可拉伸电子器件对于下一代智能交互系统的开发具有重要意义。在此,我们提出了一种无顶栅电极的本征可拉伸有机摩擦电子晶体管 (SOTT),它由可拉伸衬底、银纳米线电极、半导体混合物和非极性弹性体电介质组成。SOTT 的漏源电流可以通过与电介质层的外部接触通电来调制。在与通道方向平行和垂直的 0-50% 拉伸下,SOTT 保持了出色的输出性能。在拉伸至 50% 数千次后,SOTT 仍能保持出色的稳定性。此外,SOTT 可以贴合地附着在人的手上,可用于人机交互中的触觉信号感知以及控制智能家居设备和机器人。这项工作实现了可拉伸摩擦电子晶体管作为智能交互的触觉传感器,扩展了摩擦电子在人机界面、可穿戴电子产品和机器人技术中的应用。
9. 采用 Si3N4 电介质和 Au 梁材料设计和分析 MEMS 分流电容开关,以提高驱动电压和 RF 性能(考虑有无圆形穿孔):Kurmendra;Kumar,R.;电气电子材料学报。2019,20,299–308。SCOPUS/ESCI
引言:液体电介质和绝缘聚合物是柔性电子器件的组成部分[1]–[4]。此外,微流体与微电子技术的集成为高频电子系统开辟了新的研究和开发领域。例如,过去十年来,许多研究都展示了通过流体调节天线输出频率、辐射方向图和极化的方法[5]–[14]。人们还利用流体研究了微波元件的频率调谐,包括滤波器[15],[16]、移相器[17],[18]、功率分配器[19],[20]和振荡器[21]。尽管前文提到流体电子学方面的研究成果日益增多,但关于用于实现这些系统的各种电介质流体和聚合物化合物的介电常数的公开数据却非常有限。在缺乏此类数据的情况下,研究人员通常依靠在某一频率下收集的介电常数数据来近似其设备在其他频率下的响应。直到最近,才开始出现关于感兴趣的介电流体宽带响应的介电光谱研究[22]。在本文中,我们报告了宽带复介电常数
小时 1. 电磁理论:矢量代数和矢量微积分、静电学和相关微分形式的麦克斯韦方程、静磁学和相关微分形式的麦克斯韦方程、边界条件、时间相关场和麦克斯韦方程、波动方程、自由空间和无损电介质中的电磁波、界面处的反射和透射(法向入射)
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较,获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低,可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管,并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐,以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗,并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比,所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善,这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
• 根据高斯定律,平行板电容器的最大电荷面积密度由 ε r E b 决定。ε r 和 E b 都是电介质的性质。E b 也称为电介质完整性。• 在半导体和器件物理学中,我们使用的单位系统主要是 SI,但长度用 cm 代替 m。
电介质光学微孔子在弯曲的介电 - 空气界面处的多个接近总内反射,将光限制在微小的圆形路径中,其中光对某些波长进行了建设性的干扰。这些微孔子可以通过精确调整其形状,大小和折射率来控制光限制和传播的可能性。
简介 直接键合是一种在室温下自发的电介质-电介质键合,通过低温批量退火工艺(200°C – 300°C)实现金属-金属连接(此处为 Cu-Cu 键合)。因此,直接键合工艺对于异质集成具有吸引力,并且与使用焊料的微凸块键合相比具有多种优势 [1, 2]。此外,对于这种无金属帽键合工艺,互连密度和互连缩放限制较少。该技术可以消除电气短路的风险,因为键合过程中不会有焊料从微凸块中挤出,这对于细间距应用至关重要。通过混合键合成功开发晶圆-晶圆键合,导致该技术迅速引入大批量制造 [3]。混合键合互连在 Cu/Cu 界面处表现出出色的可靠性和稳定的微观结构,这已在最近的研究中发表。[4, 5, 6]
摘要:据报道陶瓷电介质具有用于应用的优质储能性能,例如电动车辆中的电力电子设备。在〜4.55 j cm -3的可回收能量密度(W REC)中,在〜520 kV cm -1的情况下,在无铅松弛剂BATIO 3-0.06BI 2/3(mg 1/3 NB 2/3)中实现了η〜90%。这些陶瓷可以与AG/PD共同使用,这构成了它们在制造商业多层陶瓷电容器中潜在使用的重要一步。与化学计量学BI(Mg 2/3 NB 1/3) - O 3掺杂的Batio 3(BT),A-SITE降低BI 2/3(mg 1/3 NB 2/3)O 3降低了BT的电气异质性。块状电导率仅通过1个数量级从晶界处差异,这与较小的体积的导电核心较小,这是由于A-Site Sublattice中掺杂剂的差异增加而导致的,从而在电气文件下导致较高的击穿强度。可以采用此策略来开发具有改进的储能性能的新介质。关键字:储能,电容器,无铅,Batio 3,电介质,陶瓷
本课程涵盖了材料及其应用的电子特性的高级方面。它包括能量,热电,铁电,电介质,高电,压电,磁性和光学应用的材料。将强调电子材料在各种技术中的先进应用,这些材料的详细应用,在材料中的热量效应。线性和非线性光学性质,材料和应用,功能复合材料。