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World File Search System氮化物
亚稳态TA2N3，具有高度可调的电导率，可通过氧掺入
超导体，4和光催化。5–7与氧相比（W o = 3.44）相比，氮的中度电 - 负极性（W n = 3.04）导致在这些化合物中具有混合离子/共价键合特征。对于这种硝酸盐，N 3和金属阳离子之间的强静电相互作用转化为较高的晶格粘性能，其机械硬度和耐火性表现出来。8另一方面，N 2P能级与金属电子状态更接近，因此与孔构金属氧化物相比，轨道杂交和改善的电荷传输特性会产生更高的程度。虽然金属氧化物通常是二元组或半导体，但过渡金属氮化物的电子结构受到氮含量和从金属到半导体的跨度的强烈影响。早期过渡金属元件（例如TIN，ZRN和TAN）的单硝酸盐已被广泛用作微电子中的耐磨涂层和金属扩散屏障，它们的出色电导率可以归因于部分占用的金属D状态。9相比，富含氮的化合物
博士学位论文 奥氏体不锈钢的低温渗碳/渗氮——合金成分的影响
奥氏体不锈钢的低温渗碳/氮化 – 合金成分对微观结构和性能的影响 Giulio Maistro 工业与材料科学系 查尔姆斯理工大学 摘要 奥氏体不锈钢是食品、制药、化学、石油和天然气工业等重视耐腐蚀性的应用中最常用的材料之一。然而，低硬度和差的摩擦学性能往往是其应用的障碍。传统表面硬化技术，如高温渗碳（T > 850°C）和氮化（T > 550°C）不适用于这些合金。在这种情况下，富铬碳化物/氮化物在晶界处的快速沉淀会导致合金中的铬消耗并损害耐腐蚀性。自 80 年代中期以来，已经开发出用于奥氏体不锈钢表面硬化的低温热化学处理，包括气体渗碳和等离子氮化。这些过程可以诱导形成无沉淀间隙过饱和亚稳态扩展奥氏体（也称为 S 相），具有优异的硬度和改善的耐磨性，同时保持耐腐蚀性。
纳米光子晶体D形纤维设备，用于标签...
单层石墨烯（SLG）的唯一光电特性非常适合从X射线到微波的广泛频率开发光子设备。在Terahertz（THZ）频率范围（0.1-10 THz）中，这导致了具有最先进性能的光学调节器，非线性源和光电探测器的发展。关键挑战是以可扩展的方式将基于SLG的活动元素与先前存在的技术平台集成在一起，同时保持绩效水平不受干扰。在这里，我们报告了由大区域SLG制成的室温THZ探测器，由化学蒸气沉积（CVD）生长，并集成在天线偶联的场效应晶体管中。我们有选择地激活光电电检测动力学，并在Al 2 O 3上采用不同的SLG的不同介电配置，而有无大区域CVD六角形氮化硼氮化物限值来研究其对SLG热电学适当的影响基础光照相的影响。使用这些可扩展体系结构，响应时间5 ns和噪声等效功率（NEP）1 NW Hz 1/ div>
半导体气体传感器：材料，技术，设计和应用
摘要：thispaperPapernoverviewofsemenductormaterialsessensessors，其技术，设计和应用。半导体材料包括金属氧化物，导电聚合物，碳纳米管和2D材料。金属氧化物通常是由于其易于制造，低成本，高灵敏度和稳定性而成为首选。他们的一些缺点是低选择性和高工作温度。导电聚合物具有低工作温度的优势，可以检测许多有机蒸气。它们很灵活，但受湿度的影响。碳纳米管在化学和机械上都是稳定的，对NO和NH 3敏感，但需要掺杂剂或修饰来感知其他气体。石墨烯，过渡金属辣椒剂，氮化硼，过渡金属碳化物 /氮化物，金属有机框架和金属氧化物纳米片作为2D材料代表未来的气体感应材料，尤其是在医疗设备中，例如呼吸感应。此概述涵盖了气体传感中最常用的半导体材料，它们的合成方法和形态，尤其是氧化物纳米结构，异质结构和2D材料，以及传感器技术和设计，从现代技术的角度来看，电子电路和系统以及在电子电路和系统中进行应用。
超导纳米线二进制移位寄存器
基于纳米晶的超导电子产品的发展迄今已限制在很少的设备电路上，部分原因是缺乏标准和健壮的逻辑细胞。在这里，我们介绍并实验展示了一组基于纳米晶的构件的设计，这些块可以配置并组合以实现内存和逻辑功能。通过对硝化氮化物的单个超导层进行图案制造设备，并在液态氦气中测量各种操作点。测试显示10 4位错误率，高于6 20％的边距高达50 MHz，并且在平面外36 MT磁场的效果下运行的可能性，在10 MHz时为6 30％的边缘。此外，我们设计并测量了由两个存储单元制成的等效延迟流量，以显示组合多个构件以制造更大电路的情况。这些块可能构成了纳米晶逻辑电路和有限状态机器的开发，具有潜在的应用在超导纳米导体单光子探测器中的潜在应用。
Thijssen，Quin
摘要：我们使用环境异常校正的电子显微镜在一系列氧气压力的氧化气环境中，在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的影响下，在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的损伤阈值和途径上提出了前所未有的结果。我们观察到损伤的级联反应，该过程抵抗损害，直到与碳纳米管相比，较高的电子剂量，启动了无缺陷的BNNT侧壁，并通过从结晶纳米管转换为从结晶纳米管转换为无定形的硼氮化物（bn），均可抵抗氧化。我们将碳纳米管氧化的先前结果进行比较，并提出了将两种情况下损害发作的模型归因于物理氧气层，从而降低了损害发作的阈值。出乎意料的是，升高的温度可提供防止损害的保护，电子剂量率显着超过了氧剂量率，而我们的模型将两种影响都归因于物理氧气人群。
穆罕默德·阿里·阿卜杜勒卡里姆教授
2018/2019 2012 年 4 月至 2012 年 12 月，日本 JSPS 博士后奖学金，用于开发用于燃料电池的金属碳化物和氮化物。 博士后奖学金，用于开发 Pt 催化剂的阴极替代品。2011 年 4 月至 2012 年 3 月。 基于新型电极结构的 DMFC 开发博士后奖学金。来自日本群马大学先进技术中心。 2009 年 2 月至 2011 年 3 月。 2004 年 12 月至 2008 年 6 月在日本攻读博士学位，获得国家奖学金。 第二届国际能源会议 ICEE2010 最佳演讲论文，埃及阿斯旺，2010 年 12 月 27-29 日。论文标题为“空气阴极过滤器对高甲醇浓度蒸汽进料被动式 DMFC 中间产物的影响”。 米尼亚大学科学出版奖，2014 年和 2015 年。 多个国际会议的委员会成员 在启动新学术课程（能源硕士、水和化学学士）方面发挥了关键作用
“先进电子显微镜的新视角”青年教授
异质外延及其应用研究中心 (CRHEA) 是一个专门从事半导体材料外延的研究实验室，特别是宽带隙半导体，如 III 族氮化物材料 (GaN、AlN)、氧化锌 (ZnO)、碳化硅 (SiC) 及其在洁净室中的微纳米加工。CRHEA 还研究二维材料，如石墨烯、氮化硼和过渡金属二硫属化物以及超导 (NbN) 和新型铁电材料 (ScAlN、ZnMgO)。这些材料被加工成微电子、光电子、光子学、超表面和量子异质结构的设备。CRHEA 还开展纳米科学和晶体生长的基础研究。CRHEA 涉及的主要领域涉及能源转型、未来通信以及环境和健康。该实验室拥有九个分子束外延生长反应器和六个气相生长反应器。它还拥有用于材料结构表征的工具，包括最先进的透射电子显微镜 (TEM) (https://www.crhea.cnrs.fr/ACT-M/index.htm) 和用于微纳米制造的洁净室。CRHEA 拥有 70 名研究人员，其年度预算为 450 万欧元（不包括工资）。
![arxiv：2501.18491v1 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月30日](/simg/5\59e3d56f8650598cb67a5f8f2d30cac6f719b565.webp)
arxiv：2501.18491v1 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月30日
在这里，我们提出了一种镜面对称魔术角扭曲三层石墨烯的理论。通过具有远距离隧道矩阵元素的哈伯德模型来描述电子特性。通过求解平均场哈伯德模型获得电子性能。我们获得具有特征性平坦带和狄拉克锥体的带结构。在电荷中立性时，打开电子电子相互作用会导致金属至抗磁相变，其Hubbard相互作用强度比其他石墨烯多层小得多。我们分析了抗铁磁状态的固定性对六角硼氮化物封装引起的对称破裂的性能，以及由将狄拉克锥与平面带混合的电场的应用引起的镜像破坏。此外，我们探索了系统的拓扑特性，揭示了隐藏的量子几何形状。尽管平坦的频带为零，但在MoiréBrillouin区域上的多型浆果曲率分布表现出非平凡的结构。最后，我们提出了一种调整此量子几何形状的机制，提供了控制系统拓扑特性的途径。
2D材料中的量子发射器 - UTS的作品
量子发射器已成为基本科学和新兴技术的重要工具。近年来，12 eld的重点已转移到探索和识别新的量子系统，该系统由原子上薄的二维材料的新兴库启用。在这篇综述中，我们强调了2D系统中量子发射器工程技术的当前状态，重点是过渡金属二烷核化合物（TMDCS）和六角形氮化物。我们首先要回顾TMDC的进度，重点是发射机工程，调整其光谱特性以及观察层间激子的能力。然后，我们讨论HBN中的发射器，并专注于发射器的起源，工程和新兴现象 - 跨越超分辨率成像和光学自旋读数。我们通过讨论在具有等离子和介电光子腔的2D宿主中整合发射器的实践进步，并由量子光 - 形式相互作用支撑。我们结束了实践芯片量子光子应用的途径，并在这项研究中强调了挑战和机遇。