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World File Search System电介质
杜邦™ Cyclotene™ 3000 系列
Cyclotene™ 3000 系列先进电子树脂源自 B 阶段双苯并环丁烯 (BCB) 单体，是 Cyclotene™ 系列产品中的干法蚀刻级产品，专门用作微电子器件制造中的旋涂电介质材料。Cyclotene™ 树脂是低介电常数和低介电损耗材料，具有吸湿性低、不起气、低温固化和平面化性能优异等特点（图 1）。Cyclotene™ 产品的特性如表 1 所示。Cyclotene™ 树脂已广泛应用于各种电子应用，包括硅和复合半导体钝化、层间电介质、平板显示器、IC 封装、集成无源器件、MEMS、晶圆键合和 3D 集成以及光电元件。杜邦公司有四种 Cyclotene™ 3000 系列产品可供商业化供应，如表 2 所示。
立方碳化硅3C-SiC本征缺陷的理论研究
图 2. 示意图，说明评估长程屏蔽能量对带电缺陷的 DFT 超胞计算的贡献。 (a) 带电荷 q 的体缺陷具有无限延伸的电介质屏蔽，内接正方形表示计算超胞的范围。 (b) DFT 超胞将整个净电荷 q 限制在超胞平行六面体内，通过从超胞边缘抽取电子来屏蔽近缺陷区域，从而对边缘区域进行去屏蔽。 (c) 等效体积球体，半径为 R vol ，需要围绕该球体评估长程屏蔽能量。 (d) 该半径减少了 R skin 以解释未屏蔽的晶胞体积，从而得到了由 R Jost 定义的 Jost 经典电介质屏蔽。
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
安德烈·罗塔鲁 - ICF
先进材料的物理化学和热性能 光谱方法的热物理方面（成分、介电、声学、机械）。 功能电陶瓷材料：电介质、弛豫体、铁电体和多铁性材料。 四方钨青铜 (TTB) 和钙钛矿相关陶瓷的结构特性。 材料中的动态过程：模拟电介质偶极子的热诱导弛豫。 基本动力学和非均相过程动力学：等转化、高级线性增量程序、用于区分动力学模型的复杂动力学方法、主图。 复杂无机前体和有机（液晶、染料）化合物的热稳定性。 表面科学：薄膜和多孔材料。 用于获得软材料薄膜的激光辅助技术及其在生命科学中的应用。 科学贡献
技术和可靠性
• 为提高性能，晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入：铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术：fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料：增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
