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在低温温度下的半导体设备和其他电源电源库的审查
摘要随着对高功率密度的需求不断增长，并且为了满足极端的工作条件，研究集中在涉及低温温度下电力电子设备的性能上。本文的目的是审查功率半导体设备，被动组件，栅极驱动器，传感器，最终在低温温度下的电力电子转换器的性能。通过比较半导体材料的物理特性和商业功率半导体设备的电性能，碳化硅开关由于在低温温度下的抗性和切换时间增加而显示出明显的缺点。相反，当温度降低时，硅和氮化壳设备的性能提高了。功率半导体设备的性能上限可能会受到门驱动器的影响，与室温相比，商业替代方案在低温温度下表现出恶化的性能。此外，在低温环境中的电压和当前意义的选项是合理的。基于上述各种组件的低温性能，本文以概述了已发表的转换器的概述，这些转换器在低温环境中进行了部分或全面测试。
Alpha HPA 有限公司 (A4N)
• Alpha Sapphire B 阶段 FID 有望于 2025 年中期实现：A4N 将从现有的两个合成蓝宝石生长单元扩展到新工厂的 50 个单元（B 阶段扩建）的计划有望于 2025 年中期实现 FID。工程和成本建模正在进行中。A4N 最近将 B 阶段的 FID 推迟了大约六个月。该公司已经收到半导体制造商对下一代氮化镓 (GaN) 蓝宝石半导体平台的需求。这个新兴市场在一定程度上抵消了 microLED 显示器行业需求增长低于预期的影响。QIC 关键矿产和电池技术基金 (QCMBTF) 下的 B 阶段融资（3000 万美元）条款已更新，资金现在将可用至 2025 年 9 月 30 日，但前提是 Alpha Sapphire 董事会在 2025 年 6 月 30 日之前达成 FID。
维京钻头
麻花钻 工作长度 NAS 907B 重型 135º 分割点 240-CN 型 CN-TECH ™ 低温氮化物 . . . .6 240-UB 型重型超硼 . . 6 - 7 643-UB 型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 - 9 * 278-UB 型 3/8" 柄 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 * 非 NAS907B 机械长度 135º 分割点 250-UB 类型 . ... .29 QR-UB 型延长杆 3 英寸、6 英寸、12 英寸 . . .29 241-A 型 V 型线 黑色氧化物 . . . . . .28 作业长度 NAS 907A 340-A 型 黑色氧化物 118º 分割点 . .16 作业长度通用 118º 点 240-B 型 光亮表面 . . . . . . . . 17 - 21 643-W 型 公制 - 光亮表面 . . . . . . . . 22 278 型 3/8 英寸 RS 光亮表面 . . . . . . . . 23 240-BN 型 氮化钛 . . . . . . . 17 - 21 240 型 黑色氧化物 . . . . . . . . . . 17 - 21 643 型公制 - 黑色氧化物 . . . . . . . . . . . . . 22 248 型 V-Line 黑色氧化物 . . . . . . . . . . . . . . . 21 230 型 Tang Drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Viking 钻头目录 2021.pdf
麻花钻 工作长度 NAS 907B 重型 135º 分割点 240-CN 型 CN-TECH ™ CRYO/NITRIDE . . . . . 6 240-UB 型重型超硼 . . . . . . 7 643-UB 型 . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 - 9 * 278-UB 型 3/8" 柄 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 * 非 NAS907B 机械长度 135º 分割点 250-UB 类型 . ... .29 QR-UB 型延长杆 3 英寸、6 英寸、12 英寸 . . .29 241-A 型 V 型线 黑色氧化物 . . . . . .28 作业长度 NAS 907A 340-A 型 黑色氧化物 118º 分割点 . .16 作业长度通用 118º 点 240-B 型 光亮表面 . . . . . . . . 17 - 21 643-W 型 公制 - 光亮表面 . . . . . . . . 22 278 型 3/8 英寸 RS 光亮表面 . . . . . . . . 23 240-BN 型 氮化钛 . . . . . . . 17 - 21 240 型 黑色氧化物 . . . . . . . . . . 17 - 21 643 型公制 - 黑色氧化物 . . . . . . . . . . . . . 22 248 型 V-Line 黑色氧化物 . . . . . . . . . . . . . . . 21 230 型 Tang Drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
20 W GAN SSPA（多波段固态功率放大器）
产品描述 20 W GaN SSPA 是一款小巧轻便的放大器，旨在与多频段调制解调器和无线电配对使用 - 既可以独立用于仅传输系统，也可以与其他组件集成以形成双工系统。我们的 20 W GaN SSPA 放大器是一款使用氮化镓 (GaN) 技术构建的多频段双输出固态功率放大器 (SSPA)。我们的 RF 放大器由一个电源、四个独立的固态功率放大器和一个数字控制部分组成。RS-422 接口提供温度监视器、RF 输出功率电平检测和 VSWR 故障状态。RS-422 接口还提供对 RF 功率放大的频段选择和 RF 信号消隐能力的控制。这种多频段 SSPA 可以在射频 (RF) 频谱的 L 波段、S 波段、下 C 波段或上 C 波段中进行选择和操作。我们的 GaN 多频段 SSPA 设计用于多种 L3Harris 产品。
7001 润滑设备全系列目录 林肯
• 轻质、耐腐蚀的锌头铸件设计结合了均匀的壁厚和一体式专利消声器，可将噪音水平保持在 OSHA 标准以下，而不会影响性能。保持泵送，而其他泵则因结冰而减速或停止。• 150 psi 预润滑空气马达无需外部注油器。• 气动辅助机械空气阀确保正向跳闸 • 无弹簧空气马达结构可防止因弹簧疲劳而导致泵过早失效。• 精密加工、硬化钢滑阀，使用寿命更长 - 无填料磨损。• 强大 - 20 立方英寸或 40 立方英寸空气马达 • 设计用于更高的循环率。超过了竞争性泵推荐的最大限值。• 一体式泵出口体可承受恒定的高润滑剂压力。• 更易于维护。大多数零件与其他 20、25 和 40 系列泵通用。• 输出更快。双作用设计在上下冲程上提供高压和均匀输送。• 氮化钢柱塞和衬套耐磨损并延长泵寿命。
7001 润滑设备全系列目录 林肯
• 轻质、耐腐蚀的锌头铸件设计结合了均匀的壁厚和一体式专利消声器，可将噪音水平保持在 OSHA 标准以下，而不会影响性能。保持泵送，而其他泵则因结冰而减速或停止。• 150 psi 预润滑空气马达无需外部注油器。• 气动辅助机械空气阀确保正向跳闸 • 无弹簧空气马达结构可防止因弹簧疲劳而导致泵过早失效。• 精密加工、硬化钢滑阀，使用寿命更长 - 无填料磨损。• 强大 - 20 立方英寸或 40 立方英寸空气马达 • 设计用于更高的循环率。超过了竞争性泵推荐的最大限值。• 一体式泵出口体可承受恒定的高润滑剂压力。• 更易于维护。大多数零件与其他 20、25 和 40 系列泵通用。• 输出更快。双作用设计在上下冲程上提供高压和均匀输送。• 氮化钢柱塞和衬套耐磨损并延长泵寿命。
生物氮固定：生态意义
生物氮固定（BNF）是一个重要的生态过程，在维持生态系统中氮的平衡中起着至关重要的作用。氮是生命的重要元素，是氨基酸，蛋白质和核酸的主要组成部分。虽然氮在地球大气中很丰富，但它主要是以惰性n 2气的形式，大多数生物都无法直接使用。生物氮固定是某些微生物将大气氮转化为植物可以容易使用的形式的过程，从而有助于生态系统的整体生产力和可持续性。负责生物氮固定的主要药物是固氮细菌，它们与植物形成共生相关性或自由存在于土壤中。这些细菌具有氮化酶，这使它们能够在大气氮中打破强三重键，并将其转化为氨（NH 3）或可以被植物吸收的相关化合物。生物氮固定的生态意义是巨大的，影响了营养循环，植物生长和整体生态系统动力学。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。