XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System流会
双MIMO自由空间光学系统性能分析
过去几年，自由空间光通信 (FSO) 已成为射频通信的可行替代方案。它提供了一种有前途的高速点对点通信解决方案。然而，大气吸收、散射和湍流会显著降低无线光通信，从而降低设备效率。由于上述大气原因导致的信号衰减是影响设备效率的另一个主要因素。观察到大气湍流条件被实施到不同的 FSO 系统模型中，例如单输入单输出 (SISO)、多输入多输出 (MIMO)、波分复用 MIMO (WDM-MIMO) 和出于各种原因使用 Gamma-Gamma 模型的提议模型双多输入多输出 (DMIMO)。使用 OptiSystem 7.0 软件进行模拟，以研究各种天气条件（晴天、霾天和雾天）如何影响信道的性能。模拟结果表明，为 FSO 系统实施双多输入多输出 (DMIMO) 技术可为各种范围提供高质量因数，同时仍在接收器端实现准确的传输数据。在晴空、霾和雾等大气湍流条件下，信号功率水平、质量因数和链路距离范围的性能改善已得到证实。
1963 年 3 月 TAC 攻击 Bob White 少校
“飞行没什么大不了的，”我们一边想着，一边回避道，•·•但如果你想飞到老，你就得多加怀疑。”有一天他会明白我们的意思，明白我们说这番话是经过深思熟虑的。事实上，怀疑正是它所需要的。飞行员永远不应该相信任何人或任何事，包括他自己。这从飞行前的计划开始，他要仔细检查自己的数据，并以同样的怀疑态度审查其他人的意见。是的，Stormy，这也包括天气数据。不管有意还是无意，许多气象员都倾向于在逆风时增加几节，在顺风时减少几节。这不会让我们太难过，因为它会带来一点好处。什么伤害是一种失败。当我们向西飞行时，一股急流会转移到我们的飞行路线上。..或者天花板像断头台一样落在我们毫无防备的脸上。是的，先生。不管柜台后面的人有多聪明，我们都喜欢偷看地图和序列并得出我们自己的猜测。我们已经这样做了 20 多年，没有放弃的打算。当然，我们偶尔会猜错，但我们从未感到惊讶或陷入陷阱。
JHEP06（2024）139
摘要：我们提出了一个新型的带有有限的baryon和Isospin化学势的QCD中的新型重型涡流相。众所周知，均质带电的PION冷凝物在有限的等音化学势下作为基态出现，因此，带有施加磁场的Abrikosov Vortex晶格出现。我们首先证明具有与常规Abrikosov涡流具有相同量化的磁通量的涡流，一旦我们考虑了对涡旋内部核心内部中性亲的调制，将由第三个同型Skyrmions捕获的Baryon数。因此，这种涡旋 - 西卡米式状态被称为Baryonic涡流。我们进一步揭示，当巴属化学电位高于临界值时，重型涡流会从带电的Pion凝结中测量负张力。这意味着在没有外部磁场的情况下自发出现此类涡旋的相位，将在高baryon密度下接管基态。这样的新相促进了QCD相图的理解，并与中子星内的磁场的产生有关。
低空急流带来的能量有利于风电场的性能
低空急流是低空大气中的风能最大值。由于它们对风力发电场的发电量有重大影响，因此了解低空急流与风力发电场之间的相互作用至关重要，我们使用大涡模拟对此进行了研究。我们发现，当急流位于风力发电场上方时，风力发电场后部的发电量相对较高。当低空急流位于涡轮机轮毂高度时，后部涡轮机的发电量受到限制。但是，当急流在风力涡轮机下方流动时，后部涡轮机的发电量高于预期。原因是急流的负剪切产生了显著的向上夹带通量，这有助于下游涡轮机从急流中提取能量。虽然从发电的角度来看，低空急流是有益的，但我们的模拟还表明，它们的存在会导致气动载荷的显著周期性变化。这意味着低空急流会增加涡轮机所经受的疲劳载荷，这可能会对涡轮机的寿命产生负面影响。总的来说，我们的工作强调了基础流体动力学研究对于了解风电场流动动力学的重要性。
应用说明
一个关键的设计考虑因素是器件处理不安全电流水平的能力。与现有的 HITFET ® 一样，过载保护（包括短路和过热保护）分阶段起作用。这意味着如果超过内部电流限制 I D(lim)，输出级不会立即关闭，但电流会限制为 I D(lim)，并设置相应的位组合（SPI 寄存器）（预警）。因此，器件在模拟区域内工作，漏极和源极之间的电压增加。由于功耗增加，这会导致芯片温度升高。为了防止超过最大结温，受影响通道的温度传感器会关闭输出级。因此，器件可以自我保护。2.1.1 驱动灯 对于具有电容行为的负载，例如开关灯时，浪涌电流可能是稳态值的八倍或十倍。TLE 62xx GP 设备非常适合此类应用，因为它具有内部电流限制，可延长灯的工作寿命。图 3 显示了标称电流约为 0.8 A 的灯的开关。此处的“浪涌电流”限制在 1.3 A 左右。
EMC 设计技术 - Humerboard
• 让高速设备远离连接器和电线。IC 内部的金属化层、键合线和引线框架与附近的其他导体之间可能会发生耦合（例如串扰）。这些耦合的电压和电流会大大增加高频下的 CM 辐射。因此，请让高速设备远离所有连接器、电线、电缆和其他导体。唯一的例外是专用于该 IC 的高速连接器（例如主板连接器）。当产品最终组装时，内部的柔性电线和电缆可能位于各种位置。确保任何高速设备附近都不能有电线或电缆。（没有内部电线或电缆的产品通常更容易符合 EMC 标准。）散热器是导体的一个例子，显然不能远离要冷却的 IC。但散热器会像任何其他导体一样受到来自 IC 内部的耦合信号的影响。通常的技术是使用热导体将散热器与 IC 隔离（只要满足散热目标，越厚越好），然后使用许多非常短的连接将散热器“接地”到本地接地平面（通常可以使用机械固定装置）。
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。
高压应用的可靠性设计
材料特性、环境因素和产品设计的结合可能会产生意想不到的副作用。例如，漏电流可能会随着时间的推移而增加，最终可能导致硬电弧和灾难性故障。过多的漏电流可能会在高阻抗反馈电路中产生错误，从而导致电压随时间和温度变化而漂移和稳定性问题。FR4 PWB 基板特别容易受到污染和吸收水分的影响。吸收的水分会降低 FR4 的玻璃化转变温度 (Tg)，使组件在具有动态热条件的应用中容易发生现场故障。封装系统中的杂质、不正确的填料或不完全固化可能会导致过高的漏电流，这些漏电流会随时间和温度的变化而呈非线性和不稳定状态，从而可能破坏高压系统的稳定性。另一个例子是高压电路特别容易受到电化学迁移的影响。水分会促进离子腐蚀形成导电细丝。重新分布的金属离子可能会发生枝晶生长。高压应力会加速这些电化学过程（尽管锡晶须可以在没有电磁场的情况下形成）。
基于广义修正大气光谱的湍流对高斯光束传输影响的分析与仿真
多年来，大气湍流一直是物理学和工程学领域的研究热点。当激光束在大气中传播时，它会受到散射、吸收和湍流等不同光学现象的影响。大气湍流效应是由折射率的变化引起的。不同大小的涡流会影响光波在大气中的传播。折射率的这些变化会导致传播的激光束产生不同的变化，如光束漂移、光束扩散和图像抖动。所有这些影响都会严重降低光束质量 (M 平方) 并降低系统在某些应用中的性能效率，包括自由空间光通信、激光雷达-激光雷达应用和定向能武器系统 [1- 5]。传统上，湍流由 Kolmogorov 模型类型定义。Kolmogorov 谱的幂律值为 11/3，用于描述高斯分布 [6]。许多光谱具有特定的内尺度和外尺度，如 Tatarskii 光谱、von Karman 光谱、Kolmogorov 光谱和广义修正光谱 [7]。本研究采用广义修正大气光谱模型。我们通过数值和分析方法执行高斯激光光束在不同传播距离下的传播行为。此外，我们还研究了一些参数对光束传播的影响。讨论了所有模拟结果，并将其与文献中的结果进行了比较。
评估衰老诱导的电压滑动是锂离子细胞浮动电流的原因
摘要：本文对锂离子电池中的浮点电流分析进行了全面的探索，这是一种有希望的新测试方法来评估日历老化。浮点电流定义为瞬态部分后的稳态trick流动电流。在文献中，报告了与容量损失的相关性。假设浮点电流会补偿随着时间的推移的电压衰减，并且与日历老化有关，则必须考虑电压滑动的效果。DU/DQ分析仅表明活跃锂的损失。因此，我们研究了固体电解质相（SEI）的生长，作为解释浮点电流起源的一般老化机制。我们的结果表明，电压滑理论在低至中间测试电压范围内保持真实。然而，该理论的解释能力开始在更高的电压范围内减少，这表明存在影响浮动电流的其他但未知的因素。通过电解质分解对阴极的穿梭反应或晶石是高压下最有前途的替代老化机制。本文提出了一个独特的电压滑模型，以检查老化机制，浮点电流测试和检查测试之间的相关性。为了更好地理解，提出了测试策略来验证/伪造SEI以外的老化机制。