XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System点缺陷
![arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/g:\will\search\icon\source\e\e7f8b0684e02a9d5de758877a1a9043c233d6145.webp)
arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
我们研究了点缺陷和Hg杂质在碘化抗氢化氢的电子特性中的影响（BI 4 I 4）。在不同温度下退火后我们的传输测量结果表明，BI 4 I 4的电阻率取决于其热史，这表明天然缺陷和杂质的形成可以影响电阻率的温度依赖性。我们的密度功能理论计算表明，二抗和碘反异地和二氮位置空位是主要的天然点缺陷。我们发现，二晶岩在频带边缘引入谐振状态，而碘反异地和二晶的空缺分别导致n型和p型bi 4 i 4 i 4。HG杂质可能在BI替代部位发现，从而产生Bi 4 I 4的P型掺杂。总体而言，我们的发现表明，由于载体的数量和类型的修改以及相关的缺陷（杂质）散射，因此本地点缺陷和杂质的存在可以显着改变电子特性，因此会影响BI 4 I 4的电阻率曲线。我们的结果表明，追求准量子量子材料的电子性质进行微调的可能路线。
MOS2 A
过渡金属二分法因其特性和维度的独特结合而在纳米级的各种应用中进行了研究。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们结合了Boltzmann运输理论和绿色基于功能的T -Matrix方法，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明可以通过点缺陷的存在来充分解释与晶状体导热率的1 /t温度依赖性的强偏差。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减小两种材料中两种材料中序列Vmo≈v= 2s> v = 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低了外部（ADATOM）缺陷的降低。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的正常都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果没有强制，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
缺陷 - 脚本 - 第1页
考虑：在从熔体结晶的新晶体的新部分中，点缺陷的浓度可能是由生长动力学控制而不是平衡控制的。如果系统现在试图达到平衡，则需要来源和汇来以生成或转储所需的内容。非常完美的Si晶体没有共同的来源和下沉，即位错和晶界。那会发生什么？还不完全清楚。关于SI还有更多的开放问题；激活样品的链接。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
固有的ge-rich sige/ ... div>中无意的p型电导率
在这项工作中，我们研究了固有的SI 0.06 GE 0.94 /gE塑料放松的异质结构的有效背景电荷密度（001）。hall效应测量和电容 - 电压填充显示在名义上固有的层中具有p型电导率，在10 15 cm 3中间的孔浓度在50至200 k的温度下，孔的浓度为孔。此外，通过深层瞬态光谱法发现位于中间隙位置的一个主要孔陷阱。载体捕获动力学测量值可以解释为由于点缺陷的组合，可能被困在扩展缺陷的应变场中，即螺纹脱位。
硅中电信波长的单光子发射器
鉴于其无与伦比的集成和可扩展潜力，硅很可能成为大规模量子技术的关键平台。由杂质 [ 1 ] 或量子点 [ 2 , 3 ] 形成的单个电子编码人造原子已成为硅基集成量子电路的有前途的解决方案。然而，在如此流行的半导体中，尚未分离出具有远距离信息交换所需的光学接口的单个量子比特 [ 4 ]。这里，我们展示了在植入碳原子的商用绝缘体上硅晶片中单个光学活性点缺陷的隔离。这些人造原子在电信波长下表现出明亮的线性偏振单光子发射，适合在光纤中长距离传播。我们的结果表明，尽管硅的带隙很小（≃ 1.1 eV）先验不利于此类观察 [5]，但硅可以容纳在单尺度上可光学隔离的点缺陷，就像宽带隙半导体一样 [6]。这项工作为硅基量子技术开辟了无数前景，从集成量子光子学到量子通信 [7] 和计量。借助微电子行业的巨大成功，硅无疑是部署大规模量子技术的有前途的平台。与单个掺杂剂 [1] 或栅极定义的量子点 [2,3] 相关的硅基电量子比特已经被用于展示可扩展集成量子电路的基本构造块。除了需要在稀释冰箱中操作之外，这些物质量子比特仍然不能远程交换长距离量子信息，因为它们不与光接口。另一方面，电信波长的光子量子比特可以通过概率非线性光学过程在硅内部产生[8]。即使它们适合长距离传播，这些光子也不会与物质量子系统耦合，从而限制了量子比特的实现。
特刊 - 微型结构的拉曼光谱
拉曼光谱法（RS）是一种众所周知的技术，它广泛用于物理化学，材料物理，生物学，工程甚至行星探索的广泛领域。rs已成为表征材料的化学成分和分子结构的主要工具之一。有关缺陷性质，材料的结晶或无定形特征以及该技术的大量信息。在本期中，原始论文和评论文章尤其有望表明RS在诸如以下主题中的兴趣： - 控制材料的制备，例如薄膜，纳米和微结构材料，以及提高其质量； - 掺入点缺陷的探测和缺陷结构的研究； - 与相变的联系（共存阶段，相变）； - 属性的增强（机械，电子，光学等）通过更好地了解结构。此问题可以概述该重要工具在物理和化学不同领域中的各种应用。
评论文章热电材料中的多维缺陷工程
热电材料经过几十年的发展，在理论和实验上都取得了长足的进步。随着热电性能的不断提高，材料中引入的缺陷也日趋复杂，为了优化热电性能，在热电材料中引入了零维点缺陷、一维线缺陷、二维面缺陷和三维体缺陷。考虑到各类缺陷的不同特点，深入了解它们在热电输运过程中的作用至关重要。本文对不同类型的缺陷对能带结构、载流子和声子的输运行为等缺陷相关的物理影响进行了分类和总结，并总结了缺陷的实验表征和理论模拟的最新成果，以便准确确定用于热电材料设计的缺陷类型。最后，基于目前的理论和实验成果，综述了利用多维缺陷优化热电性能的策略。
氧化铍中量子缺陷候选物的第一性原理研究
氧化铍 (BeO) 具有超宽带隙，是一种很有前途的量子缺陷宿主。我们利用混合函数的密度泛函理论，对 BeO 中的原生点缺陷进行了全面的第一性原理研究。我们发现铍和氧空位是最稳定的缺陷，而其他原生缺陷（如间隙或反位）则具有较高的形成能。我们通过检查自旋态和内部光学跃迁，研究了点缺陷作为量子缺陷候选者的可能性。氧空位 (V + O) 是一种合适的自旋量子比特或单光子发射体；我们还发现，通过与 Li 受体形成 (VO − Li Be) 0 复合物可以增强其稳定性。O − Be 反位还具有理想的光学和自旋特性。总体而言，由于其作为宿主材料的理想特性，BeO 可以成为量子缺陷的优良宿主，其中 V + O、(VO − Li Be) 0 和 O − Be 是主要候选者。