结果和讨论:结果表明,物种的差异导致了两种森林之间土壤特性的差异,尤其是在云南氏假霉菌的土壤pH值显着增加。森林和Armandii Franch的土壤pH值显着减少。森林。氮添加均未显着影响任何任一元尼南氏菌的微生物多样性。或P. Armandii Franch。土壤;但是,森林类型的差异对细菌多样性产生了重大影响。氮的添加显着影响了两种森林中特定微生物群落的相对丰度,尤其是改变了云尼南氏菌的真菌群落结构,而在两种森林类型的细菌群落结构中均未观察到任何显着变化。此外,氮的添加增加了云尼那尼氏菌的细菌群落的网络复杂性。森林,同时降低了Armandii Franch的网络复杂性。森林。结构方程建模表明,氮添加通过修饰氮的可用性来调节两种森林类型的土壤细菌和真菌多样性。
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体(CMOS)后端(BEOL)兼容设备的兴趣,用于整体3维(3D)集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体,至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积(ALD)氧化二颗粒(在2 O 3中)的性能卓越,例如高驱动电流,高迁移率,陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中,使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT,表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级,可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态(DOS)的高尺寸(DOS),这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
摘要 基于激光的金属定向能量沉积模拟受到越来越多的关注,旨在减少选择适当的加工条件来修理或大修实际部件的实验工作。需要解决的主要问题之一是对残余应力的评估,残余应力可能导致零件在标称载荷下失效。在这方面,特别是涉及铝合金,很少有研究进行开发和验证。本文解决了这方面知识的缺乏:即,在单次沉积的情况下讨论了模拟沉积金属活化的正确方法,并将其转移到基板上多次沉积的情况。通过与 X 射线衍射产生的实际应力进行比较来验证预测的残余应力。
摘要:热机械特性高度依赖于定向能量沉积 (DED) 工艺的沉积策略,包括沉积路径、道间时间、沉积体积等,以及基材的预热条件。本文旨在通过有限元分析 (FEA) 研究沉积策略和预热温度对采用 DED 工艺沉积在 AISI 1045 基材上的 Inconel 718 高温合金热机械特性的影响。针对不同的沉积策略和预热温度建立了 FE 模型来研究热机械行为。采用 16 种沉积策略进行 FEA。通过比较实验和 FEA 的温度历史来估算热沉系数,以获得合适的 FE 模型。研究了沉积策略对设计的小体积沉积模型中残余应力分布的影响,以确定可行的沉积策略。此外,还研究了沉积策略和预热温度对大体积沉积设计部件残余应力分布的影响,以预测合适的DED头沉积策略和合适的基体预热温度。
摘要。在本文中,研究并制定了基于Al和Cuox的能量纳米级粉末材料的电泳沉积的特征和主要细微差别。我们成功证明了在沉积过程中使用悬架非停车超声混合和水平电极放置的优势。显示了在导电拓扑模式上局部沉积局部沉积的可能性。研究了沉积材料的质量对局部形成的能量材料的波燃烧过程行为的影响。这项研究为多目标优化提供了指导,并增加了局部电泳沉积过程的可重复性。结果表明,可以将Alcuox混合物整合到微能系统中,作为具有出色特异性特征和高燃烧速率的材料。
利用三维受限磁控溅射源 (L-3DMS) 在低于 100 C 的温度下成功沉积了超薄锡掺杂结晶氧化铟 (ITO) 薄膜 (≤ 50 nm)。在低处理温度下沉积的超薄 ITO 薄膜的电阻率和迁移率分别约为 ∼ 5 × 10 − 4 · cm 和 > 30 cm 2 /Vs (厚度为 30 nm)。据信,利用 L-3DMS 沉积的超薄 ITO 薄膜的高质量与 L-3DMS 的高密度等离子体和低放电电压改善了 ITO 薄膜的结晶度和氧空位有关,这使得能够在低处理温度下形成晶体结构。关键词:透明导电氧化物 (TCO)、3-D 受限磁控溅射、ITO 薄膜、高等离子体密度、晶体结构、低温。
通过梅尔德过程沉积的标本。在此图像中,可以看到底物和第一个沉积层之间的界面以及第一和第二沉积层之间的界面。有助于识别接口红色箭头以及两侧的绿色虚线。