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紫外纳秒激光退火 (LA) 是一种强大的工具，需要严格限制的加热和熔化。在半导体技术中，随着所提出的集成方案的复杂性不断增加，LA 的重要性也随之增加。优化 LA 工艺以及实验设计具有挑战性，尤其是当涉及具有各种形状和相的复杂 3D 纳米结构系统时。在这种情况下，需要对激光熔化进行可靠的模拟，以优化工艺参数并减少实验测试次数。这产生了虚拟实验设计 (DoE)。𝑆𝑖 1− 𝑥 𝐺𝑒 𝑥 合金如今因其与硅器件的兼容性而被使用，从而能够设计应变、载流子迁移率和带隙等特性。在这项工作中，用有限元法/相场方法模拟了松弛和应变𝑆𝑖 1− 𝑥 𝐺𝑒 𝑥 的激光熔化过程。具体来说，我们使用实验数据校准了合金结晶相和液相的介电函数。我们强调了重现不同聚集状态下空气与材料界面的精确反射率的重要性，以正确模拟该过程。我们间接发现了熔体硅锗光学行为的有趣特征。
表面反射率对硅锗合金超快速激光熔化的影响
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