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显着增强了跨N掺杂石墨烯的热电性能：密度功能理论研究
已经使用了第一个原理计算与半古典玻尔兹曼理论相结合的第一原理计算研究了间质氮（N）掺杂石墨烯的热电特性。我们发现，与原始石墨烯以及ZT值相比，N掺杂石墨烯的Seebeck Coeffi Cient是3和5.5倍。在室温下，对于原始石墨烯而言，ZT值为0.81，而N-掺杂石墨烯的ZT值分别上升到0.98和1.00，分别为6.25％和50％的氮掺杂。N掺杂石墨烯的Seebeck系数的增加是由于有效质量带的增加所致，因为化学电势升至最小传导带。我们观察到N掺杂的石墨烯在正能范围内表现出最高的ZT值，表明P型特征。我们的发现表明，N型石墨烯具有热电应用的有希望的潜力，并提供了对掺杂石墨烯材料热电特性的基础物理学的见解。
MX 2的电子，光学和光催化特性的应变工程（M = MO，W和X = S，SE）单层
1引言具有分层结构的二维材料，例如石墨烯和过渡金属二分法元素正在发展的技术，并且在计算和电路制造工业中的数字应用1-3。在具有修改功能特性的半导体中将这些材料从笨重到单层的限制。单层材料对研究人员来说是有吸引力的候选人。诸如MOS 2和WS 2之类的大量材料具有间接的带结构，而其单层是直接的，宽4-7。通过应变工程，结构和电气行为可以调整。电子迁移率和有效质量是电子设备的关键工具。散装或2D材料的外观外观在实验中产生很多菌株。这些发现表明了新的物理和化学能力包括电气，光学和磁性8。第一原理计算揭示了大小，形状和声子之间的联系
硫族化物钙钛矿 YScS3 作为潜在的 p 型...
摘要：透明导电材料 (TCM) 已广泛应用于触摸屏、平板显示器和薄膜太阳能电池等光电应用。TCM 的这些应用目前以 n 型掺杂氧化物为主。由于空穴迁移率低或 p 型掺杂瓶颈，高性能 p 型 TCM 仍然缺乏，这阻碍了高效的器件设计和透明电子等新应用。在这里，基于第一性原理计算，我们提出硫族化物钙钛矿 YScS 3 作为一种有前途的 p 型 TCM。根据我们的计算，它的光吸收起始点高于 3 eV，这使得它对可见光透明。它的空穴电导率有效质量为 0.48 m 0 ，是 p 型 TCM 中最小的之一，表明空穴迁移率增强。它可以通过阳离子位点上的 II 族元素掺杂为 p 型，所有这些都会产生浅受体。结合这些特性，YScS 3 有望提高 p 型 TCM 相对于 n 型 TCM 的性能。
腔诱导的偏光型基态的集体行为
空腔量子电动力学为设计和控制光 - 二聚体相互作用提供了理想的平台。在这项工作中，我们研究了谐波陷阱中许多粒子系统中的共同现象，该系统耦合到同型腔腔吸尘器。系统夫妻通过其质量中心和集体极化状态聚集到腔场。腔场介导对成对的长距离相互作用并增强颗粒的有效质量。这导致在物质基态密度中的定位增强，当光和物质在共振上时具有最大值，并以粒子数表现出类似dicke的集体行为。轻度 - 物质相互作用还修改了极化系统的光子性能，因为基态填充了束光子。此外，还表明，磁磁性A 2项对于系统的稳定性是必需的，否则是较高的基态不稳定性。我们证明，通过外部磁场并通过监测Landau-Zener的过渡概率，极化人群的相干转移是可能的。
应用于agxbiyix+3y
银色二碘化物（Ag x Bi y i X + 3y）是一类有希望的材料类，具有光电设备中的吸收剂层的潜力，但是对其性质的理论研究受到其大量位点 - 分层和独特的分层结构的阻碍。在这里，我们演示了基于聚类的总能量的描述，该描述与模拟的退火最小化器配对，可以从10个可能的100个可能的选择中创建Ag x Bi y I X + 3Y的低能原子模型。我们采用第一原理密度功能理论来计算基态结构的带隙，状态密度，有效质量和吸收光谱。与可用的实验结果相比，结构的晶格常数，带隙和光谱。这项工作还提供了对更复杂的AG-BI-BI-I石术学的物理和电子结构的新见解。生成的模型可用于洞悉各种缺陷对这些材料的生长和特性的作用。
基于第一原理计算的单轴菌株的扶手椅抗氨基纳米管的理论研究
摘要：使用Ab始于从头算计算，研究了优化的几何形状，以及钝化边缘扶手椅抗氨基烯纳米纤维（ASBNR）的电子和传输特性。由于量子限制，当宽度分别从5 nm降低到1 nm时，带隙的大小可以从1.2 eV到2.4 eV（间接）调节。这项研究的重点是宽度为5 nm（5-ASBNR）的纳米容器，因为它的制造潜力较高，并且可以接受电子应用的带型带。应用单轴压缩和拉伸菌株会减少5-ASBNR膜的带隙。当引入超过4％以上的拉伸应力时，观察到直接带隙转变的间接转换。此外，当引入高于9％的压缩应变时，可以观察到半金属行为。通过施加压缩（拉伸）应变，孔（电子）有效质量降低，从而增加电荷载体的迁移率。研究表明，可以通过在丝带上施加拉伸或压缩应变来调节基于ASBNR的纳米电子设备的载体迁移率。关键字：2D材料，偶然，纳米式，压缩和拉伸应变，带状结构，状态密度■简介
Guru Nanak Dev Engineering College，Ludhiana
b part-b单元4量子力学：7+3（t）= 11小时的量子力学需求，波颗粒偶性，de-broglie假设，相位速度和群体速度和群体速度，波动功能，物理意义，显着性，归一化，归一化功能，特定和时间依赖时间和时间依赖时间和时间量化的量级和时间量化的量级和量化量级和时间量化的量级和量化功能（能量和量子），能量和量化量和量化量级和量度的量子和量度的量子和量度（量表），量级和量化量级和量化量和量化量和量化量和量化量和量度（能量量），并量化量级和量化量的量子和量度（量表）能量），一维盒中的粒子。量子计算简介（定性思想）单位-5半导体：6+2（t）= 9小时固体，Bloch定理和Bloch功能（仅定义），电子状态的有效质量，Fermi水平，FERMI水平，FERMI水平的位置，固有和超级序列的内在启动和超级启动启动， LED和太阳能电池及其应用。
Mott Metal
莫特金属 - 绝缘体转变代表了凝结物理学中最基本的现象之一。然而，通过量子振荡测量值直接探测Quasiparticle fermi表面和有效质量，可以通过量子振荡测量值对Mott定位的规范Brinkman-Rice图片的基本原则进行实验测试。通过将此技术扩展到高压，我们在清洁，未掺杂的NIS 2中研究了Mott定位的金属状态。我们发现i）在接近莫特定位时，准粒子质量得到了强烈的增强，而费米表面基本上保持不变； ii）准粒子质量紧随其后的差异形式，从理论上预测，将电荷载体放缓作为金属 - 绝缘体过渡的驱动力； iii）这种质量差异被金属 - 绝缘体过渡截断，将莫特临界点放置在相图的绝缘部分内。在清洁金属系统中，NIS 2中Mott临界点在非温度下几乎通过一阶过渡或新颖的出现阶段（例如不稳定的磁性顺序或不稳定的磁性阶段或不易经）的超级磁性中断，在低温下几乎普遍中断了Mott carter的临界点的发现。
弹道式nanoflag josephson连接
高质量的III – V狭窄带隙半导体材料具有强旋转 - 轨道耦合和大地E G-FACTOR为高速电子，旋转型和量子计算的领域的下一代应用提供了一个有希望的平台。抗抗氧化抗抗酮（INSB）提供狭窄的带隙，高载体迁移率和较小的有效质量，因此在这种情况下非常吸引人。实际上，近年来，这种伴侣引起了极大的关注。然而，高质量的杂质二维（2D）INSB层非常困难地意识到，由于所有常见的半导体底物的较大晶格不匹配。另一种途径是独立式单晶2D INSB纳米结构，即所谓的纳米层的生长。在这里，我们证明了基于INSB纳米型ags的弹道约瑟夫森结构设备的制造，其ti/nb接触显示，显示出栅极可触发的接近性诱导的超恒电流，最高50 na，在250 mk和可观的多余电流。这些设备显示了次谐波间隙结构的明确特征，表明连接处的相位交通运输和接口的高透明度。这将INSB纳米型植物视为高级量子技术的多功能且方便的2D平台。
28 THz soliton频率梳子中的连续波泵纤维Fabry-Pérot谐振器
和处理7，范围8，微波光子学9，双弯曲光谱学10和天文学光谱仪校准11。这些孤子作为Lugiato – Lefever方程的局部溶液12,13（LLE）出现，可以在具有高质量因素的谐振器中观察到。CSS的出现依赖于一侧异常的群体色散（GVD）和Kerr非线性之间的双重平衡，以及在另一侧的损耗和能量注入（通常是通过连续波（CW）激光泵）之间的双重平衡。由于它们的高质量因子和紧凑的设计（数百微米的空腔长度），微孔子在过去十年中引起了显着的注意力。De- spite these impressive performances, launching and collect- ing light in these resonators can be challenging, requiring ad- vanced fiber coupling devices such as a prism fiber taper 15 or advanced coupling methods for chip microresonators 16 , and while progresses on packaging are on going, it is still an ob- stacle for fiber applications.在谐振器中产生OFC的另一种方法是，在长度为117米的全纤维环腔中，其有效质量因子可以通过在腔体18中包括一个放大器来达到数百万。使用这些谐振器架构获得的光谱延伸到几个THZ上，几乎就像微孔子一样，但它们具有两个主要缺点。首先，线间距在MHz范围内，该范围限制了应用程序范围（主要在GHz范围14中），其次，它们不是Com-