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World File Search System沉积的
针对SI的密集垂直III – V纳米线的定向自组装及其对栅极全能沉积的影响
由于材料之间的晶格错误匹配，SI底物上窄带III – V材料的大规模整合仍然是一个挑战。[1,2]纳米级开口的外延生长降低了源自III – V/SI界面以传播到活动设备的缺陷的可能性，并证明了表现优势。[3]其他剩余的挑战是模式技术，[4]小型大小，高模式密度和经济高效的处理具有吸引力。高密度模式的一种可能的光刻溶液是块共聚物（BCP）光刻。[5–7]该技术依赖于自组装，这意味着该分辨率不是由clas的局限性设置的，例如辐射波长或接近度效应。[8,9] BCP光刻分辨率极限主要是由其总体聚合度和组成块不信用的程度设定的。[10]该技术是低成本的，允许在高图案密度下转移图案转移 - 至少至12 nm螺距。[11,12]一种特殊的材料，聚（苯乙烯） - 块-poly（4-乙烯基吡啶）（PS-B -P4VP），是所谓的高χBCP，即块之间具有很高的缺失性，这使自组件能够最低10 nm lamelar powd。[13]通过控制聚合物分子量，聚合物块的不混溶，聚合物块的体积分数，底物表面能和表面形象，如果向聚合物链提供足够的迁移率，则可以实现自组装。[14]可以通过添加热量来提供所需的迁移率，[15]通过介入聚合物可溶性蒸气，[16,17]或两者的组合。[18]许多设备应用程序受益于模式对齐，为此，可以使用定向自组装（DSA）来控制模式的定位。[5,6,19–22]然后，通常使用电阻的电子或光子暴露创建引导模式，并且指导是通过改变表面能量或创建不同地形来完成的。[19]
在自然沉积的 Ti3C2Tx 上组装的分级钴镍双氢氧化物阵列可用于高性能柔性超级电容器
由于其高功率密度、环境友好、卓越的充放电能力、长循环寿命和安全性，纳米材料成为最有希望的储能候选材料之一。[4,5] 将纳米材料加工成具有高电导率和良好机械稳定性的独立薄膜对超级电容器具有重要意义。要为高性能超级电容器选择合适的纳米材料，必须考虑卓越的表面特性、固有的高强度和电导率。[6,7] 在寻找能够提供所有这些特性的替代品的过程中，最近发现的二维材料 MXene 显示出巨大的潜力。MXenes 是二维家族中的一种新型候选材料（MXenes 描述为 M n + 1 X n T x ，其中 M、X 和 T x 通常代表早期过渡金属、C 或 N，以及吸附的表面功能团如 OH、 O 和 F，其中 n = 1、2 或 3）。 [8] 2D 过渡金属碳化物和氮化物 MXene（包括 Ti3C2Tx、Mo2CTx 和 V4C3Tx）具有高金属电导率、优异的循环稳定性和丰富的表面化学基团，是超级电容器的优良电极材料。[9] 通过真空辅助过滤制备 MXene 独立膜是实现这些特性的最佳选择。[10] 例如，卷曲的 Ti3C2Tx 薄膜表现出 150 000 S m−1 的高电导率和重量电容
布朗运动对微通道中纳米颗粒沉积的影响
随着电子设备对冷却系统的需求不断增长，纳米流体-微通道散热器（MCHS）已成为热门话题。然而，解决纳米颗粒沉积问题是将该技术推向工业规模的关键。传统研究侧重于静态纳米流体的化学特性。然而，热物理因素也会影响流动流体的沉积。为了分析直微通道中 Al 2 O 3 -水纳米流体的热物理特性，使用离散相模型（DPM）模拟布朗力。结果表明，布朗运动对颗粒沉积有很大影响。然而，对于 MCHS 中的纳米流体，温度对平均自由程的影响可以忽略不计。沉积速率随颗粒直径的增加而降低，但随速度的增加而降低。这些结果在设计新的微通道结构时具有指导意义，并能提供减少沉积的最佳条件。关键词：纳米流体、MCHS、DPM、沉积非参数
激光定向能量沉积的粉末尺度多物理场数值模拟黄辰阳，陈嘉伟
摘要 激光定向能量沉积（L-DED）作为一种同轴送粉金属增材制造工艺，具有沉积速率高、可制造大型部件等优点，在航空航天、交通运输等领域有着广泛的应用前景。然而，L-DED在金属零件尺寸和形状的分辨方面存在工艺缺陷，如尺寸偏差大、表面不平整等，需要高效、准确的数值模型来预测熔覆轨道的形状和尺寸。本文提出了一种考虑粉末、激光束和熔池相互作用的高保真多物理场数值模型。该模型中，将激光束模拟为高斯表面热源，采用拉格朗日粒子模型模拟粉末与激光束的相互作用，然后将拉格朗日粒子模型与有限体积法和流体体积相结合，模拟粉末与熔池的相互作用以及相应的熔化和凝固过程。
直流反应磁控共溅射沉积的钽-钛氮氧化物薄膜：机械、光学和电学特性
摘要：调整二元 Me 氮氧化物 (Me 1 Me 2 ON) 的元素组成和结构的可能性可以为多种应用带来有吸引力的特性。在这项工作中，钽-钛氮氧化物 (TaTiON) 薄膜通过直流反应磁控共溅射沉积，对基片支架施加 -50 V 偏压，基片温度恒定为 100 ◦ C。为了以受控方式增加或减少共溅射膜中的 Ti 和 Ta 含量，Ti 和 Ta 靶电流在 0.00 和 1.00 A 之间变化，步长为 0.25 A，同时保持施加到两个靶上的电流总和为 1.00 A。反应气体流量由具有恒定 N 2 /O 2 比率 (85%/15%) 的氮气和氧气混合物组成，也保持恒定。单金属氮氧化物（TaON 和 TiON）结晶度较低，而所有其他共溅射膜则基本呈非晶态。这两种膜还表现出对金属基材的更高附着力。TaON 膜的硬度值最高（14.8 GPa），TiON 膜的硬度值低得多（8.8 GPa），而共溅射涂层的硬度值介于两者之间。最有趣的发现之一是，当 Ti 浓度超过 Ta 浓度时，O 含量显著增加。这不仅显著影响了膜的光学特性，还影响了其电性能。共溅射膜的薄层电阻率在很大程度上取决于 O/(Ta + Ti) 原子比。
电沉积的羟基磷灰石/氧化石墨烯/氧化锆氧化物复合涂料：表征和抗菌活性
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石，锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段，除了表征创建的复合涂层外，通过使用扫描电子显微镜（SEM）评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外，通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段，通过使用X射线衍射分析，绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段，为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为，并将其与非涂层样品进行了比较，对化学偏振形式的电化学分析进行了比较，并与绘制相关图表进行了分析。最后，在第四阶段，进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试，并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明，使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明，使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
绿色 CVD-迈向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021)，绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，39(5)，051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
金属定向能量沉积的过程要求
•零件验证过程是一份文档，描述了过程，构建布局，无损测试，破坏性测试和样品提取地点以及对零件验证构建的任何特定应用程序测试。•必须在执行零件验证构建和相关测试之前批准零件验证过程。•零件验证构建是使用批准的DED程序产生的牺牲构建。此构建包含在单个生产版本中生产的所有零件和见证优惠券。•捕获对材料性能的任何不可预见的几何影响，并允许特定于组件的测试（例如，爆发测试）。
离子能对高功率脉冲磁控溅射沉积的氮化钛薄膜的微结构和性能的影响
摘要：氮化钛（Ti-n）薄膜是电导和导导的，具有高硬度和耐腐蚀性。致密和无缺陷的Ti-N薄膜已被广泛用于切割工具，耐磨性组件，医疗植入装置和微电子的表面修饰。在这项研究中，通过高功率脉冲磁控溅射（HPPM）沉积了Ti-N薄膜，并分析了其血浆特性。通过调节底物偏置电压以及其对微结构，残留应力和薄膜的粘附的影响来改变Ti物种的离子能量。结果表明，在引入氮气后，在Ti靶标表面形成了Ti-N化合物层，从而导致Ti目标放电峰功率增加。此外，Ti物种的总频量减少，Ti离子的比率增加。HPPM沉积的Ti-N薄膜密集且无缺陷。当Ti-ions的能量增加时，Ti-nfim的晶粒尺寸和表面粗糙度减少，残留应力增加，Ti-N Thin Fimflm的粘附强度降低。
对激光束能曲线的模拟和实验分析，以提高线馈激光沉积的效率
抽象的激光覆层是一项公认的技术，大多数先前的数值建模工作都集中在基于粉末过程的过程中的交付和融化池行为。这项研究对优化的激光束成型进行了新的研究，以针对电线基的独特特性，其中直接底物加热以及电线和底物之间的热传递非常重要。与基于粉末的材料交付相比，该主题的值是通过基于电线的沉积过程来改善的沉积速率和致密的金属结构。线内温度分布（AISI 316不锈钢），底物的传热和直接加热（低碳钢）是通过传热模拟建模的，具有三个激光束辐照度分布。此分析确定了通常与标准高斯分布相关的局部高温区域的去除，以及均匀方形梁曲线可以提供的改进的底物加热。使用横截面光学显微镜分析了使用预位线和1.2 kW CO 2激光器的实验，以提供模型验证和改进的电线覆盖层润湿的证据，同时维持甲壳材料中有良好的抗甲基甲虫。这项工作的关键发现是从480 W/mm 2减少，在从高斯分布更改为均匀的平方分布时，需要辐照辐射，以进行有效的熔融池形成。这也可减少总能量50％。认可和讨论了能源效率，降低成本和可持续性改善的潜在提高。