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用于能量色散 X 射线的硅漂移探测器模拟...
扫描电子显微镜与能量色散 X 射线光谱法 (SEM-EDS) 相结合是一种应用广泛的元素微分析方法。硅漂移探测器 (SDD) 的集成显著增强了 EDS 性能，由于其灵敏面积大、输出电容低，因此能够精确识别元素。对 SDD 的精确模拟可以提供洞察力，使未来模型的设计和优化成为可能，而无需昂贵且耗时的实验迭代。此外，当前基于模型的 EDS 应用量化方法已达到其最大预测精度。因此，创建更精确的模拟模型可以帮助在这些量化模型中实现更高的精度，这对所有 EDS 应用都具有极大的价值。考虑到这一目标，基于 Geant4、Allpix Squared 和 COMSOL Multiphysics 开发了一个用于在 EDS 中建模 SDD 的模拟框架。模拟涵盖整个物理流程，包括目标样品的特征 X 射线发射及其在探测器中的吸收。探测器内产生的电荷载体通过 SDD 的内部电场传播，并测量它们各自的电荷贡献以模拟 EDS 光谱。模拟模型与现有文献和内部实验测量结果进行了比较，在 SDD 调整良好的情况下显示出很强的一致性。讨论了模拟框架的局限性，并探索了进一步的研究以提高准确性和速度。关键词：X 射线光谱、硅漂移探测器、扫描电子显微镜、探测器模拟
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
超大规模 MRAM 单元中的自旋和电荷漂移扩散
设计先进的单位形状各向异性 MRAM 单元需要准确评估具有细长自由层和参考层的磁隧道结 (MTJ) 中的自旋电流和扭矩。为此，我们通过在隧道屏障界面处引入适当的自旋电流边界条件，并采用局部依赖于电荷电流磁化矢量之间角度的电导率，将成功用于纳米级金属自旋阀的分析方法扩展到 MTJ。从而准确地再现了作用于自由层的扭矩的实验测量电压和角度依赖性。超大规模 MRAM 单元的开关行为与最近对形状各向异性 MTJ 的实验一致。使用我们的扩展方法对于准确捕捉 Slonczewski 和 Zhang-Li 扭矩贡献对包含多个 MgO 屏障的复合自由层中的纹理磁化作用的相互作用绝对必不可少。
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
ABCD 研究中 n-Back 任务的计算建模：漂移扩散模型参数与精神障碍和心脏代谢疾病多基因评分的关联
摘要背景：认知功能障碍在精神障碍中很常见，是儿童期的一个潜在风险因素。儿童期认知功能与精神障碍多基因风险之间的关联性质和程度尚不清楚。我们应用计算模型来深入了解儿童期决策和工作记忆背后的机制过程及其与精神障碍和合并心脏代谢疾病的多基因风险评分 (PRS) 的关联。方法：我们使用漂移扩散模型推断青少年大脑认知发展 (ABCD) 研究中 3707 名 9 至 10 岁儿童在 n-back 任务期间决策和工作记忆背后的潜在计算过程。估计了基于单核苷酸多态性的认知表型的遗传性，包括计算参数、聚合 n-back 任务表现和神经认知评估。计算了阿尔茨海默病、躁郁症、冠状动脉疾病 (CAD)、重度抑郁症、强迫症、精神分裂症和 2 型糖尿病的 PRS。结果：认知表型的遗传度估计值为 12% 至 38%。贝叶斯混合模型显示，证据积累速度越慢，CAD 和精神分裂症的 PRS 越高。非决策时间越长，阿尔茨海默病的 PRS 越高，而 CAD 的 PRS 越低。决策阈值越窄，CAD 的 PRS 越高。负荷依赖性对非决策时间和决策阈值的影响分别与阿尔茨海默病和 CAD 的 PRS 相关。总体神经认知测试评分与任何精神或心脏代谢表型的 PRS 均无关。结论：我们发现计算认知过程与精神疾病和心脏代谢疾病的遗传风险之间存在明显的关联，这可能代表儿童认知风险因素。
PGA280 零漂移、高压、可编程增益仪表放大器数据表 (Rev. B)
(GPIO) 提供多种控制和通信功能。SPI 可以扩展以与更多设备通信，仅使用四个 ISO 耦合器即可支持隔离。PGA280 采用 TSSOP- 24 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +105°C。有关所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
战略漂移与企业绩效：文献综述
摘要：全球动态和不确定的商业环境导致组织之间的竞争加剧。这是由多种因素造成的，其中包括创新和技术变革、全球化、人口结构变化、客户需求和偏好的演变以及供应链动态。竞争加剧影响了企业绩效，许多组织未能实现计划的战略。企业必须了解和解决战略漂移问题，才能实现卓越和持续的绩效。企业绩效可能会受到战略漂移的影响。战略漂移是战略管理的一个概念，指的是组织在经历不断变化的环境时的反应，它被发现会通过管理惰性导致组织竞争优势下降、运营成本增加、创新和市场适应性下降，从而对组织绩效产生负面影响。这项研究的总体目标是回顾有关战略漂移的文献，以期突出适合作为未来研究工作基础的知识空白。具体而言，本研究回顾了现有的关于战略漂移及其相关现象的概念和理论文献，回顾了关于企业绩效及其相关现象的构造的相关实证文献，从所审查的文献中确定了新出现的概念理论和实证差距，并针对已确定的差距提出了一个合适的理论框架，以指导未来的研究。本研究以路径依赖理论、组织学习理论、约束理论、动态能力理论和开放系统理论为基础。对领导自满、营销短视、逻辑渐进主义和组织承诺以及企业绩效进行了实证研究。最后，本研究针对已确定的差距提出了一个合适的概念模型，并指导未来关于战略漂移及其相关现象对企业绩效的研究。本研究的结果对企业高层管理人员具有重要意义，因为它们将帮助他们理解战略漂移的概念及其对绩效的影响，从而能够制定战略，实现企业的竞争优势和卓越绩效。
对长期振幅漂移具有鲁棒性的量子门
量子门通常容易受到驱动门的物理量子位所施加的经典控制场的缺陷的影响。减少这种错误源的一种方法是将门分成几部分，称为复合脉冲，通常利用错误随时间的恒定性来减轻其对门保真度的影响。在这里，我们扩展了这种技术来抑制拉比频率的长期漂移，通过将它们视为幂律漂移的总和，其对状态向量的过度或不足旋转的一阶效应呈线性相加。幂律漂移的形式为 tp，其中 t 是时间，常数 p 是其幂。我们表明，抑制所有幂律漂移（p ⩽ n）的复合脉冲也是滤波器阶数为 n + 1 的高通滤波器[H. Ball 和 MJ Biercuk，《用于量子逻辑的 Walsh 合成噪声滤波器》，EPJ Quantum Technol。 2,11（2015）]。我们给出了用该技术获得的满足我们提出的幂律幅度标准 PLA(n) 的序列，并将其在时间相关幅度误差下的模拟性能与一些传统的复合脉冲序列进行了比较。我们发现，在一系列噪声频率下，PLA(n) 序列比传统序列提供更多的误差抑制，但在低频极限下，非线性效应对门保真度的影响比频率滚降更为重要。因此，先前已知的 F1 序列是 PLA(1) 标准的两个解之一，可以抑制线性长期漂移和一阶非线性效应，在低频极限下，它是比任何其他 PLA(n) 序列更清晰的噪声滤波器。
耦合自旋和电荷漂移扩散方法应用于磁性隧道连接
通常应用了一种耦合自旋和电荷转运的耦合转移方法，以确定作用于金属阀中磁化强度的自旋转移扭矩。这种方法不适合描述磁性隧道连接中主要的隧道传输。在这项工作中，我们向自旋和电荷漂移 - 扩散方程提出了一个耦合的有限元解。我们证明，通过引入磁化依赖性电阻率，人们可以成功地重现铁磁层中磁性方向的电阻依赖性。然后，我们研究所得扭矩对系统参数的依赖性，并表明该方法能够重现MAG Netic Tunnel Junction预期的扭矩幅度。作为整个结构的唯一方程组，这构成了一种有效的有限元方法来描述新兴的自旋转移扭矩记忆中的磁化动力学。