例如与高级电子设备的集成（单片或混合）、光源的集成（异构或混合）以及面向传感的功能（例如微流体）。大多数平台的运作方式类似于代工厂：任何最终用户都可以访问它们，无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式，其中最终用户可以提交部分掩模版的设计，并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂（数十万欧元/美元），但每芯片成本较低（每芯片约 10 欧元/美元），而 MPW 模式每设计成本更实惠（数十万欧元/美元），但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量（例如 1000 片晶圆）时，芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下，因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时，较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则，并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天，硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库，特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型，其参数基于经过验证的测量数据，并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
基于机器学习的晶圆排序产量预测基于晶圆接受测试数据
Delta Rsquare Delta Rsquare All features (614) 1.75% 0.341 2.63% 0.139 Top 500 features 1.73% 0.354 2.56% 0.129 Top 400 features 1.73% 0.372 2.02% 0.148 Top 300 features 1.71% 0.343 2.22% 0.197 Top 200 features 1.73% 0.393 2.34% 0.22前100个功能1.61％0.405 1.95％0.21 Top 50个功能1.59％0.423 2.00％0.334 TOP 25特征1.62％0.42 2.29％0.372
CMOS 和 SOI 上横向双极测试库的设计和测试指南
并提取了器件参数，以评估和比较 CMOS（互补金属氧化物半导体）测试结构，包括在体硅和 SOI（绝缘体上硅），特别是 SIMOX（通过注入氧气进行分离）晶圆上制造的器件和电路。测试库包括 CMOS-on-SOI 和