背景:脑电图 (EEG) 是一种关键的非侵入性工具,它可以以毫秒级的精度捕捉脑信号,并能够实时监测个人的精神状态。从这些 EEG 信号中提取适当的生物标志物并将其呈现在神经反馈回路中,为促进神经补偿机制提供了一种独特的途径。这种方法使个人能够熟练地调节他们的大脑活动。近年来,人们已经发现了与衰老相关的神经生物标志物,凸显了神经调节在老年人大脑活动方面的潜力。方法和目标:在基于 EEG 的脑机接口框架内,本研究重点关注了衰老大脑中可能受到干扰的三种神经生物标志物:峰值 Alpha 频率、Gamma 波段同步和 Theta/Beta 比率。主要目标有两个:(1)通过一项严格设计的双盲、安慰剂对照研究,研究主观记忆力不佳的老年人是否可以通过脑电图神经反馈训练学会调节他们的大脑活动;(2)探索这种神经调节可能带来的认知增强。结果:在接受脑电图神经反馈训练的组中,观察到了伽马波段同步生物标志物的显著自我调节,这种调节对许多高级认知功能至关重要,并且已知会随着年龄的增长而下降,在阿尔茨海默病 (AD) 中下降得更厉害。这种效果与接受假反馈的受试者形成鲜明对比。虽然这种神经调节并不直接影响认知能力,如通过训练前和训练后的神经心理学测试所评估的那样,但研究开始时所有受试者的高基线认知表现可能是造成这一结果的原因。结论:这项双盲研究的结果与成功神经调节的关键标准相符,凸显了伽马波段同步在这一过程中的巨大潜力。这一重要成果鼓励进一步探索针对这一特定神经生物标志物的脑电图神经反馈,将其作为一种有希望的干预措施,以对抗通常伴随大脑衰老而出现的认知能力下降,并最终改变 AD 的进展。
摘要 — 提出了一种双波段、正交极化线性到圆极化 (LP-to-CP) 转换器的系统设计。这类极化转换器可以在两个独立的非相邻频带中将线性极化波转换为右旋和左旋圆极化 (RHCP 和 LHCP) 波。报道的极化器由三个级联的双各向同性薄片导纳组成,由两个各向同性介电板隔开。通过阻抗边界条件研究电磁问题。设计中采用了周期性加载传输线的传输矩阵分析。建立了一个分析模型,并推导出每个薄片导纳频率响应的闭式表达式。该方法避免了使用多参数优化程序。提出了一种用于 K/Ka 波段卫星通信应用的双波段、正交极化 LP-to-CP 转换器的示例。偏振器在 K/Ka 波段的发射和接收通道上分别执行 LP 到 LHCP 和 LP 到 RHCP 的转换。该设计通过原型进行了验证。在垂直入射下,偏振器在 18-22.2 GHz(∼ 21%)和 28.7-30.4 GHz(∼ 6%)波段上的轴比 (AR) 低于 3 dB。在相同的两个波段内,总透射率高于 -1 dB。扫描角度在 ± 45 ◦ 以内时性能稳定。对于 45 ◦ 的入射角,在 17-22 GHz(∼ 25.6%)和 28.6-30 GHz(∼ 4.7%)波段上的 AR 低于 3 dB,总透射率高于 -1.2 dB。
本文报告了两项 AlGaN / GaN 高电子迁移率晶体管 (AlGaN / GaN HEMT) 技术(器件“A”和器件“B”)的可靠性研究。对雷达应用的实际工作条件下承受应力的器件进行了故障分析研究。这些器件经过脉冲射频长期老化测试,11000 小时后射频和直流性能下降(漏极电流和射频输出功率下降、夹断偏移、跨导最大值下降、跨导横向平移以及栅极滞后和漏极滞后增加)。热电子效应被认为是钝化层或 GaN 层中观察到的退化和捕获现象的根源。光子发射显微镜 (PEM)、光束诱导电阻变化 (OBIRCH)、电子束诱导电流 (EBIC) 测量与这一假设一致。这三种技术揭示了沿栅极指状物的非均匀响应和不均匀分布,此外,在漏极侧或源极侧的栅极边缘上存在一些局部斑点。对这些斑点进行光谱 PEM 分析可识别出可能与位错或杂质等晶体缺陷有关的原生缺陷。对 AlGaN / GaN HEMT 的两种技术进行的原子探针断层扫描 (APT) 分析支持了这一假设。APT 结果显示存在一些化学杂质,如碳和氧。这些杂质在器件“A”中的浓度相对较高,这可以解释与器件“B”相比,该器件的栅极滞后和漏极滞后水平较高。
简介 鉴于对满足射频系统要求的需求日益增加,作为关键组件的循环器已成为研究的主题。传统循环器通常基于采用带状线或微带技术设计的 Y 型结形状。带状线循环器易于集成且损耗低。这种循环器拓扑结构可以通过同轴连接器连接,采用 Drop-in 技术实现或内置于表面贴装器件 (SMD)。尽管成本较高,但同轴循环器具有比其他产品更高的 EMC 屏蔽和功率处理能力。此外,Drop-in 设备处理的功率较少,并且没有 EMC 屏蔽。最后,SMD 循环器的功率处理能力低于同轴循环器,但 EMC 屏蔽比 Drop-in 更好。面对日益增长的小型化、集成化和降低成本的需求,LTCC(低温共烧陶瓷)技术是应对这些挑战的有希望的候选技术。LTCC 技术是一种通过多层结构封装集成电路的技术。它由堆叠胶带组成,可防止结点出现气隙,并降低高功率空间应用的多重击穿风险。在过去的几年中,许多已发表的研究都集中在 LTCC 循环器的设计上 [1]-[2]。然而,它们大多数都是理论上的,只有少数专注于工业用途 [3]。因此,Exens-Solutions 与 CNES、Thales TRT 和 IMT Atlantique 合作,提出了 LTCC 技术来开发用于保护有源天线的 K 波段循环器。该循环器由 Exens-Solutions 根据与 CNES 商定的规格设计。IMT Atlantique 负责循环器的制造过程。铁氧体和电介质材料带由 Thales TRT 开发。因此,本文分为四个部分。第一部分介绍 LTCC 循环器规格并详细介绍材料特性。第二部分描述了建立设计规则的试运行。第三部分讨论了 LTCC 循环器的设计步骤和模拟。制造步骤和测量结果在最后一节中报告。LTCC 环行器规格初步提出的拓扑结构采用带状线拓扑结构来设计封装在封装中的 LTCC 环行器。这种拓扑结构的优点是可以缩小环行器体积并避免金属路径受到任何损坏。如图 1 所示,在 LTCC 结构中添加了信号和接地通孔,以确保其与 SMD 表面的互连。
i.mx提供了一个称为i.mx BSP发行版的额外层,称为meta-imx,以将新的i.mx发行版与FSL YOCTO项目社区BSP集成。Meta-IMX层旨在发布更新的和新的Yocto项目食谱和机器配置,以适用于Yocto Project中现有的Meta-Freescale和Meta-Freescale-Distro层上尚不可用的新版本。I.MX BSP发布层的内容是配方和机器配置。在许多测试用例中,其他层实现了配方或包括文件,而I.MX发行层通过附加到当前食谱或包括组件并使用补丁程序或源位置更新来提供对配方的更新。大多数I.MX发行层食谱都很小,因为它们使用社区提供的内容并更新每个新的包装版本所需的内容,而这些版本在其他层中不可用。
• Fully integrated and green/RoHS module includes all required clocks, serial peripheral interface (SPI) flash, and passives • Integrated Wi-Fi ® and internet protocols • 802.11a/b/g/n: 2.4GHz and 5GHz • FCC, IC/ISED, ETSI/CE, and MIC certified • FIPS 140-2 Level 1 validated IC inside • Rich set of IoT security features helps developers protect data • Low-power modes for battery powered application • Coexistence with 2.4GHz radios • Industrial temperature: –40°C to +85°C • Wi-Fi network processor subsystem : – Wi-Fi core: • 802.11 a/b/g/n 2.4GHz and 5GHz • Modes: – Access Point (AP) – Station (STA) – Wi-Fi Direct ® (only supported on 2.4GHz) • Security: – WEP – WPA ™ / WPA2 ™ PSK – WPA2 Enterprise – WPA3 ™ Personal – WPA3 ™ Enterprise – Internet and application protocols: • HTTPs server, mDNS, DNS-SD, DHCP • IPv4 and IPv6 TCP/IP stack • 16 BSD sockets (fully secured TLS v1.2 and SSL 3.0) – Built-in power management子系统:•可配置的低功率配置文件(始终打开,间歇性连接,标签)•高级低功率模式•集成的DC/DC调节器•应用程序吞吐量 - UDP:16MBPS:16MBPS - TCP:13MBPS•13MBPS•多层安全性,
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口,包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°,增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器,用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz,并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量,并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化,并采用氮化硅钝化进行全面保护,以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估,并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。
由NXP的EDGELOCK™安全技术提供支持,IW610系列可确保使用安全的启动,安全调试,固件更新,反滚动和生命周期管理的安全性。内置的硬件保护,例如信任和加密加速器的根部,维护性能,在保持性能,符合苛刻环境的最高网络安全标准。
这些材料在激光中被广泛应用,包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点,由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容,目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法,因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺,其生长动力学尚未完全了解,特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统,例如 InAs/InP。因此,它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外,使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长,而无需任何额外的变质缓冲剂(例如 AlInAs/GaAs)。[16 – 18]
无线通信技术的飞速发展极大地推动了卫星通信的发展。卫星通信具有信息传输范围广、支持多个接收机同时通信等优势。随着卫星通信技术的不断进步,人们对更高传输速度和更宽频段的需求不断增加,这增加了人们对毫米波频谱中 Ka 波段频率的兴趣。与低频段相比,Ka 波段的数据传输速率更快,而且由于其超高频特性,也易于实现超低延迟。然而,大多数 K/Ka 波段卫星距离地面终端约 35,000 公里,距离和大气条件会导致信号衰减很大。
