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长波长发光材料的严重猝灭是制约OLED发展的重要瓶颈，例如Zhang等报道了一系列新型DA型橙色和红色荧光材料，其外量子效率（EQE）仅为3.15%，发射峰在592nm，而外量子效率（EQE）仅为2.66%，发射峰在630nm。16以三苯胺和N,N-二苯基苯胺为结构发光材料的橙色器件的最大EQE较低，为3.42%。17Yang等也报道了一种以吡啶-3,5-二腈为核心的TADF橙色发光材料，其电致发光（EL）峰值在600nm，其最大EQE为9.8%，18远低于蓝色和绿色器件。具有特色 DA 结构的 HLCT 基材料可以通过快速“热激子”通道从高位三线态 T m 实现逆向系统间窜改 (RISC) 到高位单线态 S n 。由于特殊的杂化局域电子 (LE) 和电荷转移 (CT) 激发态，这种独特的特性使 HLCT-OLED 具有高 EQE 和不明显的效率下降。19
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