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World File Search System正瞬变
利用晶体管折叠布局作为RHBD技术针对单个事件瞬变
随着晶体管特征大小的降低，对能量颗粒的敏感性会增加[1-3]。由于电子系统在恶劣的环境中的广泛使用，对辐射效应的缓解技术已在文献中得到了大量研究[4-7]。可以从制造过程修改到不同设计实现的辐射硬化策略。修改掺杂曲线，对沉积过程的优化和使用不同材料的使用是按过程（RHBP）技术众所周知的辐射硬化的示例。但是，除了其较高的成本外，RHBP通常是最先进的CMOS流程后面几代人，导致低级性能。另一方面，通过设计（RHBD）进行辐射硬化可有效提供对辐射效应的硬度[7]。这些技术可以从电路布局到系统设计的不同级别的抽象级别实现。单事件效应（SEE）的产生机制与综合电路（ICS）的物理布局密切相关，例如，在晶体管的P-N连接中，能量沉积和电荷收集之间的关系。因此，可以在电路布局级别上应用几种硬化方法，例如封闭的布局晶体管（ELT），防护环，虚拟晶体管/门或双互锁存储单元（DICE）[6-9]。
使用流体瞬变检测管道和管网系统中的泄漏和堵塞
和堵塞检测技术，特别是逆瞬态方法 (ITM) 的验证，已在阿德莱德大学作为本博士学位的一部分构建。 ,es"ar"ñ。两个计算机程序，NETTRANS 用于使用特征法 (MOC) 在管道网络中进行瞬态模拟，NETFIT 用于使用逆
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a.逻辑高电平下的共模瞬变抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即 V O > 2.0V）。逻辑低电平下的共模瞬变抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即 V O < 0.8V）。
压水反应堆设施在场外电源瞬变期间的应急电源系统的可靠性分析
2. 如果胶片上的图像被圆形黑色标记遮盖，则表明由于曝光过程中的移动导致复印件模糊、复印重复或有不应拍摄的版权材料。对于模糊的页面，可以在相邻的帧中找到该页面的清晰图像。如果删除了受版权保护的材料，则会出现一个目标注释，列出相邻框架中的页面。
何者正确？ A.可快速获得营养，但持续时间
A. 抗原转变 B. 抗原漂移 C. 气候变化 D. 金刚烷胺耐药性 79. 下列何者不属于副粘液病毒科（副粘液病毒科）？ A. 腮腺炎病毒（ 流行性腮腺炎病毒） B. 副流感病毒（ 副流感病毒） C. 麻疹病毒（ 麻疹病毒） D. 艾可病毒（ 艾可病毒）
压敏电阻简介 - Vishay
概述 压敏电阻提供可靠且经济的保护，防止高压瞬变和浪涌，这些瞬变和浪涌可能由交流或直流电源线上的雷电、开关或电气噪声等产生。与瞬变抑制二极管相比，它们的优势在于它们可以吸收更高的瞬变能量，并可以抑制正向和负向瞬变。当发生瞬变时，压敏电阻电阻会从非常高的待机值变为非常低的导电值。因此，瞬变被吸收并钳位到安全水平，保护敏感的电路元件。压敏电阻由非均质材料制成，在两个粒子的接触点处产生整流作用。许多串联和并联连接决定了压敏电阻的额定电压和电流能力。
低压系统绝缘协调提案
电子设备因瞬变而发生故障和电路故障是目前的问题，而且随着小型化和电路复杂化的趋势不断推进，这个问题在未来可能会变得更加严重。目前，似乎还没有明确的办法来实现设备瞬变耐受能力与这些设备所承受的瞬变之间的兼容性。这种情况如图 1 所示。多年前，电力行业也出现过类似的情况。雷电产生的瞬变经常导致变压器和发电机等重要且昂贵的电力设备发生故障。这些瞬变问题通过以绝缘协调概念为指导的工程设计和一系列基本绝缘水平 (BIL) 的建立得到了解决。
无监督的机器学习应用程序，以识别MOSFET晶体管电离辐射效应的噪声事件的单事件瞬变（集合）
本文介绍了K-均无监督的机器学习算法的新应用，以在电子设备的重合离子辐照实验中识别噪声中的单个事件瞬态（SET）事件的问题。我们通过分析MOSFET晶体管的几种重型离子照射产生的集合事件的实验数据集来探索K-均值算法的性能。分别使用隔离森林和随机森林算法研究了所选特征（平均偏差，偏度和峰度）的数据异常和有效性。结果表明，K均值算法具有很高的能力，可以使用前四个统计矩作为特征从噪声中识别事件，从而允许将这种方法用于现场事件检测和诊断，而无需以前的算法训练或实验数据的预先分析。
