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图 2. 示意图，说明评估长程屏蔽能量对带电缺陷的 DFT 超胞计算的贡献。 (a) 带电荷 q 的体缺陷具有无限延伸的电介质屏蔽，内接正方形表示计算超胞的范围。 (b) DFT 超胞将整个净电荷 q 限制在超胞平行六面体内，通过从超胞边缘抽取电子来屏蔽近缺陷区域，从而对边缘区域进行去屏蔽。 (c) 等效体积球体，半径为 R vol ，需要围绕该球体评估长程屏蔽能量。 (d) 该半径减少了 R skin 以解释未屏蔽的晶胞体积，从而得到了由 R Jost 定义的 Jost 经典电介质屏蔽。
立方碳化硅3C-SiC本征缺陷的理论研究
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