我们建议使用量子信息概念来表征高温下非微扰束缚态的热诱导熔化。我们应用张量网络在伊辛量子场论的静态和动态环境中研究这一想法,其中束缚态是受限的费米子对——介子。介子熔化的平衡特征是在热态第二 R'enyi 熵的温度依赖性中确定的,该熵从指数到幂律缩放不等。在非平衡状态下,我们将热淬火后反射熵从振荡到线性增长行为的转变确定为相关特征。这些分析应用范围更广,为描述量子多体和高能物理中的介质内介子现象带来了新方法。
基于对Cu(TFSI)2(BPP)2和Cu(MS 2 N)2(BPP)2或Cu(TFSI)2(BPE)2的讨论,CU(TFSI)2(TFSI)2(BPP)2(BPP)2(T M = 196°C)和CU(BF 4)2(BPP 4)2(BPP)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)2(bpp)。对于e离子,Cu(BF 4)2(BPP)2的e离子比Cu(TFSI)2(BPP)2更大,因为BF 4-尺寸较小。另一方面,对于Cu(TFSI)2(BPP)2, 9 E链链为33 kJ mol -1(表2)。 由于E离子和E链链的相反趋势,不可能要求δHFUS较大或更小的关系。 基于E链链值的S KIN ,Cu(TFSI)2(BPP)2的晶体中的S亲属预计将较小。 在s列中,tfsi-可以采用多个9 E链链为33 kJ mol -1(表2)。由于E离子和E链链的相反趋势,不可能要求δHFUS较大或更小的关系。基于E链链值的S KIN ,Cu(TFSI)2(BPP)2的晶体中的S亲属预计将较小。 在s列中,tfsi-可以采用多个,Cu(TFSI)2(BPP)2的晶体中的S亲属预计将较小。在s列中,tfsi-可以采用多个
摘要最近,已广泛研究了摩擦电纳米生成器(TENG)以开发柔性和可穿戴电子产品。在Teng修饰的各种方法中,熔化近场直接写作是制造固定液体Teng的新方法。在这里,将带有传统聚合物引入电纺PCL,以制造复合固体底层底层,然后选择水,二甲基酮和增益作为液体互动层。在本文中,比较了固体底物效应,温度梯度效应和液体底物效应。在本文中采用了Teng的独立模型,并且PCL-PI复合固体底层底层固体层产生的电荷比原始的底层高10倍以上,显示出高电荷产生能力融化近场直接直接的书面微纤维。此外,将讨论详细的调查,如何获得高电路电压和短路电流。
紫外纳秒激光退火 (LA) 是一种强大的工具,需要严格限制的加热和熔化。在半导体技术中,随着所提出的集成方案的复杂性不断增加,LA 的重要性也随之增加。优化 LA 工艺以及实验设计具有挑战性,尤其是当涉及具有各种形状和相的复杂 3D 纳米结构系统时。在这种情况下,需要对激光熔化进行可靠的模拟,以优化工艺参数并减少实验测试次数。这产生了虚拟实验设计 (DoE)。𝑆𝑖 1− 𝑥 𝐺𝑒 𝑥 合金如今因其与硅器件的兼容性而被使用,从而能够设计应变、载流子迁移率和带隙等特性。在这项工作中,用有限元法/相场方法模拟了松弛和应变𝑆𝑖 1− 𝑥 𝐺𝑒 𝑥 的激光熔化过程。具体来说,我们使用实验数据校准了合金结晶相和液相的介电函数。我们强调了重现不同聚集状态下空气与材料界面的精确反射率的重要性,以正确模拟该过程。我们间接发现了熔体硅锗光学行为的有趣特征。
“最近,已经发现(在这些冰川)被低估或预测的水下熔化的贡献。在格陵兰等许多地方,水下熔化正在加快整体冰的损失。这要求在这些冰川上更准确地测量冰损,并通过多种方式进行了交叉验证。”
Madelaine调查了目前鲜为人知的海洋过程,这些过程负责融化南极冰架。她使用高分辨率海洋模型来针对预期将升高的热传输到冰(例如内波活动)的过程,并量化其对冰架基础熔化的影响。她将结合工作中的新成果,以开发和实施一个新的参数化来实现基础融化。这可以在大规模的海洋和气候模型中使用,以提高未来气候和海平面投影的准确性。
摘要:在过去的几十年中,对半导体硅的激光消融进行了广泛的研究。在超短脉冲结构域中,无论是在FS尺度还是PS尺度上,硅的消融中的脉冲能量阈值都非常依赖于脉冲宽度。然而,在NS脉冲量表中,对脉冲宽度的能量阈值依赖性尚不清楚。这项研究阐明了NS NIR激光消融硅的相互作用能量依赖性。通过脉冲能量沉积速率确定消融或熔化的水平,该脉冲能量沉积速率与激光峰值成正比。较短的脉冲宽度高峰值功率可能会引起表面消融,而较长的脉冲宽度可能会诱导表面熔化。随着脉冲宽度从26增加到500 ns,消融阈值从5.63增加到24.84 j/cm 2。随着脉冲宽度从26增加到200 ns,熔化阈值从3.33增加到5.76 j/cm 2,然后一直保持恒定直至500 ns,最长的宽度。与较短的脉冲宽度不同,较长的脉冲宽度不需要较高的功率水平来诱导表面熔化,因为可以在较低的加热时间较长的脉冲宽度时诱导表面熔化。表面熔化的线宽度小于聚焦点尺寸;该线在缓慢的扫描速度下以连续线的形式出现,或者以高扫描速度以隔离点的形式出现。相比之下,从消融中的线宽度显着超过了聚焦的点大小。