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VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
SSP61C系列低功耗电压检测器
应用电路 微机复位电路 通常需要复位电路来保护微机系统免受电源线中断导致的故障。以下示例显示了不同输出配置如何在各种系统中执行复位功能。 NMOS 开漏输出应用，用于独立电源
人工智能在内窥镜检查中无处不在，不仅用于检测和……
时间就是生命！虽然胃肠内镜检查挽救了许多患者免于癌症相关的死亡，但它在漏诊和内镜检查后癌症方面仍然付出了不可接受的代价[1-4]。社区内镜医师错过了近 80% 的早期 Barrett 相关肿瘤，这难道不是真的吗 [5]？非专家中心漏诊的早期胃癌也可能有类似的估计值。时间也是金钱！我们在内镜预测和内镜检查后确认之间的重复中浪费了多少？在区分腺瘤性和增生性息肉或预测癌前胃病变方面的能力不足会给病理学带来沉重的成本。如果时间就是生命，那么人工智能 (AI) 就是答案！人工智能不是又快又聪明又出色吗？它每秒可以进行数百万次数学运算，分析的帧数超过人眼，其准确度相当于甚至超过我们最优秀的专家。与结肠镜检查相关的人工智能数据显示，腺瘤检出率至少提高了三分之一，每次结肠镜检查的腺瘤检出率增加了 50%，息肉漏诊率也下降了相应的水平 [6]。人工智能还可以省钱！至少在内吞细胞镜检查中，无论内镜医师是谁，使用该技术都显示出非常高的息肉表征准确度 [7,8]。这提高了标准并节省了原本会浪费在病理学上的资金。毫无疑问，结肠镜检查告诉我们，如果时间是个问题，那么人工智能就是最快的答案！
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能
澳大利亚产品信息 SAXENDA® ...
给药方法 SAXENDA 仅供皮下注射。不得静脉注射或肌肉注射。SAXENDA 每日一次，可随时注射，与进餐无关。SAXENDA 笔仅供一人使用。应注射在腹部、大腿或上臂。注射部位应始终在同一区域内轮换，以降低皮肤淀粉样变性的风险 [参见第 4.8 节不良反应 (不良反应)]。无需调整剂量即可更改注射部位和时间。但是，最好选择一天中同一时间注射 SAXENDA，即选择一天中最方便的时间。如果在通常服药时间 12 小时内漏服一剂，患者应尽快服药。如果距离下次服药时间不到 12 小时，患者不应服用漏服的剂量，并恢复每日一次的下一次预定剂量。不应服用额外剂量或增加剂量来弥补错过的剂量。SAXENDA 不应与其他注射药品混合（例如输液液 [参见第 4.4 节特殊警告和使用注意事项]）。
S41598-024-72448-2.pdf
这项研究研究了垂直堆叠的CVD生长的RES 2 /MOS 2单极异质结构设备作为现场效应晶体管（FET）设备，其中Res 2上的RES 2充当排水管，而MOS 2在底部充当源。进行了RES 2 /MOS 2 FET设备的电气测量值，并针对不同VGS（闸门电压）（漏极电压）的ID（排水电流）（漏极电压）变化，显示了N型设备特性。此外，阈值电压是在栅极偏置电压上计算的，对应于〜12V。拟议的RES 2 /MOS 2 HeteroJunction FET设备的迁移率为60.97 cm 2 V -1 S -1。利用紫外线光学光谱和可见的紫外线光谱法提取了制造的VDW异质结构的带状结构，揭示了Res 2 /MOS 2界面处的2D电子气体（2DEG）的形成，从而探索了制造Fet的高载流子迁移率。通过跨异构结的屏障高度调节，研究了野外效应行为，并根据跨异构结的电荷传输提出了详细的解释。
结构钢的磁性，用于有限元法模拟裂纹监测
摘要 金属磁记忆法是一种监测钢结构疲劳裂纹的新技术，可通过最大限度地减少检查来降低运营费用并提高安全性。可以通过测量由地球磁场和永久磁化引起的自磁漏通来识别裂纹的几何形状。有限元法可用于模拟裂纹周围的感应磁场，以帮助解释自磁漏通测量，但不清楚应使用哪种材料特性。本研究旨在确定结构钢的磁导率，以便通过有限元法准确模拟裂纹周围的感应磁场。从两块方形钢板上方的测量中提取感应磁场，一块没有缺陷，一块有直缝，并与相对磁导率的有限元结果进行比较。对于两个板，都可以发现均匀的相对磁导率，实验结果和数值结果非常吻合。对于无缺陷且相对磁导率为 350 的板，误差在 20% 以内，并且集中在板的边缘周围。对于有缝隙且相对磁导率为 225 的板，误差在 5% 以内。
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
纳米级进展 - RSC 出版
晶体管尺寸越大，相同芯片面积内可以容纳的晶体管越多，更小尺寸、更高速度、更低能耗是驱动超大规模集成电路技术一代又一代快速发展的不变趋势。然而，如今摩尔定律正在逼近制造工艺的物理极限，目前晶体管的最小栅极宽度已经小于10纳米，如果尺寸继续缩小，制造工艺将变得异常困难。首先，栅极尺寸过窄的晶体管对电流的控制能力会急剧下降，从而产生“漏电流” 。4 – 6此外，为了在芯片上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层必须越来越薄，而这也会产生漏电流，最终造成额外的功耗，以及信号衰减和电路错误。第二，在5纳米及以下节点制造芯片时，晶体管的电子将受到量子隧穿效应，不再沿着既定的路径移动，5,7-9导致晶体管的特性失控，制造难度和成本增加。