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氮氧化铪的制备技术及优化（...
本研究致力于脉冲直流反应磁控溅射氧氮化铪 (HfOxNy) 薄膜的技术和优化。采用田口正交表法优化 HfOxNy 薄膜的制备工艺，以获得具有最佳电气参数的材料。在优化过程中，通过对以氧氮化铪为栅极电介质的 MIS 结构的电气特性监测介电薄膜的参数。还检查了制备的 HfOxNy 层的热稳定性。结果显示，热处理后制备的薄膜的电气参数有所改善。即，我们观察到有益的平带电压 (Vfb) 值、CeV 特性的频率色散消失、有效电荷 (Qeffi/q) 降低以及所检查的 MIS 结构界面陷阱 (Dit) 密度降低。然而，与参考样品相比，介电常数值略低。证明了 HfO x N y 层在高达 800 °C 的温度下具有优异的稳定性。尽管观察到层体中结晶相的显著增加，但未发现电气性能或表面形貌的恶化。本研究的结果使所研究的采用脉冲直流反应磁控溅射制备的 HfO x N y 成为 MIS 结构和器件中栅极电介质的可能候选者。
适用于 X 波段 AESA 雷达应用的 10W GaN on SiC CPW MMIC 高功率放大器，PAE 为 44.53%
本文介绍了一种用于雷达应用的新型 X 波段碳化硅 (SiC) 共面波导 (CPW) 单片微波集成电路 (MMIC) 高功率放大器 (HPA) 设计。在设计中，采用了 0.25 μ m γ 形栅极和高电子迁移率晶体管 (HEMT)，它们采用了碳化硅基氮化镓技术，因为它们具有高热导率和高功率处理能力。此外，在 8.5 GHz 至 10.5 GHz 的频率范围内，反射系数低于 -10 dB，可产生 21.05% 的分数带宽。此外，MMIC HPA 在 2 GHz 带宽内实现了 44.53% 的功率附加效率 (PAE)，输出功率为 40.06 dBm。此外，由于 MMIC HPA 具有高输出功率、宽工作带宽、高 PAE 和紧凑尺寸，因此非常适合用于 X 波段有源电子扫描阵列雷达应用。索引术语 — 有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达、共面波导 (CPW)、碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN)、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、高功率放大器 (HPA)。
IGH 12-69 工业燃气外壳
IGH 12-69 系列是落地式过滤器外壳，配有顶部法兰盖和吊架，专为在公用设施和工艺应用中安全高效地过滤压缩空气和氮气而设计。它们适用于 12 至 69 个滤芯，配置范围广泛，制造符合行业标准。不锈钢外壳采用高品质氮化钝化处理，提供最大的耐用性和抗腐蚀性，同时确保最终的气体质量。
Kulwant Singh 教授（博士），技术硕士，博士
本发明将薄膜和基底之间存在错配应变时材料行为的变化关联起来。为了量化目的，发明人对沉积在厚蓝宝石/硅基底上的氮化镓 (GaN) 薄膜进行了纳米压痕数值实验，以评估薄膜中的负载与变形。这对于电子工业和 MEMS、NEMS、LED 等设备非常重要，因为变形的微小变化会影响这些设备的性能。印度专利
intersil 空间产品
ISL70040SEH 和 ISL73040SEH 低侧氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 驱动器以及 ISL70023SEH 和 ISL70024SEH GaN FET 可用于运载火箭和卫星以及井下钻探和高可靠性工业应用中的初级和次级 DC/DC 转换器电源。这些设备为铁氧体开关驱动器、电机控制驱动器电路、加热器控制模块、嵌入式命令模块、100V 和 28V 电源调节以及冗余切换系统供电。
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。
GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中穿线位错引起的垂直场不均匀性
数据可用性声明：支持本研究结果的数据可根据合理要求从通讯作者处获取。1 H. Amano、Y. Baines、E. Beam 等人，2018 年 GaN 电力电子路线图，Journal of Physics D: Applied Physics。51，(2018)。2 K. Husna Hamza 和 D. Nirmal，GaN HEMT 宽带功率放大器综述，AEU - 国际电子和通信杂志。116，153040 (2020)。3 G. Meneghesso、M. Meneghini、I. Rossetto、D. Bisi、S. Stoffels、M. Van Hove、S. Decoutere 和 E. Zanoni，GaN 基功率 HEMT 的可靠性和寄生问题：综述，半导体科学与技术。31，(2016)。 4 JA del Alamo 和 J. Joh，GaN HEMT 可靠性，微电子可靠性。49，1200-1206 页 (2009)。5 M. Meneghini、A. Tajalli、P. Moens、A. Banerjee、E. Zanoni 和 G. Meneghesso，基于 GaN 的功率 HEMT 中的捕获现象和退化机制，半导体加工材料科学。78，118-126 页 (2018)。6 B. Kim、D. Moon、K. Joo、S. Oh、YK Lee、Y. Park、Y. Nanishi 和 E. Yoon，通过导电原子力显微镜研究 n-GaN 中的漏电流路径，应用物理快报。104，(2014)。 7 M. Knetzger、E. Meissner、J. Derluyn、M. Germain 和 J. Friedrich，《用于电力电子的碳掺杂变化与硅基氮化镓垂直击穿之间的关系》，《微电子可靠性》。66，16-21 (2016)。 8 A. Lesnik、MP Hoffmann、A. Fariza、J. Bläsing、H. Witte、P. Veit、F. Hörich、C. Berger、J. Hennig、A. Dadgar 和 A. Strittmatter，《碳掺杂氮化镓的性质，固体物理状态 (b)》。254，(2017)。 9 B. Heying、EJ Tarsa、CR Elsass、P. Fini、SP DenBaars 和 JS Speck，《位错介导的氮化镓表面形貌》，《应用物理学杂志》。 85,6470-6476 (1999)。
TagoreTech 任命 Mark J. Lachiw 为高级质量和供应链经理
TagoreTech 成立于 2011 年 1 月，致力于开发用于高功率射频 (RF) 应用的硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 半导体技术。TagoreTech 是一家无晶圆厂半导体公司，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。我们的研发团队致力于利用宽带隙技术开发颠覆性解决方案，为我们的客户带来显著的尺寸、重量和功率 (SWaP) 优势。如需了解更多信息，请访问 www.tagoretech.com