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高质量的III – V狭窄带隙半导体材料具有强旋转 - 轨道耦合和大地E G-FACTOR为高速电子，旋转型和量子计算的领域的下一代应用提供了一个有希望的平台。抗抗氧化抗抗酮（INSB）提供狭窄的带隙，高载体迁移率和较小的有效质量，因此在这种情况下非常吸引人。实际上，近年来，这种伴侣引起了极大的关注。然而，高质量的杂质二维（2D）INSB层非常困难地意识到，由于所有常见的半导体底物的较大晶格不匹配。另一种途径是独立式单晶2D INSB纳米结构，即所谓的纳米层的生长。在这里，我们证明了基于INSB纳米型ags的弹道约瑟夫森结构设备的制造，其ti/nb接触显示，显示出栅极可触发的接近性诱导的超恒电流，最高50 na，在250 mk和可观的多余电流。这些设备显示了次谐波间隙结构的明确特征，表明连接处的相位交通运输和接口的高透明度。这将INSB纳米型植物视为高级量子技术的多功能且方便的2D平台。
弹道式nanoflag josephson连接
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