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四路 8 位数模转换器数据表 (修订版 E)
电源电压（V DD – GND）7 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 参考输入电压范围，V ID GND – 0.3 V 至 V DD + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围，T A ：TLC5620C 0 ° C 至 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC5620I –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围，T stg –50 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内为 260 ° C . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... .......
SLAS411D –2004 年 11 月–2016 年 2 月修订 DAC8811 16 位串行输入乘法数模转换器
DAC8811 是一款单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。其架构如图 18 所示，是一种 R-2R 梯形配置，其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路均可切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器，DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF，该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形为 5k Ω ±25% 的外部参考提供与代码无关的负载阻抗。外部参考电压可在 -15 V 至 15 V 范围内变化，从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器，可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
高级模拟集成电路设计
（如面向本科生开放，请注明区分内容。 If the course is open to undergraduates, please indicate the difference. ） 本课程主要讲授高级模拟集成电路设计的重要概念、基本模块与系统的分析与设计，具体内容包括晶 体管模型、噪声分析、模拟版图、运算放大器、偏置和带隙基准参考电路、连续与离散模拟滤波器、 模数转换器和数模转换器。学生将学习现代模拟集成电路中的重要概念，培养初步的分析和设计能 力，了解基本模块和系统的分析方法和设计流程。 This course provides a comprehensive introduction to various aspects of advanced analog integrated circuits design, including transistor models, noise analysis, analog layout, feedback, stability, operational amplifiers, and bias and bandgap voltage reference circuits. Specific topics will include analog filtering (continuous-time and discrete-time), analog-to-digital converters, and digital-to-analog converters. Students will learn to understand the concepts in modern analog integrated circuits, cultivate preliminary analysis and design capabilities, understand the analysis method and design process of the basic modules.
麻省理工学院林肯实验室 2015
林肯实验室正在开发一种结合氮化镓 (GaN) 和硅互补金属氧化物半导体 (Si CMOS) 器件的技术，以便为先进的相控阵系统提供更高效的 HPA 和高度集成的发射器/接收器 (T/R) 模块。由于 GaN 的宽带隙，在 Si 衬底上生长的 GaN 器件可提供高输出功率、高效率和宽带宽。使用 CMOS 器件可以集成额外的高密度和节能的 T/R 硬件组件，例如移相器、模数转换器和数模转换器以及数字控制器。将这些组件集成在单个集成电路上可大大降低相控阵系统的成本，并实现电路技术，例如用于在宽带宽上提高功率放大器效率的技术，这些技术在其他情况下可能无法实现。
DAC8811 16 位串行输入乘法数模转换器数据表 (Rev. D)
DAC8811 是单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。图 18 所示的架构是一种 R-2R 梯形配置，其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路都可以切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器，DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF，该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形对外部参考呈现 5k Ω ±25% 的代码独立负载阻抗。外部参考电压可以在 -15 V 至 15 V 的范围内变化，从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器，可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
SLAS411D –2004 年 11 月–2016 年 2 月修订 DAC8811 16 位串行输入乘法数模转换器
DAC8811 是一款单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。其架构如图 18 所示，是一种 R-2R 梯形配置，其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路均可切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器，DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF，该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形为 5k Ω ±25% 的外部参考提供与代码无关的负载阻抗。外部参考电压可在 -15 V 至 15 V 范围内变化，从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器，可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
CMOS 868/915 MHz 直接转换 ZigBee 单芯片...
大多数无线局域网标准（如 IEEE 802.11 a/b/g [1–3]）都不符合低成本设计目标，因为这些标准对误码率 (BER)、范围和数据速率都有很高的要求。为了满足低成本要求，需要制定一个性能约束较低的标准，以满足工业和商业、家庭自动化、个人电脑 (PC) 外围设备、消费电子产品、个人保健以及玩具和游戏等成本敏感型应用的需求。为此，IEEE 最近批准了 802.15.4 标准，可在 868/915 MHz 和 2.4 GHz 下运行 [4]。本文介绍了 868/915 MHz ZigBee 收发器的自上而下系统设计和仿真，并推导出一组符合 IEEE 802.15.4 物理 (PHY) 层标准要求的系统级无线电规范。系统级无线电规范包括系统噪声系数、灵敏度、本振相位噪声、信道整形和选择滤波器的阶数、互调特性、模数转换器和数模转换器 (ADC/DAC) 的位分辨率、信道抑制性能和频谱整形。本文还讨论了采用 0.18 µ m 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术实现单芯片低功耗低成本 ZigBee 收发器的电路拓扑。
流水线式忆阻神经网络模数转换器
摘要——随着高速、高精度、低功耗混合信号系统的出现，对精确、快速、节能的模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC) 的需求日益增长。不幸的是，随着 CMOS 技术的缩小，现代 ADC 在速度、功率和精度之间进行权衡。最近，已经提出了四位 ADC/DAC 的忆阻神经形态架构。可以使用机器学习算法实时训练此类转换器，以突破速度-功率-精度权衡，同时优化不同应用的转换性能。然而，将此类架构扩展到四位以上具有挑战性。本文提出了一种基于四位转换器流水线的可扩展模块化神经网络 ADC 架构，保留了其在应用重新配置、失配自校准、噪声容忍和功率优化方面的固有优势，同时以延迟为代价接近更高的分辨率和吞吐量。 SPICE 评估表明，8 位流水线 ADC 可实现 0.18 LSB INL、0.20 LSB DNL、7.6 ENOB 和 0.97 fJ/conv FOM。这项工作朝着实现大规模神经形态数据转换器迈出了重要一步。
对 PILATUS3 CdTe 探测器进行多能量校准，用于磁约束聚变等离子体的硬 x 射线测量
1 普林斯顿等离子体物理实验室，美国新泽西州普林斯顿 08540 2 DECTRIS 有限公司，瑞士巴登-达特维尔 5405 3 威斯康星大学麦迪逊分校工程物理系，威斯康星州麦迪逊 53706，美国 PPPL 开发了基于 PILATUS3 X 100K-M CdTe 探测器的多能量硬 X 射线针孔相机，以安装在 WEST 托卡马克上。该相机将用于研究热等离子体特性（例如电子温度）以及非热效应（例如 LHCD 产生的快速电子尾和逃逸电子的诞生）。该系统的创新之处在于可以为探测器的每个 ~100k 像素独立设置阈值能量。此功能允许以足够的空间和时间分辨率（~1 厘米，2 毫秒）和粗能量分辨率测量多个能量范围内的 X 射线发射。在本工作中，使用钨 X 射线管和各种荧光靶（从钇到铀）的发射，在 15-100 keV 范围内校准了每个像素的能量依赖性。对于每个能量间隔，对应于 K α 发射线对的数据都与特征响应度（“S 曲线”）拟合，该响应度描述了每个像素 64 个可能的能量阈值上的探测器灵敏度；通过对每个 ~100k 像素的电荷灵敏放大器后的 6 位数模转换器的电压进行微调，可以探索这种新颖的能力。本工作介绍了校准结果，包括统计分析。结果发现，可实现的能量分辨率主要受 S 曲线宽度的限制，对于阈值能量高达 50 keV 的情况，S 曲线宽度为 3-10 keV，对于 60 keV 以上的能量，S 曲线宽度为 ≥ 20 keV。