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考虑:在从熔体结晶的新晶体的新部分中,点缺陷的浓度可能是由生长动力学控制而不是平衡控制的。如果系统现在试图达到平衡,则需要来源和汇来以生成或转储所需的内容。非常完美的Si晶体没有共同的来源和下沉,即位错和晶界。那会发生什么?还不完全清楚。关于SI还有更多的开放问题;激活样品的链接。
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