机构名称：
¥ 1.0
引言低介电常数材料被开发出来以替代二氧化硅作为层间电介质[1]。这些材料在半导体封装、层间电介质、电子和通信设备领域显示出巨大的应用。该领域的一个潜在问题是电阻-电容延迟、串扰噪声和过度的功率耗散[2,3]。因此，研究人员使用具有更高绝缘性和更低介电常数（≤2.5或超低≤2.0）的材料[4-7]。通常，根据克劳修斯-莫索蒂方程[8]，已经设计出各种方法来设计绝缘聚合物材料和具有降低介电常数值的材料。前者是具有低电偶极化学键的材料，例如脂环族基团、氟化基团，或将大摩尔体积的材料，例如氟、苯基和联苯引入*通讯作者。电子邮件：sundusm.sm@gmail.com
普通文章
主要关键词
相关文件推荐
