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摘要:我们使用环境异常校正的电子显微镜在一系列氧气压力的氧化气环境中,在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的影响下,在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的损伤阈值和途径上提出了前所未有的结果。我们观察到损伤的级联反应,该过程抵抗损害,直到与碳纳米管相比,较高的电子剂量,启动了无缺陷的BNNT侧壁,并通过从结晶纳米管转换为从结晶纳米管转换为无定形的硼氮化物(bn),均可抵抗氧化。我们将碳纳米管氧化的先前结果进行比较,并提出了将两种情况下损害发作的模型归因于物理氧气层,从而降低了损害发作的阈值。出乎意料的是,升高的温度可提供防止损害的保护,电子剂量率显着超过了氧剂量率,而我们的模型将两种影响都归因于物理氧气人群。

Thijssen,Quin

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