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World File Search System沟槽
研究基于堆叠的源沟槽TFET
摘要：为了检测生物分子，提出了基于介电调节的堆叠源沟槽闸门隧道效果晶体管（DM-SSTGTFET）的生物传感器。堆叠的源结构可以同时使状态电流较高，并且较低的状态电流较低。沟槽栅极结构将增加隧道区域和隧道概率。技术计算机辅助设计（TCAD）用于对拟议的结构化生物传感器的灵敏度研究。结果表明，DM-SSTGTFET生物传感器的当前灵敏度可以高达10 8，阈值电压灵敏度可以达到0.46 V，亚阈值秋千灵敏度可以达到0.8。由于其高灵敏度和低功耗，该提议的生物传感器具有很高的前景。
实验证明了1.2 kV的沟槽簇状隔热栅极双极晶体管
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中，通过引入沟槽几何学[1]，野外停机（FS）技术[2]和注射增强（IE）效应来取得重大进展。但是，在州绩效，切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩（DA）在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制，并保持与宽带差距（WBG）功率设备的竞争力，必须以可靠的方式实施创新的硅技术，以实现自由运营和显着降低功率损失，同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻，从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT（TCIGBT）是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外，即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较，固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10，11]。因此，TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案，可以超越当前IGBT技术的限制。
利用焦外扫描光学显微镜和深度学习方法进行 MEMS 高深宽比沟槽三维测量
摘要：高纵横比结构在 MEMS 器件中的重要性日益凸显。对高纵横比结构进行原位、实时关键尺寸和深度测量对于优化深蚀刻工艺至关重要。离焦扫描光学显微镜 (TSOM) 是一种高通量且廉价的光学测量方法，可用于关键尺寸和深度测量。迄今为止，TSOM 仅用于测量尺寸为 1 µ m 或更小的目标，这对于 MEMS 来说远远不够。深度学习是一种强大的工具，它可以利用额外的强度信息来提高 TSOM 的性能。在本文中，我们提出了一种基于卷积神经网络模型的 TSOM 方法，用于测量硅上单个高纵横比沟槽，其宽度可达 30 µ m，深度可达 440 µ m。进行了实验演示，结果表明，该方法适用于测量高纵横比沟槽的宽度和深度，标准偏差和误差约为一百纳米或更小。所提出的方法可应用于半导体领域。
CRG40T60AN3H 硅 FS 沟槽 IGBT
散热器的光滑度。3. IGBT 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
硅 FS 沟槽 IGBT - CRG60T60AK3HD
散热器的光滑度。3. IGBT 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
沟槽安全：挖掘前先做好规划！
• 每天在工作开始前、班次期间条件发生变化时以及每次暴雨后，请合格人员检查沟渠、附近区域和防护系统。 • 在沟渠周围设置标志、屏障和防护装置。 • 使所有车辆和机械与挖掘现场保持安全距离。 • 确保梯子和出口距离沟渠内的任何工人不超过 25 英尺。 • 一旦发现任何可能导致塌方的证据，立即将工人从挖掘现场撤出。 • 监测可能发生的其他类型的沟渠相关危险，例如从边缘坠落、索具危险、有毒和可燃气体或缺氧情况。 • 执行程序以确保不会在无保护的沟渠中工作。
N型衬底超快三维沟槽电极硅探测器的抗辐射性能
摘要：ATLAS 和 CMS 实验预测高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）最内层像素探测器的辐射注量高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。辐射剂量的增加将导致探测器性能下降，例如漏电流和完全耗尽电压增加，信号和电荷收集效率降低，这意味着有必要开发用于甚高亮度对撞机的抗辐射半导体器件。在我们前期对超快三维沟槽电极硅探测器的研究中，通过模拟不同最小电离粒子（MIP）撞击位置下的感应瞬态电流，验证了从 30 ps 到 140 ps 的超快响应时间。本工作将利用专业软件有限元技术计算机辅助设计（TCAD）软件框架，模拟计算探测器在不同辐射剂量下的全耗尽电压、击穿电压、漏电流、电容、加权场和MIP感应瞬态电流（信号）。通过分析模拟结果，可以预测探测器在重辐射环境下的性能。像素探测器的制作将在中国科学院微电子研究所的CMOS工艺平台上进行，采用超纯高电阻率（高达10 4 ohm·cm）硅材料。
150V N 沟道沟槽 MOSFET（初步） - NET
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采用顺序磷掺杂硅的沟槽场板功率 MOSFET 工艺优化
图 7 显示了 (A) 磷扩散和 (B) 无退火顺序掺杂的 (1) 横截面 TEM 图像和 (2) EDX 磷映射图像。在磷扩散以及退火顺序掺杂（未显示）中，硅变成多晶（图 7(A-1)），其中多晶粒加剧了干蚀刻变化。另一方面，对于无退火顺序掺杂（图 7(B-1)），硅保持非晶态，这改善了干蚀刻变化。EDX 的结果使硅差异与磷原子位置的差异相一致（图 7(A-2) 和图 7(B-2)）。从干蚀刻工艺变化的角度来看，对于硅场板电极而言，无活化退火顺序掺杂更胜一筹。