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EPOWERS 研究小组：高效电力电子、动力传动系统和能源解决方案
Si-硅、SiC-碳化硅、GaN-氮化镓、MPC-模型预测控制、PSO-粒子群优化、IFOC-间接磁场定向控制、DTC-直接扭矩控制、DSP-数字信号处理、FPGA-现场可编程门阵列
EPOWERS 研究小组：高效电力电子技术...
Si-硅，SiC-碳化硅，GaN-氮化镓，MPC-模型预测控制，PSO-粒子群优化，IFOC-间接磁场定向控制，DTC-直接扭矩控制，DSP-数字信号处理，FPGA-现场可编程门阵列
在室温下用氧碳植入的GD掺杂的GAN中的自旋机制
摘要 - 用氧气和碳植入的氮化甘露的氮化岩在室温下显示载体介导的自旋机制。使用Tris（环戊二烯基）Gadolinium前体通过金属有机化学蒸气沉积生长的GD掺杂的GAN显示出普通的霍尔效应，并且在室温下没有浪漫主义。在o或c植入GD掺杂的GAN中，观察到表明载体介导的自旋和铁磁性的异常大厅效应。即使在植入后也保持良好的晶体质量。o和c偏爱间质站点，并在GD掺杂的GAN中占据了深层的受体型状态。由GD掺杂的GAN诱导的gadolinium诱导的室温自旋和铁磁性被占据间隙部位的O和C激活。载体介导的自旋功能的机制显示了对控制和操纵自旋作为氮化壳中的量子状态的潜力。这使gagdn：o/c成为室温旋转和量子信息科学应用的潜在半导体材料基础。在本文中，研究了使用离子植入，使用X射线衍射的结构表征在GD掺杂GAN中掺杂，并研究了使用高级HALL效应的自旋相关测量，并进行了相应的讨论。
用于空间的 GaN MMIC 堆叠 Doherty 功率放大器...
摘要 — 本文介绍了单片微波集成电路功率放大器的设计和实验结果，其中将 FET 堆叠方法与 Doherty 架构相结合，以最大限度地提高可实现的性能。具体而言，堆叠单元是通过将共源设备拆分为两个较小的设备来实现的，从而形成非常紧凑和对称的结构，而 Doherty 理念则用于实现高回退效率。该芯片采用 100 nm 栅极长度的硅基氮化镓技术实现，面向下行卫星 Ka 波段。两级放大器不仅满足功率要求，还满足空间使用的热约束。在 17.3 GHz 至 20.3 GHz 的频率范围内，测量结果显示线性增益约为 25 dB，峰值功率为 38 dBm，功率附加效率大于 35%。索引词 — Doherty 放大器、高效率、空间应用、氮化镓
新闻稿
欧盟研究：氮化镓制成的节能芯片可提高效率并减少二氧化碳排放量 菲拉赫，2022 年 11 月 23 日——欧洲研究团队开发了由半导体材料氮化镓制成的紧凑、低成本节能芯片。这为电动汽车无线充电、将可再生能源整合到电网以及实现可持续的 5G 部署开辟了能源效率的新维度。紧迫的能源转型、减少二氧化碳排放和不断增长的能源需求是我们这个时代的挑战性话题。效率比以往任何时候都更加重要。高效地产生、控制和使用能源是数字化和脱碳的关键杠杆。智能技术和氮化镓 (GaN) 等新型半导体材料在这里发挥着关键作用。GaN 功率半导体可在小空间内提供更多功率，节省能源，从而最大限度地减少二氧化碳排放量。在“UltimateGaN”研究项目中，来自科学和工业领域的团队已将任务设定为使 GaN 技术的优势可用于许多应用。结果是开创性的。材料和工艺技术的进一步发展使得未来能够以具有全球竞争力的成本提供高效、紧凑的GaN节能芯片。许多应用都可以从中受益——从电动汽车的无线充电到太阳能低损耗、平稳接入电网，再到5G网络的快速、经济高效扩张。例如在能源效率方面，为电动汽车无线充电开发的原型能够以96%的效率传输能量。相比之下，目前市场上的系统的效率最多为93%。能源效率提高3%，到2030年每年可以减少约170万吨二氧化碳，这大致相当于约一百万辆内燃机汽车的排放量。英飞凌科技奥地利公司首席执行官 Sabine Herlitschka 表示：“能源效率是节约能源和减少二氧化碳排放的全球最大资源之一。氮化镓功率半导体是可持续发展的真正领跑者。结果表明，欧洲的研究对能源效率做出了决定性的贡献。每一个百分点都很重要，是
用于高性能片上微型超级电容器的伪电容氮化钒厚膜中电荷存储机制的新见解
Kevin Robert、Didier Stiévenard、D. Deresmes、Camille Douard、Antonella Iadecola 等人。高性能片上微型超级电容器的伪电容性氮化钒厚膜电荷存储机制的新见解。能源与环境科学，2020 年，13 (3)，第 949-957 页。�10.1039/c9ee03787j�。�hal-02553060�
钱德勒市半导体和电子制造公司
NXP：位于钱德勒上城区的园区拥有约 1,700 名员工。NXP 最近投资 1 亿美元，将其工厂打造成世界上最先进的氮化镓半导体工厂之一。该工厂支持多种用途，目前已具备为新兴 5G 应用提供组件的能力。
AU/GAN和PEDOT的电气性能
I.引入电子组件的发展，例如Schottky二极管，MOS，晶体管和金属分离的半导体，GAN通常使用（MIS）。et cetera。[1-3]。氮化壳是一种非常有前途的材料，用于具有高强度，高频率和宽频率和高电子速度饱和的半导体材料。氮化岩二进制化合物是一种半导体直接带隙，其晶格参数=4.52Å，Eg = 3.22 eV，属于III-V家族的300 K [4]。此二进制化合物（LED），光电探测器（MSM），激光二极管，太阳能电池施加和现场效应微波晶体管[5-9]是光发射二极管中的有前途的材料。gan的高频特性使其适用于高频和高功率应用。[10，11]。已经对Schottky二极管设备生产的许多理论和实验研究进行了研究（Metal-GAN）。项目已经研究了在不同频率下1 kHz-1 MHz范围内Au / Nio / Gan Schottky二极管的电子参数和频率依赖性。
目录
麻花钻 工作长度 NAS 907B 重型 135º 分割点 190-AG 型重型 Magnum .........6 190-CN 型 CN-TECH™ CRYO/NITRIDE .....7 170-AG 型 ......。。。。。。。。。。。。.8 - 9 * 128-AG 型 3/8 英寸柄 .............7 190 型黑色氧化物 ..........10 - 11 * 198 型 V-Line 黑色氧化物 .........15 190-AN 型氮化钛 .......10 - 11 190-ACN 型氮化钛碳 ...12 -14 类型 190-ALN 铝钛氮化物 12 -14 * 类型 190-GF Gold Strike™ 柄上有 3 个平面。.15 * 类型 190-GFR Gold Strike™ 3/8 英寸柄。.....15 * 非 NAS907B 机械长度 135º 分割点类型 175-AG。.....。。。。。。。。。。。。。28 型 178-AG 马格南 3/8 英寸柄 .........28 型 QR-AG 马格南 1/4 英寸六角柄 ......29 型 QR-AG 延长杆 3 英寸、6 英寸、12 英寸。..29 型 191 V 型黑色氧化物。..........28 工作长度 NAS 907A