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叠氮化物的安全处理 - 点击化学的危害
碳氮比 (C/N) 除少数例外，氮原子数不应超过有机叠氮化物中的碳原子数。尽管可以少量合成一些 C/N 比在 1 和 3 之间的叠氮化物，但应尽快使用或淬灭叠氮化物。叠氮化物应储存在 -18 °C 且避光的环境中（最好放在塑料琥珀色容器中）。浓度不应超过 1 M。六规则评估有机叠氮化物稳定性的另一种方法是“六规则”，该规则规定每个能量官能团的碳原子数不应少于六个。每个能量官能团（叠氮化物、重氮、硝基等）六个碳原子（或其他大小大致相同的原子）可提供足够的稀释度，使化合物相对安全。每个官能团的碳原子数少于六个可能导致材料具有爆炸性。
基于氮化硅微环谐振器的二分纠缠量子频率梳设计平台
集成克尔量子频率梳 (QFC) 具有产生多个可扩展量子态的潜力，已成为宽带纠缠的紧凑、稳定和基本资源。在这里，我们构建了一个通过片上氮化硅微环谐振器设计二分纠缠 QFC 的平台。通过建立克尔非线性微谐振器的系统量子动力学，我们的平台可以支持多达 12 个连续变量量子模式，形式为受磁滞影响的六个同时双模压缩对。频率模式对的纠缠度取决于谐振器结构和环境温度。通过调节腔体温度，我们可以在特定的注入泵浦功率和泵浦失谐下优化纠缠性能。我们全面的 QFC 设计流程和纠缠分布控制可以改善纠缠的产生和优化。
球形氮化镓和砷化镓量子点中量子限制的阈值和界限。
当材料的物理尺寸与电子的波长匹配或减小时，半导体中就会发生量子限制，从而产生量化的能级和离散的电子态。这是由于电子的波粒二象性，它同时表现出粒子和波的特征。限制能是对应于半导体纳米结构（如量子点）中电荷载流子的量子限制的能量。当这些结构的尺寸接近或等于电子的德布罗意波长时，就会产生量化的能级。基于有效质量近似并假设一个理想的球形量子点，其中激子被限制在球形限制势中，Harry 和 Adekanmbi (2020) 给出了球形量子点的限制能：
具有极低传播损耗的氮化硅光子平台
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氮化碳及其磁性特征中的光诱导的自由基
g-cn是一个非特异性的术语，它包括一个相当广泛的材料家族，由石墨层和/或富含N型芳族环的聚合物链组成。单体单元由1,3,5-三嗪[2]或三嗪（也称为己嗪）部分由SP 3杂交N原子连接起来。[3]氮的原子C/N比有很大的变化，例如，对于理想的石墨结构，其对应于0.75，而对于更现实的（和讨论）的三嗪单元结构，理论C/N原子比为0.67，而C/H ATOMIC比率为2.0。cn仅包含地球丰富的元素碳，氮和氢，可以从廉价且易于获得的前体合成，并且具有较高的化学和热稳定性，这是由于共轭层结构中成分之间的强相价键。由于广泛的共轭，CN在电磁频谱的可见区域吸收，带隙为2.7 eV（= 460 nm），并且已成功地用于催化广泛的反应。由于所有这些原因，G-CN迅速成为当前光催化研究的主要参与者。[4]
用于氮化硅光子学的高效超材料工程光栅耦合器
摘要：氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而，标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器，较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度，从而导致较长的衍射结构，限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起，采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中，我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中，利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料，可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度，而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟，设计了一种超材料工程光栅耦合器，其耦合效率为 − 1.7 dB，工作波长为 1.31 µ m，1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法，可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
氮化硼的加固：革命性铝 -
摘要。这项研究显示了基于铝制的复合材料制造（FSP）在基于铝制的复合制造中的革命性潜力。fsp，使用垂直铣床精确执行，制造具有非凡特性的复合材料。参数的细致选择，包括销钉直径，工具倾斜角度和旋转速度，可确保最佳结果。AA 2024基材经历安全粘连，并遵守清洁协议。SEM图像揭示了BN颗粒的同质分散，这对于优化机械，热和电气性能至关重要。将BN通过FSP掺入会导致各种机械性能的显着增强。拉伸强度提高了20.78％，硬度提高了34.44％，疲劳强度提高了23.83％，耐磨性增加了28.28％。这些改进强调了BN通过FSP增强的功效，为先进的复合制造提供了有希望的前景。这项研究体现了BN彻底改变该行业的潜力，为发展具有卓越机械特征的高性能铝制复合材料铺平了道路。
革命性的表面增强：Ni-boron氮化物混合物的微波辅助覆层到SS-304
摘要。这项研究通过微波辅助覆层和15％的粒子混合物在SS-304底物上提出了一种革命性的方法来增强表面增强。进行了细致的准备步骤，包括底物清洁和预热，以确保最佳的粘附和涂料质量。使用木炭作为振动者材料的微波混合动力加热，促进了粉末混合物的快速和均匀加热，而纯石墨板在此过程中阻止了污染。使用特定功率和频率设置的多模微波涂抹器进行了实验，从而导致最佳涂层形成的受控加热。通过SEM图像说明了微波辅助的覆层过程的精度，揭示了整个底物的覆层颗粒的均匀分布。此外，观察到表面硬度和耐磨性的显着改善，表面硬度增加了44.67％，低磨损速率为0.0020 mm3/m。这些发现突出了开发的覆层技术在增强SS-304底物的机械性能和耐磨性方面的有效性，为其在各种行业中的潜在应用铺平了道路，这些行业需要在滑动接触条件下可靠的表面保护和耐用性。
通过植入和热退火在氮化铝中制造量子发射器
宽带盖材料中的单光子发射器（SPE）代表了一个吸引人的平台，用于开发在室温下运行的单光子源。III组二硝酸盐先前已被证明具有有效的SPE，这些SPE归因于材料的大带隙内的深度能级，其构型与钻石的广泛研究的颜色中心相似。最近已经证明了氮和氮化铝（ALN）内的缺陷中心的抗束发射。由于III-硝酸盐与洁净室过程的兼容性，这种缺陷的性质和形成它们的最佳条件尚未完全理解，虽然特别有趣。 在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。 我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。 在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。 这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。虽然特别有趣。在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。
新兴污染物和致病性微生物消除了二次废水的氮化碳光催化过程
化学和生物学的水污染物的复杂性需要有效且可行的治疗方法。在此，使用氮化碳催化剂的光催化臭氧处理有效地用于消除靶向化学污染物的混合物，以及在实际的次级含水量中的大肠杆菌细菌和人类多瘤病毒JC（JC病毒）。在使用尿素和三聚氰胺作为前体制备的催化剂中比较了去角质处理。物理治疗没有明显增强基于尿素的催化剂，而三聚氰胺基（36MCN）材料的结构的改善和MELEM异质结的形成增加了其催化特性。在两组污染物中，光催化的臭氧化系统都优于光解臭，尤其是在臭氧消耗方面。最好的催化剂36mcn，导致消除化学，细菌和病毒污染物所需的臭氧剂量下降57.5％，33.0％和29.0％。羟基自由基还显示为污染物消除的钥匙。臭氧的较高的自由基生产和分解是可能的迹象表明，石墨氮化碳光催化臭氧化的性能更好，这是有效的第三级废水替代方案。