基于纳米晶的超导电子产品的发展迄今已限制在很少的设备电路上,部分原因是缺乏标准和健壮的逻辑细胞。在这里,我们介绍并实验展示了一组基于纳米晶的构件的设计,这些块可以配置并组合以实现内存和逻辑功能。通过对硝化氮化物的单个超导层进行图案制造设备,并在液态氦气中测量各种操作点。测试显示10 4位错误率,高于6 20%的边距高达50 MHz,并且在平面外36 MT磁场的效果下运行的可能性,在10 MHz时为6 30%的边缘。此外,我们设计并测量了由两个存储单元制成的等效延迟流量,以显示组合多个构件以制造更大电路的情况。这些块可能构成了纳米晶逻辑电路和有限状态机器的开发,具有潜在的应用在超导纳米导体单光子探测器中的潜在应用。