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World File Search System热导率
协同改善热导率...
通过控制 SiC 纳米粒子的选择性定位和表面改性实现聚苯乙烯/聚偏氟乙烯共混物的导电性和阻燃性，ACS Appl. Mater. Interfaces 5 (2013) 6915–6924。11. QH Weng、XB Wang、X. Wang、Y. Bando、D. Golberg，功能化六方硼
混合金属锥薄膜的无序控制声速和热导率
聚合物的多面应用往往受到其热导率的限制。因此，了解聚合物中的热传输机制至关重要。在这里，我们利用分子层沉积来生长三种混合金属锥（即 alucone、zincone 和 tincone）薄膜，并研究它们的热和声学性能。混合聚合物薄膜的热导率范围为 0.43 至 1.14 W m − 1 K − 1 。利用动力学理论，我们将热导率差异的起源追溯到声速变化，这是由薄膜内的结构无序决定的。改变无序性对体积热容量和振动寿命的影响可以忽略不计。我们的研究结果为提高有机、混合和无机聚合物薄膜的热导率提供了方法。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
复杂结构 Cu 26 V 2 Sn 6 Se 32 中的超低晶格热导率
CVS-Se 32 和 CVS-Se 30 S 2 的 (κ l )。(c) Cu 基复合晶体中 κ l 随晶胞体积 (V c ) 的变化
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
通过STHM技术对热导率的定量测量：测量，校准方案和不确定性评估
摘要：热管理是电子组件缩减尺寸以优化其性能的关键问题。这些设备结合了越来越多的纳米结构材料，例如薄膜或纳米线，需要适合表征纳米级热性能的测量技术，例如扫描热显微镜（STHM）。在活动模式下，热热探针扫描样品表面，其电阻R随着探针和样品之间的热传递的变化而变化。本文提出了使用STHM技术对热导率进行定量和可追溯测量而开发的测量和校准方案，前提是校准和测量之间的热传递条件是相同的，即本研究的扩散热方案。在宏观上测得的K的校准样品用于建立将R与K的变化连接的校准曲线。对校准参数和估计的k值详细介绍了对不确定性（影响因素和计算技术）的完整评估。结果分析表明，使用STHM的热导率的定量测量（不确定性值为10％）仅限于导热率较低的材料（K <10 W m -1 K -1）。
基于厌氧微生物的热导率的在线监测
图2 Anaramos测量原理的示意图，具有示例性压力，氢和二氧化碳数据。（a）基于反复阶段的气体传递速率测量原理。虚线和罗马数字（I - III）代表相变。（I阶段）带有闭合阀的测量阶段，导致天空的气体积累和浓度增加。（II阶段）高流动相，特异性培养气体通过顶空气体的增加，以快速平衡气相。（第三阶段）低流相，并用特定的培养气体积极清除烧瓶顶空。黑匣子中的方程式简化了总气体转移速率（TGTR），氢转移速率（HTR）和二氧化碳转移速率（CTR）的计算。用于转移速率计算的部分压力DP的斜率在（a）中表示为绿色三角形。（b）压力，（c）氢和（d）二氧化碳传感器的生物重复材料的示例性传感器原始数据。Anaramos，厌氧呼吸活动监测系统。
