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框5：供应方估计
从长远来看，一个国家可以生产的商品和服务数量取决于经济的生产能力，后者由诸如劳动力规模，固定资本的库存以及这些资源的有效程度。这种能力量度称为经济的潜在产出。实际上，由于业务活动的波动，给定年份中的实际产出与其潜在产出很少相同。实际输出和潜在输出之间的差异称为输出差距，被认为是商业周期的度量。积极的产出差距表明经济暂时运作超出能力，通常导致通货膨胀增加，而负产出差距则表明经济下滑，通常与高失业率有关。从理论上讲，校准政策组合以最大程度地减少产出差距，因此避免过度失业和通货膨胀是政策以可持续方式提高生活水平的最有效方法之一。实际上，众所周知，实时估算输出差距是困难的。例如，有一系列指标（或负输出差距），例如失业率非常低，信用增长高，经常账户赤字或通货膨胀率。更正式地，数学模型可用于直接估计潜在的输出，因此可以使用输出差距。这个积极的产出差距主要由劳动力市场条件驱动，失业率接近纪录的低水平。该部门具有一系列估计方法，主要关注国内部门，以避免与MNC相关的扭曲 - 并纳入与商业周期有关的指标数据，例如失业率，通货膨胀和信贷增长。下面的基线系列（图14a）代表了方法范围的中点，这表明，国内爱尔兰经济的潜在产出增长平均每年超过2％，但较小但始终如一的积极的产出差距表示过度加热的某些要素。
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超分子销，具有有效的磷光
激子淬火。[10]研究还致力于开发带有红移排放的有机植物[5b，11]，一般策略是增加结合的程度。但是，这导致水溶性不足并使合成复杂化。精确剂和动力因素由于分子的相互作用而形成较低的能级，也是获得红移发射的策略。[12] CHI和同事引入了分子间卤素键合，以提高超大的磷光效率高达52.10％。[4C] KIM和同事报告了一种通过互联体相互作用（卤素和氢键）增强磷光的策略。[4A]众所周知，室内电荷转移（ICT）可以减少单线和三重态，张和同事之间使用ICT来促进磷光的能量差距。[13] Tian和同事报告了基于宿主增强的ICT和宿主诱导的分子内旋转限制的多色发光。[14]最近，我们的小组制定了协同增强策略，以实现室温磷光（RTP），[2B，10,15]，我们已经开发了多阶段组装的超分子系统，这些系统显示出通过荧光共振能量传递和型型组件，这些系统显示出红色和近红外的Emision。[16]然而，尚未报道使用宿主 - guest相互作用来调节ICT并以有效且可调的磷光形式形成动力的方法。此外，我们发现超分子引脚可用于细胞成像，尤其是线粒体中的成像。这种超分子策略在这项研究中，我们现在合成了几个新型的桥梁苯基苯基盐荧光团，并通过供体 - 受体的网状液与柔性烷基链相连。化合物1（方案1）是一个典型的示例。Using NMR spectroscopy, mass spectrometry (MS), transmission electron microscopy (TEM), and theoretical calculations, we analyzed the “molecular folding” binding of 1 and CB[8], and we found that 1 /CB[8] host–guest assemblies show the highest phosphorescence quantum yield reported to date for ultralong organic phosphorescence (UOP) materials.与参考化合物进行仔细的比较揭示了有效磷光的机械性是由于三个主要因素：第一个是非放射性衰变的较低速率，分散在富含羟基的矩阵中，CB [8]严重地封装了色彩的封装[8]和柔性链被抑制了非差异性差异；其次，有效的ICT提高了ISC的速率；最后，分子内卤素键的形成使辐射衰减的速率从t 1增加到S 0。
高敏感性多销差相关光谱
对脑血流无创和高灵敏度测量对于临床应用至关重要，例如测量氧代谢率1、2和监测颅内压。3，4此外，尽管主要使用功能磁共振成像和近膜光谱光谱（FNIRS）的神经科学应用，例如功能激活映射5、6和无创脑 - 计算机界面7、8，但这些应用可以从功能性共脑血液流量测量中受益。9 - 11弥漫性控制光谱（DCS）12是一种有前途的非侵入性光学技术，用于监测细胞的血液流量13、14和用于测量手指敲击9和视觉刺激期间的皮层功能激活10、11个任务。dcs通过将相干的光耦合到主题中，并测量由光散射出主体产生的斑点场中的波动来测量深度组织动力学。12、15、16增加了源 - dcs optodes的检测器分离（ρ），增加了在头皮和头骨下传播的检测到的光子的比例，深入脑皮质。17 - 19但是，对深组织的敏感性的提高是以减少
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
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机会简介 销售与销售副总裁......
候选人应具备相关学术背景，最好拥有研究生学历（即 MBA）。候选人应有作为经验丰富的业务发展领导者的良好业绩记录。候选人应有领导高绩效团队和推动收入和盈利能力的丰富经验。候选人应有在领导职位、战略顾问和领导团队成员方面不断积累的经验。理想情况下，候选人应有与本土伙伴关系、框架和合资企业合作的经验。